Hochvakuumbeschichtungsanlage für Elektronenstrahl-basiertes Verdampfen sowie Kathodenzerstäubung
Hochvakuumbeschichtungsanlage für Elektronenstrahl-basiertes Verdampfen sowie Kathodenzerstäubung
批准号:
318726815
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
德国
项目类别:
Major Research Instrumentation
财政年份:
2016
资助国家:
德国
项目状态:
未结题
起止时间:
2015-12-31 至 --
中文摘要
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英文摘要
In der Plasmonik und Nanooptik rücken hoch- und höchstschmelzende Materialen sowie ¿unedle¿ Materialen, die feuchtigkeits- und luftempfindlich sind, aufgrund ihrer bisher nicht ausgeschöpften ungewöhnlichen Eigenschaften in den Blickpunkt. Wir planen, unsere bisherigen wissenschaftlichen Arbeiten in diese Richtung zu erweitern. Da beide Materialklassen hohe Anforderungen an die Beschichtungstechniken stellen, möchten wir dafür eine kombinierte Anlage zum Elektronenstrahlverdampfen und zur Kathodenzerstäubung (engl. Sputtern) beschaffen. Zerstäubungsprozesse erlauben sehr harte und qualitativ hochwertige Filme, die mit den bisherigen Anlagen nicht ermöglicht werden können, Elektronenstrahlverdampfen ermöglicht das Beschichten mit hochschmelzenden Materialen. Darüber hinaus erlaubt eine solche Kombinationsanlage die Herstellung komplexer Dünnfilmschichtsysteme ohne Brechung des Vakuums und damit Kontamination der Filmkomponenten. Zusätzlich muss die Anlage erlauben, das Substrat während der Beschichtung in mehreren Achsen gleichzeitig und kontinuierlich zu verfahren um kolloidale Nanoapertur-Lithographie für die Herstellung komplexer Nanostrukturen ermöglichen.
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