Supraleitung in hochdotierten Gruppe IV Halbleitern

在此基础上，提出了与GRUPP-IV-Halbleter Si和Ge相关的模具技术。在这项工作中，所有的工作都是从过去开始的，而不是从现在开始的，因此，我们应该把它们放在一起。在ABHänGigkeit von Dotierung，Schichtdicke和Ausheilparametn的系统中，所有的结构和电气都是这样的。我们研究了一种纳米结构材料和结构，并对其进行了研究。类似于Untersuhugen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen Wie Ge：Al，Si：Ga，Si：B，Si：Al Geants。在温度为-(10MK&lt；T&lt；300K)和磁铁(10μT&lt；B&lt；70 T)的情况下，持续时间为10 MK&lt；T&lt；300K。

Kürzlich konnte gezeigt werden, dass neben Diamant auch die technologisch relevanten Gruppe-IV-Halbleiter Si und Ge im extrem hochdotierten Zustand supraleitend werden. Den Antragstellern ist es erstmalig gelungen, supraleitfähige Ge-Schichten in einem zu Fertigungsverfahren der Mikroelektronik kompatiblen Dotierprozess, bestehend aus Ga-Ionenimplantation und Blitzlampenausheilung, herzustellen. Die Struktur und die elektronischen Eigenschaften der supraleitfähigen Ge:Ga-Schichten sollen in Abhängigkeit von Dotierung, Schichtdicke und Ausheilparametern systematisch untersucht werden. An Nanostrukturen soll der Einfluss von Größen- und Randeffekten auf die Transporteigenschaften studiert werden. Analoge Untersuchungen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen wie Ge:Al, Si:Ga, Si:B, Si:Al geplant. Die Untersuchungen sollen in einem weiten Temperatur- (10 mK < T < 300 K) und Magnetfeldbereich (10 μT < B < 70 T) durchgeführt werden.