Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices
偏振控制超宽带隙半导体器件研究
基本信息
- 批准号:19H02170
- 负责人:
- 金额:$ 11.23万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(66)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ga2O3 の中間準位を利用した p 型伝導に向けた検討
使用中间能级 Ga2O3 研究 p 型传导
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Arata;H. Nishinaka;and M. Yoshimoto;西中浩之;西中浩之
- 通讯作者:西中浩之
ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析
采用雾气CVD法在(-201)β-Ga2O3衬底上生长的κ-Ga2O3薄膜的结构分析
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:梶田優気;西中浩之;新田 悠汰;吉本昌広
- 通讯作者:吉本昌広
新しい強誘電体ε-Ga2O3のエピタキシャル成長技術
新型铁电ε-Ga2O3外延生长技术
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:西中浩之;田原大祐;新田悠汰;島添和樹;野田実;吉本昌広
- 通讯作者:吉本昌広
Bismuth-assisted effect for the growth of ε-Ga2O3 films grown on c-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
雾化化学气相沉积法在 c 面蓝宝石衬底上生长 ε-Ga2O3 薄膜的铋辅助效应
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:D. Tahara;H. Nishinaka;Y. Arata;S. Hasegawa;M Yoshimoto
- 通讯作者:M Yoshimoto
Alloying In2O3 and Ga2O3 on AlN templates for deep-ultraviolet transparent conductive films by mist chemical vapor deposition
AlN模板上合金化In2O3和Ga2O3雾气化学气相沉积制备深紫外透明导电薄膜
- DOI:10.35848/1347-4065/ac4688
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Ogura Yuri;Arata Yuta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
- 通讯作者:Yoshimoto Masahiro
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Nishinaka Hiroyuki其他文献
若手研究者のオンラインネットワークづくりの実践から
来自为年轻研究人员创建在线网络的实践
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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風間勇助
ペプチド脂質のガン細胞内での自己組織化と細胞死の誘導
癌细胞中肽脂的自组装和诱导细胞死亡
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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丸山達生
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- DOI:
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- 影响因子:0
- 作者:
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Yoshimoto Mashahiro
Laser ARPES for the Precise Detection of Slowest Photoelectrons and Work functions
用于精确检测最慢光电子和功函数的激光 ARPES
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
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- 作者:
Horie Ryuto;Nishinaka Hiroyuki;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro;山本和生;Norihiko Hayazawa;須田理行;Y. Ishida - 通讯作者:
Y. Ishida
校内授業研究における教師の関係性―社会ネットワーク分析を用いた分散型リーダーシップを捉える試み―
学校课程研究中的教师关系:尝试使用社交网络分析来捕捉分布式领导力
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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有井優太
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Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors
晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件
- 批准号:
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相似但不同分子组成的固溶体型分子铁电材料的实现
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強誘電体KTN混晶の温度-電場-濃度相図と誘電チューナブル材料への応用
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- 批准号:
24K06918 - 财政年份:2024
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$ 11.23万 - 项目类别:
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- 批准号:
24KJ0561 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
磁気活性キラル強誘電体の物質開発と新規電磁応答の開拓
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- 批准号:
24K00575 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.23万 - 项目类别:
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- 批准号:
23K22793 - 财政年份:2024
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- 批准号:
23K20951 - 财政年份:2024
- 资助金额:
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- 批准号:
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- 资助金额:
$ 11.23万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 11.23万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)