LSPRデバイスへの応用を目指したアルミナノホール形成技術の開発
开发应用于局域表面等离子体共振装置的铝纳米孔形成技术
基本信息
- 批准号:21K03815
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度の研究目的は、アッシング後のSU8表面に残留する微粒子を除去し、Ni-Wメッキを行ってNi-W金型を開発するとともに蒸着Al薄膜の物性値を評価することである。しかしながら、SU8表面に残留する微粒子がフッ素ガスで揮発できるアンチモンではなく、アルミニウムであったことから,フッ素ガスでは揮発できず、SU8表面に微粒子の除去の目処が立っていない。一方,粉末状態では加水分解を起こさず、MIBKに溶解して使用する粉末水素シルセスキオキサン(Hydrogen silsesquioxane : HSQ)の存在を知り、実験に用いたところ、低湿度下であれば3ヶ月程度安定した状態で電子線描画を実施できた。また、熱可塑性樹脂に対して繰り返し熱ナノインプリントを実施できた。ただし、ドットパターンでは近接効果の影響を受けやすく、200nm周期のドットパターンでは、ドット間にHSQの残渣が生じドットパターンが繋がりやすかった。CADデータの工夫やドーズ量を調整することで、HSQの残渣を抑制することはできたが、完全に抑えるには至っていない。
は の research purpose, this year ア ッ シ ン グ after の に SU8 surface residual す る を remove し particles, the Ni - W メ ッ キ を line っ て Ni - W type gold を open 発 す る と と も に steaming on the Al film の property numerical を review 価 す る こ と で あ る. し か し な が ら, SU8 surface residual す に る particles が フ ッ element ガ ス で swing 発 で き る ア ン チ モ ン で は な く, ア ル ミ ニ ウ ム で あ っ た こ と か ら, フ ッ element ガ ス で は swing 発 で き ず, SU8 surface に の to remove particles の mesh 処 が made っ て い な い. One party, the state of powder で は hydrolytic decomposition を up こ さ ず, MIBK に dissolved し て use す る powder water element シ ル セ ス キ オ キ サ ン (Hydrogen silsesquioxane: HSQ) の を り, be 験 に with い た と こ ろ, low humidity で あ れ ば ヶ 3 months degree stability し た state で electronic line painted を be applied で き た. Youdaoplaceholder0, thermoplastic resin に against <s:1> て, て, トを, トを, トを, で, た, た, た, で, た, た, た, た, た, た, た, た. た だ し, ド ッ ト パ タ ー ン で は nearly meet working fruit の を by け や す く, 200 nm cycle の ド ッ ト パ タ ー ン で は, ド ッ ト between に HSQ の residue が raw じ ド ッ ト パ タ ー ン が 繋 が り や す か っ た. CAD デ ー タ の time や ド ー を ズ quantity adjustment す る こ と で, HSQ の residue を inhibit す る こ と は で き た が, completely に え suppression る に は to っ て い な い.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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本間 正充
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Manabu Yasui
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佐々 彰
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