SBIR Phase I: Bandgap-Uniform Semiconducting Carbon Nanotubes for Thin Film Transistors
SBIR 第一阶段:用于薄膜晶体管的带隙均匀半导体碳纳米管
基本信息
- 批准号:1143249
- 负责人:
- 金额:$ 14.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:2012
- 资助国家:美国
- 起止时间:2012-01-01 至 2012-06-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This Small Business Innovation Research (SBIR) Phase I project aims to develop a diameter refined semiconducting single walled carbon nanotubes (SWCNTs) to address the challenge of bandgap heterogeneity in semiconducting SWNTs. The plan is to utilize the latest advances in SWNT separation including Density Gradient Ultracentrifugation (DGU), preferential chemistry, and chromatographic techniques to reach the desired outcome of uniform bandgap, semiconducting SWNTs. The high degree of uniformity of this refined material will provide superior device performance (threshold voltage uniformity, sub-threshold swing, on/off ratio) in Thin Film Transistors (TFTs) for the next generation of displays based on Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs). The broader/commercial impact of this project will be the potential to provide high mobility, solution processable semiconductors to enable low-cost, large-scale OLED production. Currently, the display industry is attempting to develop economical, large-area displays based on OLED devices. Unlike current liquid crystal displays (LCDs), OLEDs are current-driven devices and require semiconductor mobilities that are well above the performance threshold of the amorphous silicon TFTs currently used in LCDs. In addition, the display industry is planning to shift from expensive vacuum processes (sputtering, chemical vapor deposition) toward solution processes (spin-coating, printing) which also have the potential for continuous, high-volume manufacturing. Diameter refined semiconducting carbon nanotubes are not only solution processable, but also have the potential to overcome mobility limitations that other material classes such as organic semiconductors and amorphous oxides have.
这个小企业创新研究(SBIR)第一阶段项目旨在开发直径细化的半导体单壁碳纳米管(SWCNT),以解决半导体SWCNT中带隙异质性的挑战。该计划是利用单壁碳纳米管分离的最新进展,包括密度梯度超离心(DGU),优先化学和色谱技术,以达到均匀带隙,半导体单壁碳纳米管的预期结果。 这种精制材料的高度均匀性将为基于有机发光二极管(OLED)的下一代显示器的薄膜晶体管(TFT)提供上级器件性能(阈值电压均匀性、亚阈值摆幅、开/关比)。 该项目的更广泛/商业影响将是提供高迁移率、溶液可加工半导体的潜力,以实现低成本、大规模OLED生产。目前,显示器工业正在尝试开发基于OLED器件的经济的大面积显示器。与目前的液晶显示器(LCD)不同,OLED是电流驱动的器件,并且需要远高于目前在LCD中使用的非晶硅TFT的性能阈值的半导体迁移率。 此外,显示器行业正计划从昂贵的真空工艺(溅射、化学气相沉积)转向溶液工艺(旋涂、印刷),这些工艺也具有连续、大批量制造的潜力。 直径细化的半导体碳纳米管不仅是可溶液加工的,而且还具有克服其他材料类别如有机半导体和无定形氧化物所具有的迁移率限制的潜力。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Nathan Yoder其他文献
Matching With Complementary Contracts
与补充合同相匹配
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:6.1
- 作者:
M. Rostek;Nathan Yoder - 通讯作者:
Nathan Yoder
Complementarity in Matching, Games, and Exchange Economies
匹配、游戏和交换经济中的互补性
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
M. Rostek;Nathan Yoder - 通讯作者:
Nathan Yoder
Explaining Models
解释模型
- DOI:
10.2139/ssrn.4723587 - 发表时间:
2024 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kai Hao Yang;Nathan Yoder;Alexander K. Zentefis - 通讯作者:
Alexander K. Zentefis
Nathan Yoder的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Nathan Yoder', 18)}}的其他基金
SBIR Phase IB: Large-Scale Production of Monodisperse Single-Walled Carbon Nanotubes
SBIR IB期:单分散单壁碳纳米管的大规模生产
- 批准号:
1003751 - 财政年份:2010
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Large-Scale Production of Monodisperse Single-Walled Carbon Nanotubes
SBIR第一期:单分散单壁碳纳米管的大规模生产
- 批准号:
0912493 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Large-Scale Production of Monodisperse Single-Walled Carbon Nanotubes
SBIR第一期:单分散单壁碳纳米管的大规模生产
- 批准号:
0810725 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
相似国自然基金
Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark
Supercooled Phase Transition
- 批准号:24ZR1429700
- 批准年份:2024
- 资助金额:0.0 万元
- 项目类别:省市级项目
ATLAS实验探测器Phase 2升级
- 批准号:11961141014
- 批准年份:2019
- 资助金额:3350 万元
- 项目类别:国际(地区)合作与交流项目
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
- 批准号:41802035
- 批准年份:2018
- 资助金额:12.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究
- 批准号:61675216
- 批准年份:2016
- 资助金额:60.0 万元
- 项目类别:面上项目
基于Phase-type分布的多状态系统可靠性模型研究
- 批准号:71501183
- 批准年份:2015
- 资助金额:17.4 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
纳米(I-Phase+α-Mg)准共晶的临界半固态形成条件及生长机制
- 批准号:51201142
- 批准年份:2012
- 资助金额:25.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
连续Phase-Type分布数据拟合方法及其应用研究
- 批准号:11101428
- 批准年份:2011
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
D-Phase准晶体的电子行为各向异性的研究
- 批准号:19374069
- 批准年份:1993
- 资助金额:6.4 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
SBIR Phase I: A compact, 3-level, high efficiency, 4-port, modular universal power conversion system with Internet of Things (IOT) using Wide Bandgap (WBG) devices
SBIR 第一阶段:采用宽带隙 (WBG) 器件的紧凑型、三电平、高效率、4 端口、模块化通用电源转换系统,具有物联网 (IOT) 功能
- 批准号:
2153880 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Sonic Lift-Off (SLO) for Lower Cost Wide Bandgap Devices
SBIR 第一阶段:用于低成本宽带隙器件的声波剥离 (SLO)
- 批准号:
2233368 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase II: Wide Bandgap Semiconductor Betavoltaic Powered Sensor Controller
SBIR 第二阶段:宽带隙半导体贝塔伏特供电传感器控制器
- 批准号:
1853115 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Wide Bandgap Semiconductor Betavoltaic Powered Sensor Controller
SBIR 第一阶段:宽带隙半导体贝塔伏特供电传感器控制器
- 批准号:
1746236 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Wide Bandgap Technology for Solar String Inverters
SBIR 第一阶段:太阳能串式逆变器的宽带隙技术
- 批准号:
1721892 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase II: Fabrication of Low-bandgap Nano-crystalline SiGeC Thin Films Using the Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) Technique
SBIR 第二阶段:使用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术制造低带隙纳米晶 SiGeC 薄膜
- 批准号:
0925131 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: Fabrication of low-bandgap nano-crystalline SiGeC thin films using the Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique
SBIR 第一阶段:使用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术制造低带隙纳米晶 SiGeC 薄膜
- 批准号:
0740359 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase II: A Novel Microwave Technique for Rapid Thermal Processing of Silicon Carbide Wide Bandgap Semiconductor
SBIR 第二阶段:一种用于碳化硅宽带隙半导体快速热处理的新型微波技术
- 批准号:
0646184 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: A Novel Microwave Technique for Rapid Thermal Processing of Silicon Carbide Wide Bandgap Semiconductor
SBIR 第一阶段:碳化硅宽带隙半导体快速热处理的新型微波技术
- 批准号:
0539321 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant
SBIR Phase I: High Efficiency, Wide-Bandgap Photocathodes for Solar-Blind UV Photon Counting and Imaging
SBIR 第一阶段:用于日盲紫外光子计数和成像的高效宽带隙光电阴极
- 批准号:
0539593 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 14.66万 - 项目类别:
Standard Grant