Modifizierung von SiC-Schichten mittels ionenstrahlstimulierter Rekristallisation und Phasenbildung

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Die Ionenimplantation ist ein wichtiger Prozeßschritt zur Dotierung und Kontaktierung von SiC-Halbleiterbereichen. Zur Erzeugung niederohmiger, halbleitender oder metallischer Schichten sind Implantationen mit relativ hohen Dosen von Dotieratomen notwendig, die zu Phasenumwandlungen in den SiC-Schichten führen können. Zwei verschiedene Implantationsprozesse werden hinsichtlich ihrer Wirkungen auf die Struktur und die elektrischen Eigenschaften der SiC-Schichten untersucht. Mittels Implantation bei moderaten Temperaturen werden voramorphisierte 6H-SiC-Schichten in dotiertes, nanokristallines 3C-SiC umgewandelt (ionenstrahlinduzierte Rekristallisation, IBIC). Dagegen führt die Implantation in einkristalline Schichten oberhalb einer kritischen Konzentration und Temperatur zur Bildung von epitaktischen Ausscheidungen verschiedener Phasen in der 6HMatrix. Die Phasenumwandlungen und ihr Einfluß auf die elektrischen Eigenschaften der SiC-Schichten werden untersucht.