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Grundlagenuntersuchungen zur Erzeugung und Verstärkung von Terahertz-Wellen in elektrisch gepumpten Halbleiter-Heterostrukturen

Grundlagenuntersuchungen zur Erzeugung und Verstärkung von Terahertz-Wellen in elektrisch gepumpten Halbleiter-Heterostrukturen
电泵浦半导体异质结构中太赫兹波的产生和放大的基础研究
批准号:
5189234
负责人:
Professor Dr. Hartmut G. Roskos
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
1999
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1998-12-31 至 2006-12-31

项目摘要

项目成果

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Dieses deutsch-englische Gemeinschaftsprojekt bearbeitet zwei zentrale Grundlagenprobleme, die der Realisierung eines elektrisch gepumpten THz-Lasers ("TASERs"), der Übergänge zwischen Subbandzuständen in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen für die Verstärkung nutzt, entgegenstehen:* Es ist eine Quantenstruktur mit guter Verstärkung und geringer Abschirmung des internen elektrischen Feldes bei Stromfluß zu finden. Folgende Alternativen sollen theoretisch (in Leeds) und experimentell (in Frankfurt) getestet werden:1. Nach theoretischen Vorhersagen könnten Halbleiter-Übergitter niedriger Dotierung ein geeignetes aktives Medium für TASER darstellen. Die Verstärkung von THz-Strahlung in solchen Übergittern soll erstmals gemessen werden.2. Neben Übergittern werden in der Literatur auch asymmetrische Doppelquantentopf- und andere Heterostrukturen als Verstärkermedien diskutiert. Besonders interessant erscheinende Strukturen sollen zunächst (in Leeds) theoretisch analysiert werden und ein besonders interessanter Kandidat ausgewählt werden. Dieser ist dann (in Frankfurt) experimentell auf Elektrolumineszenz und Verstärkung hin zu untersuchen.* Das Problem der Adsorption der THz-Strahlung durch die Dotierung wurde bisher in allen Konzeptstudien von TASERn nicht oder nicht genügend beachtet. Für jedes konkret zu realisierende TASER-System spielen die Verluste durch Freie-LadungsträgerAdsorption eine entscheidende Rolle. So ist es unvermeidbar, auf durchdotierte Susbstrate zu verzichten; die aktiven Schichten dürfen nur über schmale Dotierungsschichten, vorzugsweise dotierte Quantenstrukturen, kontaktiert werden. Die Freie-Ladungsträger-Adsorption in solchen Quantenstrukturen soll mittels THz-Transmissions-Spektroskopie genau bestimmt werden.
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会议论文
Terahertz measurement system based on frequency-selective detector chips for inline industrial monitoring
  • 批准号:
    426328798
  • 项目类别:
    Research Grants (Transfer Project)
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Nonlinear dynamics of impurity states in semiconductors driven by intense THz pulses
  • 批准号:
    411486076
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Frequenzverschiebung von THz-Pulsen durch den relativistischen Dopplereffekt an einer wandernden Plasmafront
  • 批准号:
    221030553
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2012
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
Direct THz-wave generation in a dual-color near-IR semiconductor laser
  • 批准号:
    52302596
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    Professor Dr. Hartmut G. Roskos
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
锌调蛋白Zur识别两类靶标DNA的结构基础
  • 批准号:
    31700052
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    22.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    明振华
  • 依托单位: