Magnetoelektrische Heterostrukturen und Bauelemente mit epitaktischen Grenzflächen (A04)

[2]刘志强，刘志强，刘志强，等。中国半导体工业发展现状与展望[j] .半导体工业发展展望[j]。Das Ziel ist Das Verständnis magnetoelektrischer Grenzflächen and die Erforschung ihrer Kopplungsphänomene in Hinblick auf die Entwicklung超灵敏磁感应传感器。Die Grenzflächenstruktur, sowie Die piezoelektrischen and magnetischen Eigenschaften sollen untersucht werden。<s:1>原位光谱分析方法，zur Aufklärung der elektronischen strukturr, sollen spezielle Bauelemente entwickelelt werden。

Ziel dieses Teilprojektes ist die Fabrikation und physikalische Beschreibung magnetoelektrischer, oxidischer (2-2) Heterostrukturen und Sensoren mit epitaktischen Grenzflächen. Das Ziel ist das Verständnis magnetoelektrischer Grenzflächen und die Erforschung ihrer Kopplungsphänomene im Hinblick auf die Entwicklung ultrasensitiver Magnetfeldsensoren. Die Grenzflächenstruktur, sowie die piezoelektrischen und magnetischen Eigenschaften sollen untersucht werden. Für spektroskopische in-situ Methoden, zur Aufklärung der elektronischen Struktur, sollen spezielle Bauelemente entwickelt werden.