Oxidische topologische Isolator-Dünnfilme - Darstellung und elektronische Eigenschaften

krzlich theory - vorhergesagte oxidische verindungen mit topologischen Isolator-Eigenschaften sollen - epitaktische d<s:1> nne Filme dargestellt and bezglich der elektronischen Eigenschaften untersucht werden。拓扑隔离在Volumen - eine - groe energy - band - lcke中的应用。最佳材料zeigen jedoch metallartige Oberflächenzustände hoher Leitfähigkeit， zum Beispiel binäre和ternäre Quecksilber-， Bismut-和antion - verbindungen。“topologch besch<e:1> tzten”Zustände eine fixierte Spinausrichtung besitzen, ergeben sich neue Anwendungsmöglichkeiten in der spinbasierten Elektronik。Gemäß aktuellen Vorhersagen s8 - 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 1 - 2 - 1 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 1 - 2 - 3。Andere 4d- und 5d- verindungen - o, Re, Ru, oder Rh - starker Elektronenkorrelation and Spin-Bahn-Kopplung kommen in Betracht。研究了4d-和5d-氧化物晶体脉冲激光沉积技术。本征schaften和拓扑隔离器solsolmitels temperaturabhängigen Leitfähigkeitsmessungen和winkelaufgelöster光致发光。德国电影协会：können德国电影协会：德国电影协会：zusätzlich德国电影协会：德国电影协会：德国电影协会：

Kürzlich theoretisch vorhergesagte oxidische Verbindungen mit topologischen Isolator-Eigenschaften sollen als epitaktische dünne Filme dargestellt und bezüglich der elektronischen Eigenschaften untersucht werden. Topologische Isolatoren haben im Volumen eine große Energiebandlücke. Bestimmte Materialien zeigen jedoch metallartige Oberflächenzustände hoher Leitfähigkeit, zum Beispiel binäre und ternäre Quecksilber-, Bismut- und Antimon-Verbindungen. Da diese „topologisch beschützten“ Zustände eine fixierte Spinausrichtung besitzen, ergeben sich ganz neue Anwendungsmöglichkeiten in der spinbasierten Elektronik. Gemäß aktuellen Vorhersagen sind nicht nur diese sauerstofffreien Verbindungsklassen topologische Isolatoren, sondern auch Oxide mit hexagonalen Atomanordnungen ähnlich der Korundstruktur, wie Na2IrO3. Andere 4d- und 5d- Verbindungen mit Os, Re, Ru, oder Rh mit starker Elektronenkorrelation und Spin-Bahn-Kopplung kommen ebenfalls in Betracht. Diese 4d- und 5d-Oxide werden hier mittels Pulsed Laser Deposition als flexible Nichtgleichgewichts-Züchtungsmethode dargestellt. Der Nachweis der Eigenschaften als topologischer Isolator soll mittels temperaturabhängigen Leitfähigkeitsmessungen und winkelaufgelöster Photoemission erfolgen. Bei dünnen Filmen können im Gegensatz zu Einkristallen die Eigenschaften zusätzlich durch gezielte Gitterverspannung beeinflusst werden.