Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices

偏振控制超宽带隙半导体器件研究

基本信息

  • 批准号:
    19H02170
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(66)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ga2O3 の中間準位を利用した p 型伝導に向けた検討
使用中间能级 Ga2O3 研究 p 型传导
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Arata;H. Nishinaka;and M. Yoshimoto;西中浩之;西中浩之
  • 通讯作者:
    西中浩之
ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析
采用雾气CVD法在(-201)β-Ga2O3衬底上生长的κ-Ga2O3薄膜的结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    梶田優気;西中浩之;新田 悠汰;吉本昌広
  • 通讯作者:
    吉本昌広
新しい強誘電体ε-Ga2O3のエピタキシャル成長技術
新型铁电ε-Ga2O3外延生长技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西中浩之;田原大祐;新田悠汰;島添和樹;野田実;吉本昌広
  • 通讯作者:
    吉本昌広
Bismuth-assisted effect for the growth of ε-Ga2O3 films grown on c-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition
雾化化学气相沉积法在 c 面蓝宝石衬底上生长 ε-Ga2O3 薄膜的铋辅助效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    D. Tahara;H. Nishinaka;Y. Arata;S. Hasegawa;M Yoshimoto
  • 通讯作者:
    M Yoshimoto
Alloying In2O3 and Ga2O3 on AlN templates for deep-ultraviolet transparent conductive films by mist chemical vapor deposition
AlN模板上合金化In2O3和Ga2O3雾气化学气相沉积制备深紫外透明导电薄膜
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac4688
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ogura Yuri;Arata Yuta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
  • 通讯作者:
    Yoshimoto Masahiro
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Nishinaka Hiroyuki其他文献

若手研究者のオンラインネットワークづくりの実践から
来自为年轻研究人员创建在线网络的实践
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;風間勇助
  • 通讯作者:
    風間勇助
ペプチド脂質のガン細胞内での自己組織化と細胞死の誘導
癌细胞中肽脂的自组装和诱导细胞死亡
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kunihashi Yoji;Shinohara Yasushi;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;Oguri Katsuya;Gotoh Hideki;Kohda Makoto;Nitta Junsaku;Sanada Haruki;Y. K. Kato;丸山達生
  • 通讯作者:
    丸山達生
Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition
雾气化学气相沉积在立方 (111) GGG 衬底上异质外延生长 ε-Ga2O3 薄膜
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用于精确检测最慢光电子和功函数的激光 ARPES
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Horie Ryuto;Nishinaka Hiroyuki;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro;山本和生;Norihiko Hayazawa;須田理行;Y. Ishida
  • 通讯作者:
    Y. Ishida
校内授業研究における教師の関係性―社会ネットワーク分析を用いた分散型リーダーシップを捉える試み―
学校课程研究中的教师关系:尝试使用社交网络分析来捕捉分布式领导力
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Matsumura Junta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;有井優太
  • 通讯作者:
    有井優太

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  • 通讯作者:
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Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors
晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件
  • 批准号:
    19K22143
  • 财政年份:
    2019
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    $ 11.23万
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    2024
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    $ 11.23万
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    2024
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    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
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  • 批准号:
    24KJ0561
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号:
    24K00575
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノスケール強誘電体の分極回転ダイナミクスを利用した巨大分極結合効果の発現
利用纳米级铁电体极化旋转动力学表达巨极化耦合效应
  • 批准号:
    23K22793
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
強誘電・反強誘電体トランジスタを用いたリアルタイム学習ハードウェアの基盤構築
使用铁电和反铁电晶体管为实时学习硬件奠定基础
  • 批准号:
    23K20951
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
2次元構造秩序の自己組織化に着目した濃厚環境下の強誘電体薄膜成長メカニズム
聚焦二维结构有序自组织的集中环境下铁电薄膜生长机制
  • 批准号:
    23K23031
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
粘弾性を伴う強誘電体における分極安定化構造の探索
寻找粘弹性铁电材料中的极化稳定结构
  • 批准号:
    23K21078
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 11.23万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了