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Elucidation of SiC-MOS interfaces by developing electronic structure calculation methods

Elucidation of SiC-MOS interfaces by developing electronic structure calculation methods
通过开发电子结构计算方法阐明 SiC-MOS 界面
批准号：
21H04553
负责人：
松下 雄一郎
金额：
$27.04万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2021-04-05 至 2024-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-21H04553/
关键词：
SiCDFT界面欠陥量子コンピュータ電子状態計算界面局在SiC-MOS移動度キラー

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
外部電場下におけるSiC/SiO2界面の電子状態解析を行った。その結果、界面の構造チャネル構造に大きく影響し、電子状態が強く局在化することがわかった。SiC界面において、A面やM面では、電子の界面近傍での閉じ込め効果は有効質量近似でよく記述されていることがわかった。一方で、Si面における界面近傍での電子状態の影響は強く、有効質量近似が破綻していること、さらには原子層1-2層と極近傍に強く局在していることがわかった。このことはSi面では、電子キャリアが界面欠陥に対して敏感に影響され、大きく散乱される可能性を示唆している。これが、Si面で移動度劣化が大きいという実験と確かに矛盾しないことを確認した。次に、Si面において、有効質量近似が破綻する理由としては、4H-SiC結晶が持つSi面垂直方向への長周期性に由来することを晶Kにした。
英文摘要
外部電場下におけるSiC/SiO2界面の電子状態解析を行った。その結果、界面の構造チャネル構造に大きく影響し、電子状態が強く局在化することがわかった。SiC界面において、A面やM面では、電子の界面近傍での閉じ込め効果は有効質量近似でよく記述されていることがわかった。一方で、Si面における界面近傍での電子状態の影響は強く、有効質量近似が破綻していること、さらには原子層1-2層と極近傍に強く局在していることがわかった。このことはSi面では、電子キャリアが界面欠陥に対して敏感に影響され、大きく散乱される可能性を示唆している。これが、Si面で移動度劣化が大きいという実験と確かに矛盾しないことを確認した。次に、Si面において、有効質量近似が破綻する理由としては、4H-SiC結晶が持つSi面垂直方向への長周期性に由来することを晶Kにした。
期刊论文(16)
专著(0)
科研奖励(0)
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  • 负责人：
    松下 雄一郎
  • 依托单位：
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