权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Spinabhängiger RTM-induzierter Elektronentransport und Lichtemission in Ferromagnet/GaAs Heterostrukturen

铁磁体/砷化镓异质结构中自旋相关的 STM 诱导的电子传输和光发射

基本信息

批准号：
142849510
负责人：
Privatdozent Dr. Markus Gruyters
金额：
--
依托单位：
Institut für Experimentelle und Angewandte Physik
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2009
资助国家：
德国
起止时间：
2008-12-31 至 2012-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/142849510?language=en
关键词：
Spinabh ngiger RTM induzierter Elektronentransport

项目摘要

Das Projekt befasst sich mit dem spinabhängigen Transport von Elektronen in Heterostrukturen. Letztere setzen sich aus verschiedenen Festkörpermaterialien zusammen und weisen die Form von dünnen Schichten oder Clustern auf. Ein Kernziel ist das vertiefte Verständnis der spinabhängigen Eigenschaften der Elektronen in Metall/Halbleiter und Metall/Oxid/Halbleiter Systemen. Dies betrifft insbesondere Prozesse bei der Injektion und bei Übergangen zwischen den Grenzflächen. Als Quelle für Elektronen dient die Spitze eines Rastertunnelmikroskops. Der Nachweis der Spinpolarisation der durch die Heterostrukturen transmittierten Elektronen erfolgt anhand der Zirkularpolarisation des vom Halbleiter emittierten Lichts. Auf atomarer Ebene soll die Abhängigkeit der Spinpolarisation von der chemischen und strukturellen Zusammensetzung untersucht werden. Einen Schwerpunkt bildet die Beschaffenheit der Grenzflächen, die unter dem Gesichtspunkt der Optimierung des Grades der Spinpolarisation gezielt variiert werden soll. Die Rastertunnelmikroskopie spielt eine zentrale Rolle, da sich hiermit sowohl die strukturellen als auch die elektronischen Eigenschaften mit höchster Ortsauflösung bestimmen lassen. Präparation und Analyse erfolgen in situ. Im Vergleich zu den derzeit vorherrschenden ex situ Experimenten werden die Anzahl der Materialkomponenten und die räumlichen Abmessungen auf ein erforderliches Minimum reduziert. Als Materialien werden magnetische und nicht-magnetische Metalle (Fe, Ni bzw. Au), binäre Oxide (MgO, Ga2O3) und GaAs als nicht-magnetischer Halbleiter verwendet.

Das Projekt is Fasst Sich MIT Dm Spinabhängien Transport von Elektronen in Heterostrukturen.让我们来看看这两个国家的人和伟森的情况。Ein Kernziel is das vertiefte Verständnis der spinabhänGigen Eigenschaften der Elektronen in Metall/Halbleiter and Metall/Oxid/Halbleiter Systens.他死于他的事业和他的事业。他说：“这是一件很重要的事情。自旋偏振和ZirkularPolarpolization de vom Halbleiter发射许可。原子的自旋极化和自旋偏振是不可能的。Einen Schwerpenkt bildet die Beschaffenheit der GrizfläChen，DEM Gesichtspunkt der Optimierung des grades der Spinpolaration gezielt Variert Well soll.他说：“我的工作主要集中在劳斯莱斯的工作中，他的结构也是如此。”现场制备和分析叶尔弗林。我在材料和材料上进行了现场实验，并对其进行了最小误差分析。ALS材料包括磁性和非磁性金属(Fe，Ni BZW.Au)，Binäre氧化物(MgO，Ga2O)和GaAs非磁性金属Halbleiter。