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Hochvakuumbeschichtungsanlage für Elektronenstrahl-basiertes Verdampfen sowie Kathodenzerstäubung

用于电子束蒸发和阴极溅射的高真空镀膜系统

基本信息

批准号：
318726815
负责人：
金额：
--
依托单位：
Universität Stuttgart
依托单位国家：
德国
项目类别：
Major Research Instrumentation
财政年份：
2016
资助国家：
德国
起止时间：
2015-12-31 至无数据
项目状态：
未结题

来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/318726815?language=en
关键词：
Hochvakuumbeschichtungsanlage Elektronenstrahl basiertes Verdampfen sowie

项目摘要

In der Plasmonik und Nanooptik rücken hoch- und höchstschmelzende Materialen sowie ¿unedle¿ Materialen, die feuchtigkeits- und luftempfindlich sind, aufgrund ihrer bisher nicht ausgeschöpften ungewöhnlichen Eigenschaften in den Blickpunkt. Wir planen, unsere bisherigen wissenschaftlichen Arbeiten in diese Richtung zu erweitern. Da beide Materialklassen hohe Anforderungen an die Beschichtungstechniken stellen, möchten wir dafür eine kombinierte Anlage zum Elektronenstrahlverdampfen und zur Kathodenzerstäubung (engl. Sputtern) beschaffen. Zerstäubungsprozesse erlauben sehr harte und qualitativ hochwertige Filme, die mit den bisherigen Anlagen nicht ermöglicht werden können, Elektronenstrahlverdampfen ermöglicht das Beschichten mit hochschmelzenden Materialen. Darüber hinaus erlaubt eine solche Kombinationsanlage die Herstellung komplexer Dünnfilmschichtsysteme ohne Brechung des Vakuums und damit Kontamination der Filmkomponenten. Zusätzlich muss die Anlage erlauben, das Substrat während der Beschichtung in mehreren Achsen gleichzeitig und kontinuierlich zu verfahren um kolloidale Nanoapertur-Lithographie für die Herstellung komplexer Nanostrukturen ermöglichen.

在Plasmonik和Nanoptik rücken hoch- und höchstschmelzingmaterialen sowie <$unedle <$Materialen中，feuchtigkeits- und luftempfindlich sind，aufgrund hrer bisher nicht ausgeschöpften ungewöhnlichen Eigenschaften in den Blickpunkt。我们的计划是，让我们的劳动者在这一天的工作中受益。在Anforderungen和Beschichtungtechniken stellen的材料lassen中，我们需要设计一个用于Elektronenstrahlverdampfen和Kathodenzerstäubung（engl.斯帕特恩）beschaffen。Zerstäubungsprozesse erlauben sehr harte and qualitativ hochwertige Filme，die mit den bisherigen Anlagen nicht ermöglicht韦尔登können，Elektronenstrahlverdampfen ermöglicht das Beschichten mit hochschmelzenden Materialen. Darüber hinaus erlaubt eine solche Combinationsanlage die Herstellung komplexer Dünnfilmschichtsysteme ohne Brechung des Vakuums und damit Kontamination der Filmkomponenten. Zusätzlich muss die Anlage erlauben，das Substrat während der Beschichtung in mehreren Achsen gleichzeitig und kontinuierlich zu verfahren um kolloidale Nanoapertur-Lithographie für die Herstellung komplexer Nanostrukturen ermöglichen.