Lokales Tröpfchenätzen von Halbleiteroberflächen zur selbstorganisierten Herstellung von Nanostrukturen

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In diesem Vorhaben werden neuartige Halbleiternanostrukturen mit Epitaxieverfahren hergestellt und ihre elektronischen und optischen Eigenschaften untersucht. Halbleiternanostrukturen sind wegen ihrer besonderen, abstimmbaren Materialeigenschaften von sehr großem, aktuellem Interesse. Das hier eingesetzte Verfahren der Molekularstrahlepitaxie hat wegen seiner Eignung für extrem reines Material und für sehr hohe Kristallqualität dabei besondere Bedeutung. In diesem Vorhaben sollen die Möglichkeiten des lokalen Tröpfchenätzens (local droplet etching, LDE) für die Selbstorganisation neuartiger Nanostrukturen aus III/V-Verbindungshalbleitern untersucht werden. Mit dem lokalen Tröpfchenätzen können Nanolöcher in Halbleitersubstraten, Quantenringe und nach Überwachsen auch extrem homogene Quantenpunkte hergestellt werden, ohne dass dazu lithographische Prozessschritte oder Maskierungen erforderlich sind. Als Vorteil gegenüber den etablierten, verspannungsinduzierten InAs/GaAs- oder Ge/Si-Quantenpunkten können LDE-Quantenpunkte auch verspannungsfrei hergestellt werden. Die strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften dieser Nanostrukturen sollen untersucht werden.