Elektronenstrahl-Lithographiesystem

电子束光刻系统

• 批准号: 268391591
• 金额: --
• 依托单位: Julius-Maximilians-Universität Würzburg
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Major Research Instrumentation
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2014-12-31 至 无数据
• 项目状态: 未结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/268391591?language=en
• 关键词: Elektronenstrahl; Lithographiesystem

Die gesamten Anstrengungen des Forschungslehrstuhles EP3 sind auf die Erforschung der elektronischen Eigenschaften von neuartigen Transportmaterialien und Bauteilen ausgerichtet. Nahezu alle Projekte des Lehrstuhles beinhalten das Wachstum eines Materials, dessen Nanostrukturierung sowie die Charakterisierung der Nanostruktur. Hochmoderne Nanolithographie, deren Herzstück ein Elektronenstrahllithograhiesystem bildet, ist daher für nahezu alle Aktivitäten der Gruppe grundlegend. Unser bestehendes Lithographiesystem hat seit der Inbetriebnahme im Jahr 2000 gute Dienste geleistet, allerdings nähert sich nach 14 Betriebsjahren das Ende der erwarteten Lebensdauer und eine baldige Zunahme von Betriebsstörungen ist zu befürchten. Zu dieser Befürchtung kommt die Tatsache hinzu, dass schon jetzt viele Komponenten nicht mehr verfügbar sind und das System nicht mit aktuellen Computer Betriebssystemen kompatibel ist. Dies bedeutet, dass sich Systemschäden nicht mehr durch einfache Reparaturen beheben lassen, sondern leicht sehr teuer oder aus Kompatibilitätsgründen sogar unmöglich werden können. Hinzu kommt, dass sich der Stand der Technik in der Lithographie im vergangenen Jahrzehnt derart weiterentwickelt hat, dass sich unser System nicht mehr auf dem neuestem Stand der Technik befindet. Dies betrifft neben weiteren Aspekten vor allem Schreibgeschwindigkeit, Durchsatz, Auflösung bei der Bildgebung, sowie Kontrolle des Belichtungspfades bei der Erzeugung von komplexen Formen. Das neue System würde aufgebaut um das Bisherige zu ersetzen und würde uns auch für das kommende Jahrzehnt gestatten an der Spitze des Gebietes der Lithographie von Nanostrukturbauteilen zu stehen.

EP3研究成果的总体分析是对中性运输材料和零部件的电子特性的研究。所有的工程项目都将纳米结构的特性引入到一种材料中。Hochmoderne Nanolithographie，deren Herzstück ein Elektronenstrahlithograhiesbildet，ist daher für nahezu alle Aktivitäten der Gruppe grundlegend.在2000年最好的光刻技术出现之后，在14个Betriebsjahren之后，生命周期结束，Betriebsstörungen上的一个秃头Zunahme开始出现。Zu dieser befürchtung kommt die Tatsache hinzu，dass schon jetzt viele Komponenten nicht梅尔verfügbar sind and das System nicht mit aktuellen Computer Betriebssystemen kompatibel ist.因此，这种系统并不需要通过一次修理就能得到梅尔的改进，而是需要更大的改进，或者从韦尔登中获得更大的改进。众所周知，近年来，光刻技术的发展水平一直很低，因此，我们的系统在新的技术水平上并没有找到梅尔的优势。这些都是在建筑物周围的所有建筑物上进行的，因此，在复杂的结构上控制了建筑物的变形。新的系统将建立在对纳米结构涡轮机的光刻技术的基础上，并将为我们提供更好的服务。

项目成果

NV-center diamond cantilevers

NV中心金刚石悬臂梁

• DOI: 10.1016/j.mee.2016.02.063
• 发表时间: 2016
• 期刊: Microelectronic Engineering
• 影响因子: 2.3
• 作者: J. Kleinlein;T. Borzenko;F. Münzhuber;J. Brehm;T. Kiessling;L.W. Molenkamp
• 通讯作者: L.W. Molenkamp

Phase-sensitive SQUIDs based on the 3D topological insulator HgTe

• DOI: 10.1088/0031-8949/2015/t164/014002
• 发表时间: 2015-08
• 期刊: Physica Scripta
• 影响因子: 2.9
• 作者: L. Maier;E. Bocquillon;M. Grimm;J. Oostinga;C. Ames;C. Gould;C. Brüne;H. Buhmann;L. Molenkamp

Coulomb-blockade peak spacing statistics of graphene quantum dots on SiO2

SiO2 上石墨烯量子点的库仑阻塞峰间距统计

• DOI: 10.1063/1.4965303
• 发表时间: 2016
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: O. Herrmann;C. Gould;L. W. Molenkamp
• 通讯作者: L. W. Molenkamp

Observation of Volkov-Pankratov states in topological HgTe heterojunctions using high-frequency compressibility

• DOI: 10.1103/physrevb.96.195104
• 发表时间: 2017-11-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Inhofer, A.;Tchoumakov, S.;Molenkamp, L. W.
• 通讯作者: Molenkamp, L. W.

Josephson Radiation from Gapless Andreev Bound States in HgTe-Based Topological Junctions

• DOI: 10.1103/physrevx.7.021011
• 发表时间: 2017-04-20
• 期刊: PHYSICAL REVIEW X
• 影响因子: 12.5
• 作者: Deacon, R. S.;Wiedenmann, J.;Molenkamp, L. W.
• 通讯作者: Molenkamp, L. W.