Low-temperature direct bonding of beta-Ga2O3/diamond for advanced power electronics
Low-temperature direct bonding of beta-Ga2O3/diamond for advanced power electronics
用于先进电力电子的 β-Ga2O3/金刚石低温直接键合
批准号：
20K15044
负责人：
Matsumae Takashi
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2022-03-31
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Efficient heat dissipation from β-Ga2O3 film directly bonded on diamond substrate
直接粘合在金刚石基板上的 β-Ga2O3 薄膜可实现高效散热
直接粘合在金刚石基板上的 β-Ga2O3 薄膜可实现高效散热
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Matsumae, Y. Kurashima, H. Takagi, H. Umezawa, H. Watanabe, T. Ito, E. Higurashi]
通讯作者：
E. Higurashi
DOI：
10.1063/5.0026348
发表时间：
2020-11-16
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Fukumoto, Shoya, Matsumae, Takashi, Higurashi, Eiji]
通讯作者：
Higurashi, Eiji
福本将也 ,松前貴司,倉島優一,高木秀樹,梅沢仁,早瀬仁則,日暮栄治
福本雅也、松前隆、仓岛佑一、高木英树、梅泽仁、早濑仁、桧二英二
福本雅也、松前隆、仓岛佑一、高木英树、梅泽仁、早濑仁、桧二英二
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[関本渉, 藤井進, 吉矢真人, NH3/H2O2洗浄処理した Si とダイヤモンド基板の直接接合]
通讯作者：
NH3/H2O2洗浄処理した Si とダイヤモンド基板の直接接合
DOI：
10.1016/j.scriptamat.2020.09.006
发表时间：
2021-01-15
期刊：
SCRIPTA MATERIALIA
影响因子：
6
作者：
[Matsumae, Takashi, Kurashima, Yuichi, Higurashi, Eiji]
通讯作者：
Higurashi, Eiji
Hetero-integration of β-Ga2O3 and Diamond substrates by hydrophilic bonding technique
通过亲水键合技术异质集成 β-Ga2O3 和金刚石基底
通过亲水键合技术异质集成 β-Ga2O3 和金刚石基底
DOI：
10.1149/09804.0017ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Trans.
影响因子：
--
作者：
[Takashi Matsumae, Yuichi Kurashima, Hideki Takagi, Hitoshi Umezawa, Koji Tanaka, Toshimitsu Ito, Hideyuki Watanabe and Eiji Higurashi]
通讯作者：
Hideyuki Watanabe and Eiji Higurashi
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