Theoretical Study on Low-Power Neural Network Devices with High-Error Nonvolatile Memory
Theoretical Study on Low-Power Neural Network Devices with High-Error Nonvolatile Memory
高误差非易失性存储器低功耗神经网络器件的理论研究
批准号：
20K12003
负责人：
ARAI Hiroko
金额：
$1.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Probability Distribution of the Write-Error Rate of Voltage-Controlled Magnetoresistive Random-Access Memories
压控磁阻随机存取存储器写入错误率的概率分布
压控磁阻随机存取存储器写入错误率的概率分布
DOI：
10.1103/physrevapplied.16.064068
发表时间：
2021
期刊：
Physical Review Applied
影响因子：
4.6
作者：
[Arai Hiroko, Hirofuchi Takahiro, Imamura Hiroshi]
通讯作者：
Imamura Hiroshi
DOI：
10.1016/j.jmmm.2023.170624
发表时间：
2023-03
期刊：
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
影响因子：
2.7
作者：
[H. Arai;H. Imamura]
通讯作者：
H. Arai;H. Imamura
書き込みエラー率分布を考慮した不揮発メインメモリシステムによるビット化け発生数の評価
考虑写入错误率分布的非易失性主存储器系统中位乱码发生次数的评估
考虑写入错误率分布的非易失性主存储器系统中位乱码发生次数的评估
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[荒井礼子, 斉藤大貴, 佐藤幸紀, 広渕崇宏, 今村裕志]
通讯作者：
今村裕志
電圧駆動 MRAM における書き込みエラー率の確率分布に関する理論的研究
电压驱动MRAM写入错误率概率分布的理论研究
电压驱动MRAM写入错误率概率分布的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[荒井礼子, 広渕崇宏, 今村裕志,]
通讯作者：
今村裕志,
Theoretical study of photoemission including radiation field screening
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批准号：21750018
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.5万
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财政年份：2009
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负责人：ARAI Hiroko
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依托单位：