Erzeugung elektrisch effektiver Heteroübergänge im Schichtsystem (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se) durch Koverdampfung

Gegenwärtig wind der in Cu(InGa)Se2-basierenden solarzellenendige p/nÜbergang durch das Aufbringen einer cd - pufferschicht realisiet。zunmenmene （zunmenmene）和zunmenmene （ZnS）、ZnSe （ZnSe）和ZnInxSey （ZnInxSey）。Damit konnten bereits Effizienzen bis zu 18% [1-6], bei Verwendung von ZnSe- bzw。ZnInxSey-Pufferschichten 11.6%[7]， 12%和15% [8,9];ZnInxSey-Pufferschichten 13%, 15.7% [7]；[3] [1] [2] [1] [2] [2] [2] [2] [4] [1] [4] [4]引用本文：Das fbringen der polycrystalline inen Cu(InGa)Se2-Absorberschicht erfolt zuvor in einem 3-Stufenprozeß durchoverdampfung[12-16]。Über等，多晶多晶异晶体系在einem einzigen Prozess aufzubringen中的应用。Dass等多晶二相异质结构（polycrystalline doppelheterostructuren mit Effizienzen zwischen 11%和14%），haben Ohtake等[8,17]。Über einkristalline doppelheterostructuren, d.h, epitaktisches Wachstum vom absorption and ZnS-Puffer, ist bisher nicht bericet worden。(1)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-复相异质结构的制备方法。研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展：研究进展Die Verfolgung der Schichtbildung wind in-situ durch Integration eines optischen Meßsystems ermöglicht。Die I/U-Charakteristik soll Die Wirksamkeit des p/n-Übergangs zwischen吸收器和ZnS-Puffer pre<e:1>。Die Untersuchungen dienen <e:1> berdies dem tieferen Verständnis der Gitterangleichung und der interdiffusion prozzse and den inneren Grenzflächen GaAs/Cu(InGa)Se2 and Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Pufferschicht。

Gegenwärtig wird der in Cu(InGa)Se2-basierenden Solarzellen notwendige p/nÜbergang durch das Aufbringen einer CdS-Pufferschicht realisiert. Zunehmend wird aber versucht, das CdS z.B. durch polykristallines ZnS oder ZnSe sowie ZnInxSey zu ersetzen. Damit konnten bereits Effizienzen bis zu 18 % [1-6], bei Verwendung von ZnSe- bzw. ZnInxSey-Pufferschichten 11.6% [7], 12% und 15% [8,9] sowie 13% bis 15.7% [6] erreicht werden. Zur Abscheidung der Pufferschicht werden die Koverdampfung, CVD [10] aber auch CBD und MOVPD [11] eingesetzt. Das Aufbringen der polykristallinen Cu(InGa)Se2-Absorberschicht erfolgt zuvor in einem 3-Stufenprozeß durch Koverdampfung [12-16]. Über Versuche, das gesamte polykristalline Doppelheteroschichtsystem in einem einzigen Prozess aufzubringen, wird kaum berichtet. Dass auch so polykristalline Doppelheterostrukturen mit Effizienzen zwischen 11% und 14% herstellbar sind, haben Ohtake et al. [8,17] gezeigt. Über einkristalline Doppelheterostrukturen, d.h., epitaktisches Wachstum vom Absorber und ZnS-Puffer, ist bisher nicht berichtet worden. Unser Ziel soll deshalb die Herstellung eines effektiven p/nÜbergangs in einkristallinen (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Doppelheterostrukturen sein. Der Aufbau einer Koverdampfungsapparatur und die Schichtcharakterisierung sollen unter dem Aspekt der Realisierung von strukturell und chemisch scharfen Heteroübergängen durchgeführt werden. Die Verfolgung der Schichtbildung wird in-situ durch Integration eines optischen Meßsystems ermöglicht. Die I/U-Charakteristik soll die Wirksamkeit des p/n-Übergangs zwischen Absorber und ZnS-Puffer prüfen. Die Untersuchungen dienen überdies dem tieferen Verständnis der Gitterangleichung und der Interdiffusionsprozesse an den inneren Grenzflächen GaAs/Cu(InGa)Se2 und Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Pufferschicht.