LSPRデバイスへの応用を目指したアルミナノホール形成技術の開発

本年度の研究目的は、アッシング後のSU8表面に残留する微粒子を除去し、Ni-Wメッキを行ってNi-W金型を開発するとともに蒸着Al薄膜の物性値を評価することである。しかしながら、SU8表面に残留する微粒子がフッ素ガスで揮発できるアンチモンではなく、アルミニウムであったことから，フッ素ガスでは揮発できず、SU8表面に微粒子の除去の目処が立っていない。一方，粉末状態では加水分解を起こさず、MIBKに溶解して使用する粉末水素シルセスキオキサン（Hydrogen silsesquioxane : HSQ）の存在を知り、実験に用いたところ、低湿度下であれば3ヶ月程度安定した状態で電子線描画を実施できた。また、熱可塑性樹脂に対して繰り返し熱ナノインプリントを実施できた。ただし、ドットパターンでは近接効果の影響を受けやすく、200nm周期のドットパターンでは、ドット間にHSQの残渣が生じドットパターンが繋がりやすかった。CADデータの工夫やドーズ量を調整することで、HSQの残渣を抑制することはできたが、完全に抑えるには至っていない。

本年度の研究目的は、アッシング後のSU8表面に残留する微粒子を除去し、Ni-Wメッキを行ってNi-W金型を開発するとともに蒸着Al薄膜の物性値を評価することである。しかしながら、SU8表面に残留する微粒子がフッ素ガスで揮発できるアンチモンではなく、アルミニウムであったことから，フッ素ガスでは揮発できず、SU8表面に微粒子の除去の目処が立っていない。一方，粉末状態では加水分解を起こさず、MIBKに溶解して使用する粉末水素シルセスキオキサン（Hydrogen silsesquioxane : HSQ）の存在を知り、実験に用いたところ、低湿度下であれば3ヶ月程度安定した状態で電子線描画を実施できた。また、熱可塑性樹脂に対して繰り返し熱ナノインプリントを実施できた。ただし、ドットパターンでは近接効果の影響を受けやすく、200nm周期のドットパターンでは、ドット間にHSQの残渣が生じドットパターンが繋がりやすかった。CADデータの工夫やドーズ量を調整することで、HSQの残渣を抑制することはできたが、完全に抑えるには至っていない。