Theoretical Study on Low-Power Neural Network Devices with High-Error Nonvolatile Memory

高误差非易失性存储器低功耗神经网络器件的理论研究

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Probability Distribution of the Write-Error Rate of Voltage-Controlled Magnetoresistive Random-Access Memories
压控磁阻随机存取存储器写入错误率的概率分布
  • DOI：
    10.1103/physrevapplied.16.064068
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Physical Review Applied
  • 影响因子：
    4.6
  • 作者：
    Arai Hiroko;Hirofuchi Takahiro;Imamura Hiroshi
  • 通讯作者：
    Imamura Hiroshi
Characteristic time of transition from write error to retention error in voltage-controlled magnetoresistive random-access memory
書き込みエラー率分布を考慮した不揮発メインメモリシステムによるビット化け発生数の評価
考虑写入错误率分布的非易失性主存储器系统中位乱码发生次数的评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    荒井礼子;斉藤大貴;佐藤幸紀;広渕崇宏;今村裕志
  • 通讯作者：
    今村裕志
電圧駆動 MRAM における書き込みエラー率の確率分布に関する理論的研究
电压驱动MRAM写入错误率概率分布的理论研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    荒井礼子;広渕崇宏;今村裕志,
  • 通讯作者：
    今村裕志,
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