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Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors

Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors
晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件
批准号：
19K22143
负责人：
Nishinaka Hiroyuki
金额：
$4.08万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K22143/
关键词：
ミストCVD格子整合酸化ガリウムヘテロ接合デバイスミストCVD法混晶結晶成長コランダム酸化インジウム酸化アルミニウム

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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, Y. Ito, and M. Yoshimoto]
通讯作者： and M. Yoshimoto
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发表时间： 2020
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发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito, M. Yoshimoto]
通讯作者： M. Yoshimoto
共 20 条
    Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices
    • 批准号：
      19H02170
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.23万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Nishinaka Hiroyuki
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    Mist CVD method for inorganic-organic perovskites solar-cell
    • 批准号：
      15H06343
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.91万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Nishinaka Hiroyuki
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    海外基金