Epitaxie und Charakterisierung von neuartigen Halbleiter-Heterostrukturen auf der Basis von unterschiedlichen Strukturtypen des Siliziums

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Im Rahmen des beantragten Projektes soll die Möglichkeit der Herstellung einer neuartigen Halbleiter-Heterostruktur auf der Basis unterschiedlicher Strukturtypen des Siliziums untersucht und deren grundlegende physikalische Eigenschaften bestimmt werden, wie Gitterkonstante, Bandlücke, Lage des Valenzband-Maximums bzw. Leitungsband-Minimums in bezug auf das des kubischen Siliziums, Ladungsträger- Beweglichkeit und Tunnelverhalten. Die Integration solcher Heterostrukturen in die Si-Halbleitertechnologie würde neue Anwendungsfelder für das Halbleitermaterial Si eröffnen, wie Tunnelbauelemente und andere auf Quanteneffekten basierende zukünftige elektronische Bauelemente. Verschiedene Strukturtypen des Siliziums sollen mit der Molekularstrahlepitaxie(MBE) in einem Epitaxieprozess durch ein definiertes Aufeinanderstapeln von Si-Doppellagen in zwei verschiedenen Oberflächenorientierungen auf oberflächenmodifizierten Si(111)-Substraten gewachsen werden.