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Elektronenstrahl-Lithographiesystem

Elektronenstrahl-Lithographiesystem
电子束光刻系统
批准号:
268391591
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2015
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2014-12-31 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在此基础上,提出了一种新的中性粒细胞移植方法。我们所有的工程都是以纳米材料为基础的,纳米结构的特性也是如此。Hochhyne纳米光刻技术,德国赫兹斯特鲁克电子光刻系统二层结构,这是Gruppe集团的传奇。请不要使用光刻系统从2000年1月开始,从14个月开始,从14个月到14个月,所有的过敏症都会发生。这是一个很大的问题,因为它是一种很好的计算机系统,它是一种计算机系统。所有的一切都是这样的,这是一件很重要的事情,因为这是一件很重要的事情。在平版印刷机上,你可以看到一顶很小的帽子,你可以在这一系统中找到合适的技术。在我和他的朋友们之间,我们的关系将会变得更加美好。Das Neue system würde aufgebaut um das Bisherige zu ersetzen and würde uns auch für das kommende Jahrzehnt graatten an der Spitze des Gebietters der Getterie von Nanostrukturboauteilen zu stehenie von Nanostrukturboauteilen zu stehen.
英文摘要
Die gesamten Anstrengungen des Forschungslehrstuhles EP3 sind auf die Erforschung der elektronischen Eigenschaften von neuartigen Transportmaterialien und Bauteilen ausgerichtet. Nahezu alle Projekte des Lehrstuhles beinhalten das Wachstum eines Materials, dessen Nanostrukturierung sowie die Charakterisierung der Nanostruktur. Hochmoderne Nanolithographie, deren Herzstück ein Elektronenstrahllithograhiesystem bildet, ist daher für nahezu alle Aktivitäten der Gruppe grundlegend. Unser bestehendes Lithographiesystem hat seit der Inbetriebnahme im Jahr 2000 gute Dienste geleistet, allerdings nähert sich nach 14 Betriebsjahren das Ende der erwarteten Lebensdauer und eine baldige Zunahme von Betriebsstörungen ist zu befürchten. Zu dieser Befürchtung kommt die Tatsache hinzu, dass schon jetzt viele Komponenten nicht mehr verfügbar sind und das System nicht mit aktuellen Computer Betriebssystemen kompatibel ist. Dies bedeutet, dass sich Systemschäden nicht mehr durch einfache Reparaturen beheben lassen, sondern leicht sehr teuer oder aus Kompatibilitätsgründen sogar unmöglich werden können. Hinzu kommt, dass sich der Stand der Technik in der Lithographie im vergangenen Jahrzehnt derart weiterentwickelt hat, dass sich unser System nicht mehr auf dem neuestem Stand der Technik befindet. Dies betrifft neben weiteren Aspekten vor allem Schreibgeschwindigkeit, Durchsatz, Auflösung bei der Bildgebung, sowie Kontrolle des Belichtungspfades bei der Erzeugung von komplexen Formen. Das neue System würde aufgebaut um das Bisherige zu ersetzen und würde uns auch für das kommende Jahrzehnt gestatten an der Spitze des Gebietes der Lithographie von Nanostrukturbauteilen zu stehen.
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
NV-center diamond cantilevers
NV中心金刚石悬臂梁
DOI: 10.1016/j.mee.2016.02.063
发表时间: 2016
期刊: Microelectronic Engineering
影响因子: 2.3
作者: [J. Kleinlein, T. Borzenko, F. Münzhuber, J. Brehm, T. Kiessling, L.W. Molenkamp]
通讯作者: L.W. Molenkamp
DOI: 10.1088/0031-8949/2015/t164/014002
发表时间: 2015-08
期刊: Physica Scripta
影响因子: 2.9
作者: [L. Maier;E. Bocquillon;M. Grimm;J. Oostinga;C. Ames;C. Gould;C. Brüne;H. Buhmann;L. Molenkamp]
通讯作者: L. Maier;E. Bocquillon;M. Grimm;J. Oostinga;C. Ames;C. Gould;C. Brüne;H. Buhmann;L. Molenkamp
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SiO2 上石墨烯量子点的库仑阻塞峰间距统计
DOI: 10.1063/1.4965303
发表时间: 2016
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [O. Herrmann, C. Gould, L. W. Molenkamp]
通讯作者: L. W. Molenkamp
DOI: 10.1103/physrevb.96.195104
发表时间: 2017-11-01
期刊: PHYSICAL REVIEW B
影响因子: 3.7
作者: [Inhofer, A., Tchoumakov, S., Molenkamp, L. W.]
通讯作者: Molenkamp, L. W.
共 6 条
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