Nichtlineares Rauschen in GaN-HFETs

GaN HFET 中的非线性噪声

• 批准号: 174939017
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Wolfgang Heinrich
• 金额: --
• 依托单位: Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (MOST)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/174939017?language=en
• 关键词: Nichtlineares; Rauschen; GaN; HFETs

Rauscharme Verstärker (LNAs) sind wichtige Komponenten z.B. in Empfängern in der drahtlosen Kommunikation. Solange nur Signale sehr kleiner Amplituden verstärkt werden müssen und der Verstärker linear arbeitet, ist die Charakterisierung der Schaltelemente und die Berechnung der Rauschzahl des Verstärkers kein Problem.Dies gilt nicht mehr, wenn der Verstärker im nichtlinearen Betrieb arbeitet. Welchen Einfluss große Signalamplituden auf das Eigenrauschen von Transistoren haben, und wie dies für die Schaltungssimulation zu modellieren ist, ist noch weitgehend unbekannt.Im beantragten Forschungsvorhaben soll deshalb das Rauschen von GaN-HEMTs unter Großsignalaussteuerung untersucht und modelliert werden. Die so gewonnenen Erkenntnisse sollen genutzt werden, um einen optimierten hochlinearen rauscharmen Verstärker zu realisieren. Einsatzbereich solcher LNAs sind z.B. zukünftige Mobilfunk- Basisstationen, deren Empfänger starken Sendern in Nachbarkanälen ausgesetzt ist, ohne dass sich die Qualität des gewünschten empfangenen Signals verschlechtern darf.

Rauscharme Verstärker（LNA）sind wichtige Komponenten z.B. in Empfängern恩in der drahtlosen拖动Kombikation公司. Solange努尔Signale sehr kleiner Amplituden verstärkt韦尔登müssen und der Verstärker linear arbeitet，ist die Charakterisierung der Schaltelemente und die Berechnung der Rauschzahl des Verstärkers kein Problem.Dies gilt梅尔，wenn der Verstärker im nichtlinearen Betrieb arbeitet. Welchen Einfluss greße Signalamplituden auf das Eigenrauschen von Transistoren haben，以及如何为建模者进行Schaltungssimulation，这是未知的。I beantragten Forschungsvorhaben soll deshalb das Rauschen von GaN-HEMTs unter Großignalaussteuerung untersucht and modelliert韦尔登。Die so gewonnenen Erkenntnisse sollen genutzt韦尔登，um einen optimierten hochlinearen rauscharmen Verstärker zu realisieren。德国空军基地是个好地方。在Mobilfunk- Basisstationen，deren Empfänger starken Sendern in Nachbarkanälen ausgesetzt ist，ohne dass sich die Qualität des gewünschten empfangenen Signals verschlechtern darf.

项目成果

GaN HEMT noise model performance under nonlinear operation

非线性操作下的 GaN HEMT 噪声模型性能

• DOI: 10.1109/eumc.2014.6986711
• 发表时间: 2014
• 期刊: 2014 9th European Microwave Integrated Circuit Conference
• 作者: Matthias Rudolph;Laurent Escotte;Ralf Doerner
• 通讯作者: Ralf Doerner