Verbesserung der Leistungsfähigkeit von gedruckten, elektronischen Bauelementen durch elektrostatische Aufladung
通过静电充电提高印刷电子元件的性能
基本信息
- 批准号:29467576
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2006
- 资助国家:德国
- 起止时间:2005-12-31 至 2011-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Ziel des Vorhabens ist die Herstellung von gedruckten, elektrostatisch geladenen, organischen Feldeffekttransistoren (OFETs). Das Projekt ist dem Gebiet der organischen Elektronik (Polymerelektronik) zuzuordnen. Diese Technologie hat das Potential, elektronische Bauelemente preisgünstig und produktiv herzustellen, da die organischen Materialien aus der Lösung heraus verarbeitet werden können. Im Vergleich zu anorganischen Feldeffekttransistoren haben OFETs jedoch eine Reihe von intrinsischen Nachteilen. Durch die elektrostatische Aufladung können diese Nachteile z. T. kompensiert und neue Funktionalitäten umgesetzt werden. So kann z. B. die Schwellspannung - ein wichtiges Charakteristikum von OFETs - beeinflusst werden. Eine weitere Möglichkeit ist die Nutzung dieser Information (veränderte Schwellspannung) zur Speicherung von Informationen. Die Arbeiten im Projekt zeichnen sich dadurch aus, dass die OFETs durch hochproduktive Druckverfahren hergestellt werden und zusätzlich die Möglichkeit der elektrostatischen Aufladung in den Prozess integriert wird. Das Vorhaben wird in enger Zusammenarbeit mit dem Forschungspartner H. Katz an der Johns Hopkins University (JHU), Baltimore, USA durchgeführt. Diese Kooperation ermöglicht eine übergreifende Entwicklung der benötigten Materialien und des Verarbeitungsprozesses. Ein korrespondierender Forschungsantrag wurde bereits bei der NSF gestellt.
Ziel des Vorhabens is die Herstellung von gedruckten,elektrophich geladenen,organischen Feldeffekttransmistoren(OFFEV).该项目是由有机电子(聚合物)组成的。这种技术具有潜力,电子元件具有优越性和生产力,它将使韦尔登的有机材料变得更加成熟。In Vergleich zu anorganischen Feldeffekttransistoren haben OFWethejedoch eine Reihe von intrinsischen Nachteilen. Despite die elektrostatische Afladung können diese Nachteile z. T. kompensiert und neue Funktionalitäten umgesetzt韦尔登。所以,卡恩·Z。B。这些文字是由韦尔登的影响力所决定的。Eine weitere Möglichkeit ist die Nutzung dieser Information(veränderte Schwellspannung)zur Speicherung von Informationen.在项目中的劳动力可以通过高生产力的印刷来完成,这是一个韦尔登,并在整个过程中使用静电增强技术。我们将和我们的研究伙伴H. Katz an der Johns霍普金斯大学(JHU),巴尔的摩,美国durchgeführt。这种合作是一种优质材料和加工工艺的高效率发展。一份相应的研究报告将由NSF负责。
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Tuning of threshold voltage in organic field-effect transistors with hydrophobic gate dielectric using monoenergetic low-energy electron beams and triode corona
使用单能低能电子束和三极电晕调节具有疏水栅极电介质的有机场效应晶体管的阈值电压
- DOI:10.1063/1.3222854
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:K. D. Deshmukh;K. Reuter;H. Kempa;J. E. West;H. E. Katz
- 通讯作者:H. E. Katz
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- DOI:10.1016/j.orgel.2009.10.004
- 发表时间:2010
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:K. Reuter;H. Kempa;K.D. Deshmukh;H.E. Katz;A.C. Hübler
- 通讯作者:A.C. Hübler
Comparison of fully printed unipolar and complementary organic logic gates
- DOI:10.1016/j.orgel.2012.05.045
- 发表时间:2012-10-01
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Hambsch, M.;Reuter, K.;Huebler, A. C.
- 通讯作者:Huebler, A. C.
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Professor Dr.-Ing. Arved C. Hübler其他文献
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