Nichtlineares Rauschen in GaN-HFETs

Rauscharme Verstärker(LNAs)Sind wichtige Komponenten z.B.in Empfängern in der drahtlosen Komomikikation.这是一个很难解决的问题，因为这是一个很难解决的问题，因为这是一个非常重要的问题。这是一个很大的问题，因为这是一个很好的解决方案，但我们不能用它来模拟任何模型，也不能把它放在模型中。去死吧，嗯，最好的办法就是让所有的人都能活下去。在Nachbarkanälen augesetzist，Ohne dass Sass Quality ität des Gewünschten empfangenen Signals verschlechtern Darf.

Rauscharme Verstärker (LNAs) sind wichtige Komponenten z.B. in Empfängern in der drahtlosen Kommunikation. Solange nur Signale sehr kleiner Amplituden verstärkt werden müssen und der Verstärker linear arbeitet, ist die Charakterisierung der Schaltelemente und die Berechnung der Rauschzahl des Verstärkers kein Problem.Dies gilt nicht mehr, wenn der Verstärker im nichtlinearen Betrieb arbeitet. Welchen Einfluss große Signalamplituden auf das Eigenrauschen von Transistoren haben, und wie dies für die Schaltungssimulation zu modellieren ist, ist noch weitgehend unbekannt.Im beantragten Forschungsvorhaben soll deshalb das Rauschen von GaN-HEMTs unter Großsignalaussteuerung untersucht und modelliert werden. Die so gewonnenen Erkenntnisse sollen genutzt werden, um einen optimierten hochlinearen rauscharmen Verstärker zu realisieren. Einsatzbereich solcher LNAs sind z.B. zukünftige Mobilfunk- Basisstationen, deren Empfänger starken Sendern in Nachbarkanälen ausgesetzt ist, ohne dass sich die Qualität des gewünschten empfangenen Signals verschlechtern darf.