Ionenstrahlsynthese dotierter Diamant-Siliziumkarbid-Heterostrukturen

金刚石和硅化硅（SiC）和碳化硅（halbleite）材料在极端高温条件下的生长。德国模具组合材料制造技术könnten德国模具组合材料制造技术与德国模具组合材料制造技术离子辐照合成（IS）的模具方法研究（英文）：Möglichkeit微细孔材料的合成与改性。[2][1]金刚石在SiC中的应用。（ii）钻石中的碳化硅möglich list。[1][1][1][1][1][1][1][1][1][0][0][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。晶型金刚石- sic衬底及硅- c -离子注入的研究。德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国：德国

Diamant und Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleitermaterialien mit großem Anwendungspotential für Elektronik und Sensorik unter extremen Bedingungen. Durch die Kombination beider Materialien könnten bestehende Schwierigkeiten bei ihrer Dotierung umgangen und die spezifischen Eigenschaften dieser Halbleiter besser genutzt werden. Die Methode der Ionenstrahlsynthese (IS) bietet die Möglichkeit einer Kombination und Modifizierung dieser Materialien in mikroskopischen Bereichen. Erstmalig konnte der Nachweis erbracht werden, daß die IS (i) von epitaktischen Diamant in SiC bzw. (ii) von SiC in Diamant möglich ist. Die Umwandlung und Struktur des durch IS erzeugten instabilen Systems Si1-xCx (x größer als 0.5) soll in Abhängigkeit von Konzentration und Prozessparametern studiert werden. Die Si1-xCx-Bereiche werden dabei in einkristallinen Diamant- oder SiC-Substraten durch Implantation von Si- oder C-Ionen erzeugt. Darüber hinaus sollen die erzeugten Phasen dotiert und ihre elektrische Charakteristik ermittelt werden.