Erzeugung elektrisch effektiver Heteroübergänge im Schichtsystem (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se) durch Koverdampfung

通过共蒸发在 (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se) 层系统中生成电效异质结

• 批准号: 24572085
• 负责人: Privatdozent Dr. Gerald Wagner
• 金额: --
• 依托单位: Fakultät für Chemie und Mineralogie
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2005-12-31 至 2009-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/24572085?language=en
• 关键词: Erzeugung; elektrisch; effektiver; Hetero; berg

Gegenwärtig wird der in Cu(InGa)Se2-basierenden Solarzellen notwendige p/nÜbergang durch das Aufbringen einer CdS-Pufferschicht realisiert. Zunehmend wird aber versucht, das CdS z.B. durch polykristallines ZnS oder ZnSe sowie ZnInxSey zu ersetzen. Damit konnten bereits Effizienzen bis zu 18 % [1-6], bei Verwendung von ZnSe- bzw. ZnInxSey-Pufferschichten 11.6% [7], 12% und 15% [8,9] sowie 13% bis 15.7% [6] erreicht werden. Zur Abscheidung der Pufferschicht werden die Koverdampfung, CVD [10] aber auch CBD und MOVPD [11] eingesetzt. Das Aufbringen der polykristallinen Cu(InGa)Se2-Absorberschicht erfolgt zuvor in einem 3-Stufenprozeß durch Koverdampfung [12-16]. Über Versuche, das gesamte polykristalline Doppelheteroschichtsystem in einem einzigen Prozess aufzubringen, wird kaum berichtet. Dass auch so polykristalline Doppelheterostrukturen mit Effizienzen zwischen 11% und 14% herstellbar sind, haben Ohtake et al. [8,17] gezeigt. Über einkristalline Doppelheterostrukturen, d.h., epitaktisches Wachstum vom Absorber und ZnS-Puffer, ist bisher nicht berichtet worden. Unser Ziel soll deshalb die Herstellung eines effektiven p/nÜbergangs in einkristallinen (001)GaAs/Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Doppelheterostrukturen sein. Der Aufbau einer Koverdampfungsapparatur und die Schichtcharakterisierung sollen unter dem Aspekt der Realisierung von strukturell und chemisch scharfen Heteroübergängen durchgeführt werden. Die Verfolgung der Schichtbildung wird in-situ durch Integration eines optischen Meßsystems ermöglicht. Die I/U-Charakteristik soll die Wirksamkeit des p/n-Übergangs zwischen Absorber und ZnS-Puffer prüfen. Die Untersuchungen dienen überdies dem tieferen Verständnis der Gitterangleichung und der Interdiffusionsprozesse an den inneren Grenzflächen GaAs/Cu(InGa)Se2 und Cu(InGa)Se2/ZnS(Se)-Pufferschicht.

Zunehmend Wild Wire Aber Versucht，Das CDS Z.B. Durch polykristallines Zns Oder Znse Sowie Zninxsey Zu ersetzen。 Damit Bereits Effizienzen bis Zu 18％[1-6]，Bei Verwendung von Znse-bzw. Zninxsey-Pufferschichten 11.6％[7]，12％UND 15％[8,9] Sowie 13％BIS 15.7％[6] Erreicht Werden。 Zur Abscheidung der Pufferschicht Werden Die Koverdampfung，CVD [10] Aber auch cbd und movpd [11] eingestzt。 das aufbringen der polykristalline cu（inga）se2-absorberschicht erfolgt zuvor einem 3-Stufenprozeßdurchkoverdampfung [12-16]。 Einem Einzigen Prozess aufzubringen，野生Kaum Berichtet中的Doppelheteroschichtsysty。 dass auch so polykristalline doppelheterostrukturen mit effizienzen zwischen 11％und 14％herstellbar sind，Haben Ohtake等。 [8,17] Gezeigt。 übereinkristalline doppelheterostrukturen，D.H. Enkristallinen（001）gaas/cu（inga）se2/zns（SE） - doppelheterheterostrukturen sein中的unser ziel soll deShalb die herstellung eines efektived p/nübergangs。 der aufbau einer koverdampfungs und die schichtcharakterisierung solren unter dem aspekt de der realisierung von strukturell und chemisch scharfenheteroübergängengengengegeführtwerden。 Die verfolgung der Schichtbildung野生野生地点集成Eines optischenMeßsystemsDie I/U-Charakteristik Soll Die Wirksamkeit des p/n-übergangsZwischen Zwischen吸收剂UND ZNS-PUFFERPRüfen。 Die Untersuchungen Die Liberdies Dem teaferenctverständnisder gitterangleichunger und interdiffusions prozesse prozesse内部内部grenzflächengaas/cu（inga）se2 und cu（inga）se2/zns se2/zns（se）