Ionenstrahlsynthese dotierter Diamant-Siliziumkarbid-Heterostrukturen

掺杂金刚石-碳化硅异质结构的离子束合成

• 批准号: 5291992
• 负责人: Dr. Viton Heera
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5291992?language=en
• 关键词: Ionenstrahlsynthese; dotierter; Diamant; Siliziumkarbid; Heterostrukturen

Diamant und Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleitermaterialien mit großem Anwendungspotential für Elektronik und Sensorik unter extremen Bedingungen. Durch die Kombination beider Materialien könnten bestehende Schwierigkeiten bei ihrer Dotierung umgangen und die spezifischen Eigenschaften dieser Halbleiter besser genutzt werden. Die Methode der Ionenstrahlsynthese (IS) bietet die Möglichkeit einer Kombination und Modifizierung dieser Materialien in mikroskopischen Bereichen. Erstmalig konnte der Nachweis erbracht werden, daß die IS (i) von epitaktischen Diamant in SiC bzw. (ii) von SiC in Diamant möglich ist. Die Umwandlung und Struktur des durch IS erzeugten instabilen Systems Si1-xCx (x größer als 0.5) soll in Abhängigkeit von Konzentration und Prozessparametern studiert werden. Die Si1-xCx-Bereiche werden dabei in einkristallinen Diamant- oder SiC-Substraten durch Implantation von Si- oder C-Ionen erzeugt. Darüber hinaus sollen die erzeugten Phasen dotiert und ihre elektrische Charakteristik ermittelt werden.

Diamant und Siliziumkarbid（SiC）sind Halbleitermaterialien mit großem Anwendungspotential für Elektronik und Sensorik unter extremen Bedingungen.在材料组合方面，材料组合可以在其设计上获得更好的效果，而特殊的特性可以使半导体更好地韦尔登。离子束合成法是一种在微波炉中对材料进行组合和改性的方法。首先，我们可以将纳米韦尔登切割成碳化硅陶瓷。(ii)SiC在Diamant möglich ist。Die Umwandlung und Struktur des durch IS erzeugten instabilen Systems Si 1-xCx（x größer als 0.5）soll in Abhängigkeit von Konzentration und Prozessparametern studiert韦尔登. Si 1-xCx韦尔登载体通过Si或C离子注入形成金刚石或SiC衬底。因此，我们必须解决相位调整和电气特性的韦尔登问题。