Supraleitung in hochdotierten Gruppe IV Halbleitern

高掺杂 IV 族半导体的超导性

• 批准号: 177584490
• 负责人: Dr. Viton Heera
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/177584490?language=en
• 关键词: Supraleitung; hochdotierten; Gruppe; IV; Halbleitern

Kürzlich konnte gezeigt werden, dass neben Diamant auch die technologisch relevanten Gruppe-IV-Halbleiter Si und Ge im extrem hochdotierten Zustand supraleitend werden. Den Antragstellern ist es erstmalig gelungen, supraleitfähige Ge-Schichten in einem zu Fertigungsverfahren der Mikroelektronik kompatiblen Dotierprozess, bestehend aus Ga-Ionenimplantation und Blitzlampenausheilung, herzustellen. Die Struktur und die elektronischen Eigenschaften der supraleitfähigen Ge:Ga-Schichten sollen in Abhängigkeit von Dotierung, Schichtdicke und Ausheilparametern systematisch untersucht werden. An Nanostrukturen soll der Einfluss von Größen- und Randeffekten auf die Transporteigenschaften studiert werden. Analoge Untersuchungen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen wie Ge:Al, Si:Ga, Si:B, Si:Al geplant. Die Untersuchungen sollen in einem weiten Temperatur- (10 mK < T < 300 K) und Magnetfeldbereich (10 μT < B < 70 T) durchgeführt werden.

在此基础上，提出了与GRUPP-IV-Halbleter Si和Ge相关的模具技术。在这项工作中，所有的工作都是从过去开始的，而不是从现在开始的，因此，我们应该把它们放在一起。在ABHänGigkeit von Dotierung，Schichtdicke和Ausheilparametn的系统中，所有的结构和电气都是这样的。我们研究了一种纳米结构材料和结构，并对其进行了研究。类似于Untersuhugen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen Wie Ge：Al，Si：Ga，Si：B，Si：Al Geants。在温度为-(10MK&lt；T&lt；300K)和磁铁(10μT&lt；B&lt；70 T)的情况下，持续时间为10 MK&lt；T&lt；300K。

项目成果

Superconducting Ga-overdoped Ge layers capped with SiO2: Structural and transport investigations

• DOI: 10.1103/physrevb.85.134530
• 发表时间: 2012-04
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: J. Fiedler;V. Heera;R. Skrotzki;T. Herrmannsdörfer;M. Voelskow;A. Mücklich;S. Facsko;H. Reuther;M. Perego;K. Heinig;B. Schmidt;W. Skorupa;G. Gobsch;M. Helm

High-fluence Ga-implanted silicon—The effect of annealing and cover layers

高通量Ga注入硅退火和覆盖层的影响

• DOI: 10.1063/1.4887450
• 发表时间: 2014
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Fiedler;Hübner;Voelskow;Germer;Schmidt;Skorupa
• 通讯作者: Skorupa

Superconductor-insulator transition controlled by annealing in Ga implanted Si

掺镓硅中退火控制的超导-绝缘体转变

• DOI: 10.1063/1.4732081
• 发表时间: 2012
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Fiedler;Voelskow;Mücklich;Skrotzki;Herrmannsdörfer;Skorupa
• 通讯作者: Skorupa

Optical study of superconducting Ga-rich layers in silicon

硅中超导富镓层的光学研究

• DOI: 10.1103/physrevb.87.014502
• 发表时间: 2013
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Fischer;Pronin;Skrotzki;Herrmannsdörfer;Wosnitza;Fiedler;Schachinger
• 通讯作者: Schachinger

Depth-resolved transport measurements and atom-probe tomography of heterogeneous, superconducting Ge:Ga films

异质超导 Ge:Ga 薄膜的深度分辨输运测量和原子探针断层扫描

• DOI: 10.1088/0953-2048/27/5/055025
• 发表时间: 2014
• 期刊: Superconductor Science and Technology
• 影响因子: 3.6
• 作者: Fiedler;Naumann;Skrotzki;Kölling;Herrmannsdörfer;Skorupa;Wosnitza
• 通讯作者: Wosnitza