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Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices

Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices
偏振控制超宽带隙半导体器件研究
批准号：
19H02170
负责人：
Nishinaka Hiroyuki
金额：
$11.23万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02170/
关键词：
酸化ガリウム強誘電体単一ドメインε相酸化ガリウムミストCVD混晶結晶成長高電子移動度トランジスタ単結晶ミストCVD法高移動度トランジスタ

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使用中间能级 Ga2O3 研究 p 型传导
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 西中浩之
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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 吉本昌広
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DOI： --
发表时间： 2019
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, S. Hasegawa, M Yoshimoto]
通讯作者： M Yoshimoto
共 62 条
    Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors
    • 批准号：
      19K22143
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
    • 资助金额：
      $4.08万
    • 财政年份：
      2019
    • 负责人：
      Nishinaka Hiroyuki
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    Mist CVD method for inorganic-organic perovskites solar-cell
    • 批准号：
      15H06343
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
    • 资助金额：
      $1.91万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Nishinaka Hiroyuki
    • 依托单位：
      Kyoto Institute of Technology
    海外基金