Creation of highly-efficient spin injection source by interface modification in half-metallic oxides
Creation of highly-efficient spin injection source by interface modification in half-metallic oxides
通过半金属氧化物界面修饰创建高效自旋注入源
批准号：
17H06482
负责人：
Hiura Satoshi
金额：
$1.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-08-25 至 2019-03-31
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Modal Gain at Excited States in High-Density InGaAs Quantum Dots Investigated by Variable Stripe Length Method
可变条带长度法研究高密度 InGaAs 量子点激发态模态增益
可变条带长度法研究高密度 InGaAs 量子点激发态模态增益
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Ohtake, S. Hiura, A. Washida, J. Takayama, and A. Murayama]
通讯作者：
and A. Murayama
Fe3O4(001)表面上の炭素吸着に関する研究
Fe3O4(001)表面碳吸附研究
Fe3O4(001)表面碳吸附研究
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[大見奎人, 高田慎, 高橋聡太朗, 山崎陸, 樋浦諭志, Subagyo Agus, 末岡和久]
通讯作者：
末岡和久
InGaAs量子ドットにおけるスピン注入ダイナミクスに対するスピン充填効果
自旋填充对 InGaAs 量子点自旋注入动力学的影响
自旋填充对 InGaAs 量子点自旋注入动力学的影响
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[樋浦 諭志, 武石 一紀, 浦部 晶行, 板橋 皓大, 高山 純一, 木場 隆之, 村山 明宏]
通讯作者：
村山 明宏
Influence of multilayer stacking on spin dynamics at excited states of vertically coupled InGaAs quantum dots
多层堆叠对垂直耦合InGaAs量子点激发态自旋动力学的影响
多层堆叠对垂直耦合InGaAs量子点激发态自旋动力学的影响
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Saito, S. Hiura, J. Takayama, and A. Murayama]
通讯作者：
and A. Murayama
面内磁化方向のCr探針の作製
面内磁化方向 Cr 探针的制作
面内磁化方向 Cr 探针的制作
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高田 慎, 大見 奎人, 樋浦 諭志, Subagyo Agus, 八田 英嗣, 末岡 和久]
通讯作者：
末岡 和久
共 28 条
Room temperature spin-polarized light emission by excited spin engineering of size-modulated coupled quantum dots
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批准号：19K15380
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2019
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负责人：Hiura Satoshi
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依托单位：
海外基金