Lokales Tröpfchenätzen von Halbleiteroberflächen zur selbstorganisierten Herstellung von Nanostrukturen

半导体表面的局部液滴蚀刻用于纳米结构的自组织生产

• 批准号: 173916649
• 负责人: Professor Dr. Wolfgang Hansen
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik (INF)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/173916649?language=en
• 关键词: Lokales; Tr; pfchen; tzen; von

In diesem Vorhaben werden neuartige Halbleiternanostrukturen mit Epitaxieverfahren hergestellt und ihre elektronischen und optischen Eigenschaften untersucht. Halbleiternanostrukturen sind wegen ihrer besonderen, abstimmbaren Materialeigenschaften von sehr großem, aktuellem Interesse. Das hier eingesetzte Verfahren der Molekularstrahlepitaxie hat wegen seiner Eignung für extrem reines Material und für sehr hohe Kristallqualität dabei besondere Bedeutung. In diesem Vorhaben sollen die Möglichkeiten des lokalen Tröpfchenätzens (local droplet etching, LDE) für die Selbstorganisation neuartiger Nanostrukturen aus III/V-Verbindungshalbleitern untersucht werden. Mit dem lokalen Tröpfchenätzen können Nanolöcher in Halbleitersubstraten, Quantenringe und nach Überwachsen auch extrem homogene Quantenpunkte hergestellt werden, ohne dass dazu lithographische Prozessschritte oder Maskierungen erforderlich sind. Als Vorteil gegenüber den etablierten, verspannungsinduzierten InAs/GaAs- oder Ge/Si-Quantenpunkten können LDE-Quantenpunkte auch verspannungsfrei hergestellt werden. Die strukturellen, optischen und elektronischen Eigenschaften dieser Nanostrukturen sollen untersucht werden.

在这个韦尔登中间Halbleiternanostrukturen与外延fahren hergestellt和他们的elektronischen和optischen Eigenschaften untersucht。半导体纳米结构是一种非常重要的结构，它的材料特性可以很大程度上影响材料的性能。Das questioningesetzte Verfahren der Molekularstrahlepitaxie hat wegen seiner Eignung für extreme reines Material und für sehr hohe Kristallqualität dabei besondere Bedeutung. In diesem Vorhaben sollen die Möglichkeiten des lokalen Tröpfchenät（local droplet etching，LDE）für die Selbstorganisation neuartiger Nanostrukturen aus III/V-Verbindungshalbleitern untersucht韦尔登.半透明基底上的局部Tröpfchenätzen nönnen Nanolöcher，量子线和超波长也是非常均匀的量子点，因此韦尔登也是非常重要的，这使得平版印刷工艺或掩模加工变得非常困难。在此基础上，将InAs/GaAs-或Ge/Si-量子点转换为LDE-Quantenpunkte也可以将其转换为韦尔登。纳米结构的结构、光学和电子特性完全可以用韦尔登来表示。