Ionenstrahlsynthese dotierter Diamant-Siliziumkarbid-Heterostrukturen

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Diamant und Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleitermaterialien mit großem Anwendungspotential für Elektronik und Sensorik unter extremen Bedingungen. Durch die Kombination beider Materialien könnten bestehende Schwierigkeiten bei ihrer Dotierung umgangen und die spezifischen Eigenschaften dieser Halbleiter besser genutzt werden. Die Methode der Ionenstrahlsynthese (IS) bietet die Möglichkeit einer Kombination und Modifizierung dieser Materialien in mikroskopischen Bereichen. Erstmalig konnte der Nachweis erbracht werden, daß die IS (i) von epitaktischen Diamant in SiC bzw. (ii) von SiC in Diamant möglich ist. Die Umwandlung und Struktur des durch IS erzeugten instabilen Systems Si1-xCx (x größer als 0.5) soll in Abhängigkeit von Konzentration und Prozessparametern studiert werden. Die Si1-xCx-Bereiche werden dabei in einkristallinen Diamant- oder SiC-Substraten durch Implantation von Si- oder C-Ionen erzeugt. Darüber hinaus sollen die erzeugten Phasen dotiert und ihre elektrische Charakteristik ermittelt werden.