Enhancement of Tc of infinite layer NdNiO2 by lattice strain

晶格应变增强无限层 NdNiO2 的 Tc

基本信息

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Sakuma Keita其他文献

Recent results on flux pinning in nanoparticle-doped TFA-MOD REBa2Cu3Oy Coated Conductors
纳米颗粒掺杂 TFA-MOD REBa2Cu3Oy 涂层导体中通量钉扎的最新结果
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Osada Motoki;Wang Bai Yang;Goodge Berit H.;Lee Kyuho;Yoon Hyeok;Sakuma Keita;Li Danfeng;Miura Masashi;Kourkoutis Lena F.;Hwang Harold Y.;Masashi Miura
  • 通讯作者：
    Masashi Miura
Enhancement of the in-field critical current density of trifluoroacetate metal organic deposition derived (Y0.77Gd0.23)Ba2Cu3Oy films by annealing of CeO2 buffered R-Al2O3 substrates
通过对 CeO2 缓冲的 R-Al2O3 基板进行退火，增强三氟乙酸金属有机沉积衍生的 (Y0.77Gd0.23)Ba2Cu3Oy 薄膜的现场临界电流密度
  • DOI：
    10.7567/1347-4065/ab1480
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Sakuma Keita;Sato Michio;Miura Masashi
  • 通讯作者：
    Miura Masashi
Thermodynamic approach for enhancing superconducting critical current performance
增强超导临界电流性能的热力学方法
  • DOI：
    10.1038/s41427-022-00432-1
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    NPG Asia Materials
  • 影响因子：
    9.7
  • 作者：
    Miura Masashi;Tsuchiya Go;Harada Takumu;Sakuma Keita;Kurokawa Hodaka;Sekiya Naoto;Kato Yasuyuki;Yoshida Ryuji;Kato Takeharu;Nakaoka Koichi;Izumi Teruo;Nabeshima Fuyuki;Maeda Atsutaka;Okada Tatsumori;Awaji Satoshi;Civale Leonardo;Maiorov Boris
  • 通讯作者：
    Maiorov Boris
Trifluoroacetate metal organic deposition derived (Y0.77Gd0.23)Ba2Cu3O y films on CeO2 buffered R-plane Al2O3 substrates
CeO2 缓冲 R 平面 Al2O3 基底上的三氟乙酸金属有机沉积衍生 (Y0.77Gd0.23)Ba2Cu3O y 薄膜
  • DOI：
    10.7567/jjap.57.033102
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Sakuma Keita;Sato Michio;Miura Masashi
  • 通讯作者：
    Miura Masashi
ゲストフリーSiGe合金クラスレートの合成
无客体 SiGe 合金包合物的合成
  • DOI：
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Sakuma Keita;Sato Michio;Miura Masashi;山田 邦彦，Himanshu S. Jha， 久米 徹二， 大橋 史隆
  • 通讯作者：
    山田 邦彦，Himanshu S. Jha， 久米 徹二， 大橋 史隆

Sakuma Keita的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
立即体验

相似海外基金

ナノ構造を用いた高自由度歪印加による高性能熱電薄膜の創製
使用纳米结构施加高自由度应变来创建高性能热电薄膜
  • 批准号：
    24K17613
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
薄膜中分子の応力伝達挙動に着目した歪み応答型発光デバイスの創成
创建专注于薄膜中分子的应力传递行为的应变响应发光器件
  • 批准号：
    23K26545
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
構造敏感性をもつ半導体薄膜の歪分布マルチスケール可視化新手法の開発
开发结构敏感半导体薄膜中应变分布多尺度可视化的新方法
  • 批准号：
    23K04599
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Saturation magnetic flux density of Fe16N2 phase in iron nitride thin film
氮化铁薄膜中Fe16N2相的饱和磁通密度
  • 批准号：
    23K13539
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
強誘電超伝導体薄膜の歪制御と超伝導メモリへの応用
铁电超导薄膜的应变控制及其在超导存储器中的应用
  • 批准号：
    22K14607
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Strain-induced magnetization switching for magnetic single crystal thin film grown on freestanding membrane
独立膜上生长的磁性单晶薄膜的应变感应磁化转变
  • 批准号：
    22K18894
  • 财政年份：
    2022
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
反強磁性体薄膜における逆磁歪現象の探索
探索反铁磁薄膜中的逆磁致伸缩现象
  • 批准号：
    20J20952
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
マルチ軸機械歪を印加した超高歪ウルトラ薄膜化ゲルマニウムによる室温電流注入光利得
使用超高应变超薄锗膜并施加多轴机械应变的室温电流注入光学增益
  • 批准号：
    20H02635
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
超小型電気光学デバイスの実現を目指した強誘電体薄膜のストレインエンジニアリング
旨在实现超小型电光器件的铁电薄膜应变工程
  • 批准号：
    19J12654
  • 财政年份：
    2019
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Film structure evolution and magnetic property improvement of Pd alloy film by hydrogen
氢作用下Pd合金薄膜的薄膜结构演变及磁性能改善
  • 批准号：
    18K14137
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 2万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者：{{ showInfoDetail.author }}

知道了