Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums

基于不同结构类型硅的新型半导体异质结构的外延和表征

• 批准号: 22361630
• 负责人: Professor Dr. Andreas Fissel
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Materialien und Bauelemente der Elektronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2010-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/22361630?language=en
• 关键词: Epitaxie; und; Charakterisierung; von; neuartigen

Im Rahmen des beantragten Projektes soll die Möglichkeit der Herstellung einer neuartigen Halbleiter-Heterostruktur auf der Basis unterschiedlicher Strukturtypen des Siliziums untersucht und deren grundlegende physikalische Eigenschaften bestimmt werden, wie Gitterkonstante, Bandlücke, Lage des Valenzband-Maximums bzw. Leitungsband-Minimums in bezug auf das des kubischen Siliziums, Ladungsträger- Beweglichkeit und Tunnelverhalten. Die Integration solcher Heterostrukturen in die Si-Halbleitertechnologie würde neue Anwendungsfelder für das Halbleitermaterial Si eröffnen, wie Tunnelbauelemente und andere auf Quanteneffekten basierende zukünftige elektronische Bauelemente. Verschiedene Strukturtypen des Siliziums sollen mit der Molekularstrahlepitaxie(MBE) in einem Epitaxieprozess durch ein definiertes Aufeinanderstapeln von Si-Doppellagen in zwei verschiedenen Oberflächenorientierungen auf oberflächenmodifizierten Si(111)-Substraten gewachsen werden.

[3] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [2][1][德国]-[德国]-[德国]-[德国]。模具集成solcher异质结构在模具Si- halbleitertechnology中的应用（<s:1> rde neue Anwendungsfelder fgr das Halbleitermaterial Si eröffnen， Tunnelbauelemente和andere auf Quanteneffekten basierende zuknftige elektronische Bauelemente）。Verschiedene struckturtypen des silica sollen der molecular strahpitxie (MBE) in einem外延工艺中，如在zwei verschiedenOberflächenorientierungen auf oberflächenmodifizierten Si(111)- substrate gewachsen werden。