Grundlagenuntersuchungen zur Erzeugung und Verstärkung von Terahertz-Wellen in elektrisch gepumpten Halbleiter-Heterostrukturen

电泵浦半导体异质结构中太赫兹波的产生和放大的基础研究

• 批准号: 5189234
• 负责人: Professor Dr. Hartmut G. Roskos
• 金额: --
• 依托单位: Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2006-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5189234?language=en
• 关键词: Grundlagenuntersuchungen; zur; Erzeugung; und; Verst

Dieses deutsch-englische Gemeinschaftsprojekt bearbeitet zwei zentrale Grundlagenprobleme, die der Realisierung eines elektrisch gepumpten THz-Lasers ("TASERs"), der Übergänge zwischen Subbandzuständen in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen für die Verstärkung nutzt, entgegenstehen:* Es ist eine Quantenstruktur mit guter Verstärkung und geringer Abschirmung des internen elektrischen Feldes bei Stromfluß zu finden. Folgende Alternativen sollen theoretisch (in Leeds) und experimentell (in Frankfurt) getestet werden:1. Nach theoretischen Vorhersagen könnten Halbleiter-Übergitter niedriger Dotierung ein geeignetes aktives Medium für TASER darstellen. Die Verstärkung von THz-Strahlung in solchen Übergittern soll erstmals gemessen werden.2. Neben Übergittern werden in der Literatur auch asymmetrische Doppelquantentopf- und andere Heterostrukturen als Verstärkermedien diskutiert. Besonders interessant erscheinende Strukturen sollen zunächst (in Leeds) theoretisch analysiert werden und ein besonders interessanter Kandidat ausgewählt werden. Dieser ist dann (in Frankfurt) experimentell auf Elektrolumineszenz und Verstärkung hin zu untersuchen.* Das Problem der Adsorption der THz-Strahlung durch die Dotierung wurde bisher in allen Konzeptstudien von TASERn nicht oder nicht genügend beachtet. Für jedes konkret zu realisierende TASER-System spielen die Verluste durch Freie-LadungsträgerAdsorption eine entscheidende Rolle. So ist es unvermeidbar, auf durchdotierte Susbstrate zu verzichten; die aktiven Schichten dürfen nur über schmale Dotierungsschichten, vorzugsweise dotierte Quantenstrukturen, kontaktiert werden. Die Freie-Ladungsträger-Adsorption in solchen Quantenstrukturen soll mittels THz-Transmissions-Spektroskopie genau bestimmt werden.

dees德语-英语Gemeinschaftsprojekt bearbeitet zwei zentrale grundlagen问题，die der Realisierung eines elektrischchpumpten thz激光器（“TASERs”），der Übergänge zwischen Subbandzuständen in GaAs/ algaas -异质结构分析<e:1>（异质结构分析）/ die Verstärkung nutzt, entgegenstehen:* Es ist eine Quantenstruktur mitguter Verstärkung und geringer Abschirmung des internen elektrischen Feldes bei Stromfluß zu finden。Folgende替代sollen理论（在利兹）和实验（在法兰克福）得到测试。Nach theortischen Vorhersagen könnten Halbleiter-Übergitter niedriger Dotierung in geigenes aktives Medium fr TASER darsteren。Die Verstärkung von THz-Strahlung in solchen Übergittern soll erstmals gemessen werden.2。Neben Übergittern werden在der文献中，每一个不对称的Doppelquantentopf和异质结构也Verstärkermedien diskutiert。beonders interessant erscheinende Strukturen sollen zunächst（在利兹）理论分析者werden和beonders interessant候选人ausgewählt werden。德国（法兰克福）实验实验室auf Elektrolumineszenz und Verstärkung hin zu untersuchen。*研究太赫兹吸附剂的吸附问题，研究太赫兹吸附剂的吸附问题，研究太赫兹吸附剂的吸附问题，研究太赫兹吸附剂的吸附问题<s:1> jedes konkret zu realisierende TASER-System spielen die Verluste durch Freie-LadungsträgerAdsorption edees entscheidende Rolle。所以它是unvermeidbar，也就是“不确定性”。[3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2]模具Freie-Ladungsträger-Adsorption in solchen Quantenstrukturen solsolmitels - thz - transmission - spektroskie genau bestestimum werden。