Röntgendiffraktometer mit integriertem Beschichtungssystem

带集成涂层系统的 X 射线衍射仪

基本信息

  • 批准号:
    203223664
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Major Research Instrumentation
  • 财政年份:
    2011
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    2010-12-31 至 无数据
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

Das beantragte Röntgendiffraktometer mit integriertem Beschichtungssystem ist als zentraler Teil der Grundausstattung der neu eingerichteten Fachgruppe Photovoltaik an der Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg vorgesehen und soll zur Untersuchung des Wachstums von dünnen Halbleiter-schichten für Solarzellen genutzt werden. Die Fachgruppe konzentriert sich auf die Erforschung von Solarzellen aus Chalkogenid-Halbleitern und will in einem zukünftigen Schwerpunkt neue Materialien für die Anwendung in Dünnschichtsolarzellen untersuchen. Durch die Anwendung von Röntgenbeugung in-situ während der Abscheidung der Schichten sollen Kristallisationsprozesse und Phasenübergänge detailliert verfolgt und die Wachstumsprozesse umfassend charakterisiert werden. Dies liefert wichtige Informationen über Diffusionsvorgänge innerhalb der Schichten, die Entstehung von kristallinen Defekten sowie die Bildung von Korngrenzen. Da diese Prozesse mit den elektronischen Eigen-schaften der Halbleitermaterialien korrelieren, sind sie auch für die Effizienz der aus den Schichten aufgebauten Solarzellen von erheblicher Bedeutung. Das beantragte Gerät liefert somit einen wesent-lichen Beitrag zum besseren Verständnis der Eigenschaften von Solarzellen aus Chalkogenid-Halbleitern und beantwortet bisher offene Fragen zu deren Wirkungsweise. In der geplanten Konfigu-ration aus einem thermischen Verdampfungssystem und einem Diffraktometer mit zeilenförmigem Detektor stellt es zudem eine neue Möglichkeit der Strukturaufklärung dar, die von Synchrotronstrah-lung unabhängig ist und in dieser Form bisher noch nicht realisiert wurde.
带有集成光学系统的衍射光栅是Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg大学新成立的光伏专业组的核心技术,用于研究韦尔登的半导体发光材料。Fachgruppe konzentriert sich auf die Erforschung von Solarzellen aus Chalkogenid-Halbleitern und will in einem zukünftigen Schwerpunkt neue Materialien für die Anwendung in Dünschichtsolarzellen untersuchen. Densitivie Anwendung von Röntgenbeugung in situ während der Abscheidung der Schichten sollen Kristallisationsprozesse und Phasenübergänge detailliert verfolgt und die Wachstumsprozesse umfassend charakterisiert韦尔登.信息的传播主要集中在Schichten的内部,基督教的发展也是对宗教的教育。Da diese Prozesse mit den elektronischen Eigen-schaften der Halbleitermaterialien correlieren,sind sie auch für die Effizienz der aus den Schichten aufgebauten Solarzellen von erheblicher Bedeutung. Das beantragte Gerät liefert somit einen weesent-lichen Beitrag zum besseren Verständnis der Eigenschaften von Solarzellen aus Chalkogenid-Halbleitern and beantwortet bisher offene Fragen zu deren Wirkungsweise.在由一个热辐射阻尼系统和一个衍射仪与一个具有Zeilenförmigem Detektor stelt的新结构的配置中,同步辐射的辐射源是不可吸收的,并且以这种形式存在,还没有实现。

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Monitoring the Phase Formation of Coevaporated Lead Halide Perovskite Thin Films by in Situ X-ray Diffraction.
  • DOI:
    10.1021/jz5017312
  • 发表时间:
    2014-09
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    P. Pistor;J. Borchert;W. Fränzel;R. Csuk;R. Scheer
  • 通讯作者:
    P. Pistor;J. Borchert;W. Fränzel;R. Csuk;R. Scheer
Structural investigation of co-evaporated methyl ammonium lead halide perovskite films during growth and thermal decomposition using different PbX2 (X = I, Cl) precursors
  • DOI:
    10.1039/c5ta04944j
  • 发表时间:
    2015-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    11.9
  • 作者:
    Borchert, Juliane;Boht, Heidi;Pistor, Paul
  • 通讯作者:
    Pistor, Paul
Real time observation of phase formations by XRD during Ga‐rich or In‐rich Cu(In, Ga)Se2 growth by co‐evaporation
通过 XRD 实时观察 Gaârich 或 Inârich Cu(In, Ga)Se2 共蒸发生长过程中的相形成
  • DOI:
    10.1002/pssa.201431949
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    P. Pistor;S. Zahedi-Azad;S. Hartnauer;L.A. Wägele;E. Jarzembowski;R. Scheer
  • 通讯作者:
    R. Scheer
Research Update: Stable single-phase Zn-rich Cu2ZnSnSe4 through In doping
  • DOI:
    10.1063/1.4953435
  • 发表时间:
    2016-07
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.1
  • 作者:
    S. Hartnauer;S. Körbel;M. Marques;S. Botti;P. Pistor;R. Scheer
  • 通讯作者:
    S. Hartnauer;S. Körbel;M. Marques;S. Botti;P. Pistor;R. Scheer
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