STTR Phase I: Rapid, Nondestructive Residual Stress Characterization of Semiconductor Materials
STTR Phase I: Rapid, Nondestructive Residual Stress Characterization of Semiconductor Materials
批准号:
0319448
负责人:
Jon Lesniak
金额:
$9.54万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
2003
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
2003-07-01 至 2004-06-30
中文摘要
这个小型企业技术转移(STTR)第一阶段项目建议利用类似于可见光光弹性的尖端技术生产红外光弹性应力分析系统,并首次应用于光学不透明但红外透明的材料。该设备将允许以适用于在线检测的速度对硅、化合物半导体、光子材料、薄膜、界面和埋地层进行无损的全场应力表征。目前,由于没有有效的商业技术,残余应力没有常规测量。第一阶段的结果将是一个工业驱动的仪器设计标准,该仪器可以以快速、负担得起、易于掌握和易于证明的方式测量这些残余应力。原型应力成像仪将在微电子工业的几乎每个部分找到应用,包括;晶圆制造、器件制造、微电子封装、MEMS器件。所提出的仪器相对便宜,对于小型大学、晶圆厂和工程力学实验室来说足够负担得起。最后,电子工业以外的商业应用已经确定,包括;检查热障涂层,测量陶瓷的烧结应力以及聚合物和聚合物复合材料的固化应力。
英文摘要
This Small Business Technology Transfer (STTR) Phase I project proposes to produce an infrared photo-elastic stress analysis system utilizing cutting edge technology analogous to visible light photo-elasticity and applied for the first time to optically opaque, yet infrared transparent, materials. The device will allow nondestructive, full-field stress characterization of silicon, compound semi-conductors, photonic materials, thin films, interfaces, and buried layers at a speed applicable to on-line inspection. Currently, residual stresses are not routinely measured because there are no efficient commercially available techniques. The result of Phase I will be an industrially driven design criteria for an instrument that can measure these residual stresses in a manner that is rapid, affordable, easy to master, and easy to justify. A prototype stress imager will find applications in nearly every portion of the micro-electronics industry including; wafer manufacture, device manufacture, microelectronics packaging, and MEMS devices. The proposed instrument will be relatively inexpensive, affordable enough for small universities, fabs, and engineering mechanics laboratories. Finally, commercial applications outside the electronics industry have been identified, including; inspecting thermal barrier coatings, measuring sintering stresses in ceramics as well as curing stresses in polymers and polymer composites.
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STTR Phase II: Rapid Nondestructive Residual Stress Characterization of Semiconductor Materials
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批准号:0450604
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项目类别:Standard Grant
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资助金额:$49.44万
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财政年份:2005
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负责人:Jon Lesniak
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依托单位:
国内基金
海外基金
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