Neuromorphic device with an memristor array using diarylethenes

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メモリスターデバイスでは、金属電極のクロスバー構造が有望視されており、高い集積度のニューラルネットを構成するには金属電極の微細化が必須とともに、電極からのキャリア注入効率や環境耐久性を上げるための電極材質の選択が重要である。これまでジアリールエテンの金属蒸着選択性を用いて、レーザー走査によるMg微細電極が作成可能であったが、低いホール注入性や酸化しやすいなどの問題があった。上記目的にはAgなどの金属で行う必要性があるが、ジアリールエテンでは蒸着選択性のコアとなる現象である表面からの脱離効果がAgでは十分ではなかった。昨年度にフッ素系有機膜表面がAgなどの低固有蒸気圧金属に対して高い脱離効率を示すことが判明したので、今年度はさらにその方向を追求した。フッ素系有機膜でも、単純なパーフルオロアルキル鎖を有する分子より、分子鎖中にエーテル部位を有するパーフルオロポリエーテルのような分子が、様々な金属に対して効率的な脱離を示すことが判明した。これはフレキシブルな分子構造が表面の柔らかさ（活発な分子運動状態）を維持できるからである。さらにAgなどよりも低い固有蒸気圧を示すCr、Ni、Coなどの金属種に対しても脱離性を示したが、このような磁性金属でも適用可能であることは、スピントロニクスデバイスへの応用などこの金属蒸着選択性に新たなデバイス応用の可能性をもたらすであろう。微細シャドウマスクを用いたフッ素系有機膜のパターン形成に基づいて、Ag、Cr、Niに対して１００μｍ以下の微細金属パターンのマスクレス蒸着形成にも成功した。