Elucidation of SiC-MOS interfaces by developing electronic structure calculation methods

通过开发电子结构计算方法阐明 SiC-MOS 界面

• 批准号: 21H04553
• 负责人: 松下 雄一郎
• 金额: $ 27.04万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2021
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2021-04-05 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21H04553/
• 关键词: SiC; DFT; 界面欠陥; 量子コンピュータ; 電子状態計算; 界面; 局在; SiC-MOS; 移動度キラー

外部電場下におけるSiC/SiO2界面の電子状態解析を行った。その結果、界面の構造チャネル構造に大きく影響し、電子状態が強く局在化することがわかった。SiC界面において、A面やM面では、電子の界面近傍での閉じ込め効果は有効質量近似でよく記述されていることがわかった。一方で、Si面における界面近傍での電子状態の影響は強く、有効質量近似が破綻していること、さらには原子層1-2層と極近傍に強く局在していることがわかった。このことはSi面では、電子キャリアが界面欠陥に対して敏感に影響され、大きく散乱される可能性を示唆している。これが、Si面で移動度劣化が大きいという実験と確かに矛盾しないことを確認した。次に、Si面において、有効質量近似が破綻する理由としては、4H-SiC結晶が持つSi面垂直方向への長周期性に由来することを晶Kにした。

Analysis of the <s:1> electronic state at the におけるSiC/SiO2 interface under an external electric field を line った. の そ の results, interface structure チ ャ ネ ル tectonic に big き く influence し, strong electronic state が く bureau in す る こ と が わ か っ た. SiC interface に お い て, A face や M で は, electronic の interface nearly alongside で の closed じ 込 め unseen fruit は have sharper quality approximate で よ く account さ れ て い る こ と が わ か っ た. Party で, Si に お け る interface nearly alongside で の electronic state の strong は く, a sharper quality flaw approximate が し て い る こ と, さ ら に は atomic layer 1 to 2 と extremely strong nearly alongside に く bureau in し て い る こ と が わ か っ た. こ の こ と は Si surface で は, electronic キ ャ リ ア が interface owe 陥 に し seaborne て sensitive に influence さ れ, big き く scattered さ れ を る possibility in stopping し て い る. こ れ が mobile degree of degradation, Si で が big き い と い う be 験 と か indeed に contradiction し な い こ と を confirm し た. Time に, Si に お い て flaw, have working quality approximate が す る reason と し て は, 4 h - SiC crystals が つ Si surface vertical へ の long periodic に origin す る こ と を crystal K に し た.

项目成果

Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states

氮化硅中氮空位的原子和电子结构：浮隙态的出现

• DOI: 10.1103/physrevb.106.155201
• 发表时间: 2022
• 期刊: Physical Review B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Nanataki Fugo;Shiraishi Kenji;Iwata Jun-ichi;Matsushita Yu-ichiro;Oshiyama Atsushi
• 通讯作者: Oshiyama Atsushi

計算、および計算機アルゴリズム

计算和计算机算法

• 发表时间: 2021

Imaginary-time evolution using forward and backward real-time evolution with a single ancilla: First-quantized eigensolver algorithm for quantum chemistry

• DOI: 10.1103/physrevresearch.4.033121
• 发表时间: 2022-08-11
• 期刊: PHYSICAL REVIEW RESEARCH
• 影响因子: 4.2
• 作者: Kosugi, Taichi;Nishiya, Yusuke;Matsushita, Yu-Ichiro
• 通讯作者: Matsushita, Yu-Ichiro

Dzyaloshinskii-Moriya interactions in Nd2Fe14B as the origin of spin reorientation and the rotating magnetocaloric effect

Nd2Fe14B 中的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用作为自旋重新定向和旋转磁热效应的起源

• DOI: 10.1016/j.apmt.2023.101825
• 发表时间: 2023
• 期刊: Applied Materials Today
• 影响因子: 8.3
• 作者: Tran Hung Ba;Matsushita Yu-ichiro
• 通讯作者: Matsushita Yu-ichiro

Insight into anisotropic magnetocaloric effect of CrI3

深入了解 CrI3 的各向异性磁热效应

• DOI: 10.1016/j.actamat.2022.117851
• 发表时间: 2022
• 期刊: Acta Materialia
• 影响因子: 9.4
• 作者: Tran Hung Ba;Momida Hiroyoshi;Matsushita Yu-ichiro;Shirai Koun;Oguchi Tamio
• 通讯作者: Oguchi Tamio