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Development of highly efficient Si spin-MOSFETs by interface-controlled techniques

Development of highly efficient Si spin-MOSFETs by interface-controlled techniques
通过界面控制技术开发高效硅自旋MOSFET
批准号：
19K23522
负责人：
Ishikawa Mizue
金额：
$1.83万
依托单位：
Nihon University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-08-30 至 2021-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K23522/
关键词：
spinHeuslerSi spin-MOSFETsSiスピンMOSFETスピン伝導ホイスラー合金シリコン界面

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Study of Spin Transport and Magnetoresistance Effect in Silicon-based Lateral Spin Devices for Spin-MOSFET Applications
用于自旋 MOSFET 应用的硅基横向自旋器件中自旋输运和磁阻效应的研究
DOI： 10.3379/msjmag.2005rv002
发表时间： 2020
期刊： Journal of the Magnetics Society of Japan
影响因子： --
作者： [M. Ishikawa, Y. Saito, K. Hamaya]
通讯作者： K. Hamaya
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Mn-Ni-Cu系all-d-metal Heusler合金的设计制备与磁性形状记忆效 应研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2024
  • 负责人：
  • 依托单位：
    河北工业大学
三相点附近Heusler合金生长取向调控及磁热效应的研究
  • 批准号：
    52301250
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    曹开颜
  • 依托单位：
    西安交通大学
Heusler型磁驱动等对称结构相变材料的设计与物性研究
  • 批准号：
    12304135
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
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    张浩鹏
  • 依托单位：
    重庆邮电大学
用于CO2氧化丙烷脱氢反应的Heusler合金催化剂的精确构筑及原位电镜研究
  • 批准号：
    22309021
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    李潇
  • 依托单位：
    重庆大学