Einsatz einer Valved-Cracker-Zelle zur Herstellung von optimierten Halbleiternano- und Halbleiter-Supraleiter-Hybridstrukturen

使用带阀裂解装置生产优化的半导体纳米和半导体-超导体混合结构

• 批准号: 5243760
• 负责人: Professor Dr. Wolfgang Hansen
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik (INF)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5243760?language=en
• 关键词: Einsatz; einer; Valved; Cracker; Zelle

Es sollen hier in einer Molekularstrahlepitaxieanlage für die Herstellung von AlGaInAs-Heterostrukturen konventionelle AsFeststoffquellen durch eine sogenannte "Valved-Cracker-Zelle" ersetzt werden. Zentraler Aspekt ist dabei neben der Möglichkeit, sowohl As2 als auch As4-Dampfstrahlen zu erzeugen, die sehr schnelle und präzise Kontrolle des Arsen-Flusses durch ein Ventil. Dies ermöglicht unter anderem eine Reduktion der Segretation von Dotierstoffatomen aus in der Schicht vergrabenen, epitaktischen Elektroden durch einen kurzzeitig erhöhten ArsenFluss. Das würde minimierte Strukturgrößen für eine Vielzahl von Probenstrukturen z.B. mit integriertem Rückkontakt ermöglichen. Als weiterer, wesentlicher Aspekt kann auch für komplizierte Schichtenfolgen mit veränderlicher Wachstumsgeschwindigkeit das III-V-Flussratenverhältnis definiert eingestellt werden. Das ist z.B. für einen metamorphen Buffer zum Übergang von GaAs auf InAlAs-Gitterkonstante von entscheidender Bedeutung und ermöglicht so eine weitere Optimierung von InAs High Electron Mobility Transistor (HEMT) Strukturen auf GaAs Substraten. Auch beim selbstorganisierten Wachstum von InAs-Quantenpunkten sowie beim epitaktischen Überwachsen von strukturierten Unterlagen bietet eine Valved-Cracker-Zelle eine wesentlich verbesserte Prozesskontrolle und ermöglicht außerdem neue Freiheitsgrade für Probenentwurf und optimierte Prozessfolge. Die neue As-Quelle soll zum einen für Vorarbeiten zu einem neuen Teilprojekt in der zweiten Antragsphase des SFB 508 eingesetzt werden. Zum anderen ist sie von großem Vorteil für bereits laufende Projekte. Für alle Heterostrukturproben, die in vier laufenden, in vier zusätzlichen, für die zweite Phase geplanten Teilprojekten des SFB 508 sowie in zwei Graduiertenkolleg-Projekten verwendet werden, würde der Einsatz einer Valved-Cracker-Zelle einen bedeutenden Gewinn darstellen.

通过一种“阀式裂纹”韦尔登方法，可解决AlGaInAs-异质结构常规As焊接中的一种分子辐射问题。中间Aspekt是一种Möglichkeit，因此As 2也可以作为As 4-阻尼辐射，通过一个通风口可以很好地控制砷-氟。Dies ermöglicht unter anderem eine Reduktion der Segretation von Dotierstoffatomen aus in der Schicht vergrabenen，epitaktischen Elektroden durch einen kurzzeitig erhöhten ArsenFluss. Das würde minimierte Strukturgrößen für eine Vielzahl von Probenstrukturen z.B.并将其整合。此外，我们的Aspekt也可以用于复杂的Schichtenfolgen mit veränderlicher Wachstumsgeschwindigkeit das III-V-Flussratenverhältdefinis definiert eingestellt韦尔登。这是z.B.为了使GaAs衬底上的InAs高电子迁移率晶体管（HEMT）结构最佳化，在InAlAs-Gitterconstante上对GaAs进行了一次变质缓冲。此外，InAs-Quantenpunkten的自组织Wachstum也是结构化Unterlagen的最佳Wachsen，它包括一个Valved-Cracker-Zelle，一个verbesserte Prozesskontrolle和ermöglicht außerdem neue Freiheitsgrade für Probenentwurf和optimierte Prozessfolge。Die neue As-Quelle soll zum einen für Vorarbeiten zu einem neilprojekt in der zweiten Antragyrase des SFB 508 eingesetzt韦尔登.这是一个非常好的项目。Für alle Heterostrukturproben，在维耶laufenden，在维耶zusätzlichen，für die zweite Phase geplanten Teilprojekten des SFB 508 sowie in zwei Graduiertenkolleg-Projekten verwendet韦尔登，würde der Einsatz einer Valved-Cracker-Zelle einen bedeutenden Gewinn darstellen。