Room temperature spin-polarized light emission by excited spin engineering of size-modulated coupled quantum dots
Room temperature spin-polarized light emission by excited spin engineering of size-modulated coupled quantum dots
尺寸调制耦合量子点激发自旋工程的室温自旋偏振光发射
批准号：
19K15380
负责人：
Hiura Satoshi
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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可変ストライプ長法によるInGaAs量子ドットのモード利得測定の層間膜厚依存性
使用可变条带长度方法测量 InGaAs 量子点模式增益的层间厚度依赖性
使用可变条带长度方法测量 InGaAs 量子点模式增益的层间厚度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高山純一, 大竹章久, 樋浦諭志, 村山明宏]
通讯作者：
村山明宏
Fabrication of p-doped quantum dot spin-polarized light-emitting diodes
p掺杂量子点自旋偏振发光二极管的制造
p掺杂量子点自旋偏振发光二极管的制造
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Etou, S. Hiura, J. Takayama, A. Murayama]
通讯作者：
A. Murayama
Effects of growth temperature of a capping layer on excited spin properties of In0.5Ga0.5As quantum dots
覆盖层生长温度对In0.5Ga0.5As量子点激发自旋特性的影响
覆盖层生长温度对In0.5Ga0.5As量子点激发自旋特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Nakamura, S. Hiura, S. Sato, J. Takayama, A. Murayama]
通讯作者：
A. Murayama
半導体超格子バリアから量子ドットへのスピン輸送と 注入後のスピン緩和
从半导体超晶格势垒到量子点的自旋输运以及注入后的自旋弛豫
从半导体超晶格势垒到量子点的自旋输运以及注入后的自旋弛豫
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畠山沙衣子, 樋浦諭志, 高山純一, 村山明宏]
通讯作者：
村山明宏
半導体スピントロニクス実用化最大の問題「室温動作の壁」を突破！
突破半导体自旋电子学实际应用中最大难题：常温运行的壁垒！
突破半导体自旋电子学实际应用中最大难题：常温运行的壁垒！
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 43 条
Creation of highly-efficient spin injection source by interface modification in half-metallic oxides
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批准号：17H06482
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项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额：$1.91万
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财政年份：2017
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负责人：Hiura Satoshi
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依托单位：
海外基金