Modifizierung von SiC-Schichten mittels ionenstrahlstimulierter Rekristallisation und Phasenbildung

使用离子束刺激再结晶和相形成对 SiC 层进行改性

• 批准号: 5299474
• 负责人: Dr. Viton Heera
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1995-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5299474?language=en
• 关键词: Modifizierung; von; SiC; Schichten; mittels

Die Ionenimplantation ist ein wichtiger Prozeßschritt zur Dotierung und Kontaktierung von SiC-Halbleiterbereichen. Zur Erzeugung niederohmiger, halbleitender oder metallischer Schichten sind Implantationen mit relativ hohen Dosen von Dotieratomen notwendig, die zu Phasenumwandlungen in den SiC-Schichten führen können. Zwei verschiedene Implantationsprozesse werden hinsichtlich ihrer Wirkungen auf die Struktur und die elektrischen Eigenschaften der SiC-Schichten untersucht. Mittels Implantation bei moderaten Temperaturen werden voramorphisierte 6H-SiC-Schichten in dotiertes, nanokristallines 3C-SiC umgewandelt (ionenstrahlinduzierte Rekristallisation, IBIC). Dagegen führt die Implantation in einkristalline Schichten oberhalb einer kritischen Konzentration und Temperatur zur Bildung von epitaktischen Ausscheidungen verschiedener Phasen in der 6HMatrix. Die Phasenumwandlungen und ihr Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften der SiC-Schichten werden untersucht.

离子注入是一件很重要的事情，因为它是一种特殊的方式。他说：“这是一件很重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。”Zwei Verschiedene植入物是由Wirkungen公司提供的一种新型的电子设备。在中等温度下，纳米晶3C-SiCumgewandelt(IBIC)中的6H-SiC-Schichten为非晶态。Dagegen füHRT芯片植入单晶Schichten oberhalb einer Kritischen Konzentation and Tematurur zur Bildung von epitaktischen Ausscheidungen verschiedener Phasen in der 6H Matrix。这两种情况都不是我们所能理解的。