Supraleitung in hochdotierten Gruppe IV Halbleitern

krzlich konet gealight werden， dass neben Diamant等模具技术相关，Gruppe-IV-Halbleiter Si和Ge im极端hochdotiten Zustand超精密werden。Den Antragstellern ist es erstmalig gelungen, supraleitfähige Ge-Schichten in einem zu Fertigungsverfahren der microelektronik kompatiblen Dotierprozess， besteend aus ga - ionen着床and blitzlampenaushelung， herzustellen。模具结构与模具电子学特征特性研究supraleitfähigen [j]:Ga-Schichten sollen in Abhängigkeit [j] .冯德龙，Schichtdicke和aushelhelparameter systematisch， untersucht werden。一种纳米结构聚合物的研究进展[j] .电子学与电子学。基于Ge:Al， Si:Ga, Si:B， Si:Al的模拟研究。在温度- (10 μT < T < 300 K)和磁feldbereich （10 μT < B < 70 T）条件下，对Die Untersuchungen在einem weden中固化。

Kürzlich konnte gezeigt werden, dass neben Diamant auch die technologisch relevanten Gruppe-IV-Halbleiter Si und Ge im extrem hochdotierten Zustand supraleitend werden. Den Antragstellern ist es erstmalig gelungen, supraleitfähige Ge-Schichten in einem zu Fertigungsverfahren der Mikroelektronik kompatiblen Dotierprozess, bestehend aus Ga-Ionenimplantation und Blitzlampenausheilung, herzustellen. Die Struktur und die elektronischen Eigenschaften der supraleitfähigen Ge:Ga-Schichten sollen in Abhängigkeit von Dotierung, Schichtdicke und Ausheilparametern systematisch untersucht werden. An Nanostrukturen soll der Einfluss von Größen- und Randeffekten auf die Transporteigenschaften studiert werden. Analoge Untersuchungen sind für weitere Halbleiter-Akzeptor-Kombinationen wie Ge:Al, Si:Ga, Si:B, Si:Al geplant. Die Untersuchungen sollen in einem weiten Temperatur- (10 mK < T < 300 K) und Magnetfeldbereich (10 μT < B < 70 T) durchgeführt werden.