Nitride-based spintronics materials for ultrafast current-induced domain wall motion

用于超快电流感应畴壁运动的氮化物自旋电子材料

基本信息

  • 批准号:
    19KK0104
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (B))
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-10-07 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、これまでNiやCo等の遷移金属不純物をMn4Nにドープした薄膜を形成し、磁化補償組成近傍において、超高速の電流駆動磁壁移動を達成してきた。R4年度は、非磁性元素である金(Au)やスズ(Sn)をドーピングしたMn4N膜(厚さ約10nm)を分子線エピタキシー法により、チタン酸ストロンチウム基板上にエピタキシャル成長し、磁気輸送特性およびX線磁気円二色性(XMCD)測定結果から磁化補償の可能性について検討した。室温での磁気輸送特性の測定から、AuをドープしたMn(4-x)Au(x)Nでは、Anの組成x=0.1と0.2の間で、異常ホール角の符号が反転した。また、SnをドープしたMn(4-y)Sn(x)Nでは、y=0.5と0.7で、さらに、y=0.7と1.0の間で、異常ホール角の符号が反転した。第一原理計算から、Mn4Nでは、面心サイトのMn原子がフェルミ準位での状態密度をほぼ占有するため、MこのMn原子が電気伝導を支配すると考えられる。このため、異常ホール角の符号反転は、少なくとも、面心サイトのMnの磁気モーメントが反転したことを示唆している。しかし、角サイトのMn原子の磁気モーメントについては情報が得られないため、角および面心サイトのMn原子について、磁気モーメントの方向を確認するためXMCD測定を室温で行った。一方、Mn(4-y)Sn(x)Nでは、測定時に印加できる磁場では磁化が飽和しないため、測定には至らなかった。測定の結果、AuをドープしたMn(4-x)Au(x)Nでは、Anの組成x=0.1と0.2の間で、角サイトのMn原子の磁気モーメントの方向は変わらないが、面心サイトのMnの磁気モーメントが反転し、角サイトのMn原子のそれと平行になることが分かった。このことは、非磁性元素のドープにもかかわらず、強磁性的な振る舞いに変化したことを示す結果であり、大変興味深い。
In this paper, we study the formation of Mn 4N thin films, magnetization compensation and ultra-high-speed magnetic wall movement of Ni and Co R4 year, non-magnetic elements such as gold (Au) and tin (Sn) are included in the Mn4N film (thickness: about 10nm). Molecular ray diffraction method is used to determine the magnetic transport characteristics and X-ray magnetic dichroism (XMCD) on the substrate. Measurement of magnetic transport characteristics at room temperature: Au, Mn(4-x)Au(x)N, An, composition x=0.1, 0.2, abnormal angle sign reversed. In the case of Sn, Mn(4-y)Sn(x)N, y=0.5, y= 0.7, y=0.7, y= 1.0, the symbol of the unusual angle is reversed. First principles calculations show that Mn atoms in Mn4N and Mn4N are dominated by electrical conduction due to the density of states occupied by Mn atoms in the center of the plane. The sign of the abnormal angle is reversed, the magnetic field of the surface center is reversed, and the magnetic field of the surface center is reversed. The Mn atoms in the angle and the center of the plane are detected by XMCD measurement at room temperature. A square, Mn(4-y)Sn(x)N, measurement time As a result of the measurement, the composition of Au, Mn(4-x)Au(x)N and An x=0.1 and 0.2, the magnetic properties of Mn atoms in the angular position, the magnetic properties of Mn atoms in the plane center, and the magnetic properties of Mn atoms in the angular position are reversed and parallel. The results of this study show that non-magnetic and ferromagnetic elements are highly interesting.

项目成果

期刊论文数量(96)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Ferrimagnetic-ferromagnetic phase transition in Au-doped Mn4N epitaxial films confirmed by x-ray magnetic circular dichroism
X射线磁圆二色性证实了Au掺杂Mn4N外延薄膜中的亚铁磁-铁磁相变
  • DOI:
    10.1063/9.0000412
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Horiuchi Takumi;Komori Taro;Yasuda Tomohiro;Hirose Taku;Toko Kaoru;Amemiya Kenta;Suemasu Takashi
  • 通讯作者:
    Suemasu Takashi
Present Status of Rare-earth Free Ferrimagnet Mn4N and Future Prospects of Mn4N-based Compensated Ferrimagnets
无稀土亚铁磁体Mn4N的现状及Mn4N基补偿亚铁磁体的前景
Mn4-xGexN薄膜のエピタキシャル成長と磁気輸送特性評価
Mn4-xGexN薄膜的外延生长和磁输运特性评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    安田 智裕;小森 太郎;堀内 拓海;旗手 蒼;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
    末益 崇
Growth and characterization of magneto-transport properties of Mn4-xAuxN epitaxial films grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长 Mn4-xAuxN 外延薄膜的生长和磁输运特性表征
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takumi Horiuchi;Taro Komori;Taku Hirose;Tomohiro Yasuda;Kenta Amemiya;Kaoru Toko and Takashi Suemasu
  • 通讯作者:
    Kaoru Toko and Takashi Suemasu
Magnetic compensation of Mn4-xNixN confirmed by X-ray magnetic circular dichroism and analysis on its structure
X射线磁圆二色性证实Mn4-xNixN的磁补偿及其结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Komori;T. Hirose;K. Amemiya;T. Suemasu
  • 通讯作者:
    T. Suemasu
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

末益 崇其他文献

多結晶InxGa1-xAs膜のプラスチック上合成と近赤外分光感度の実証
塑料上多晶 InxGa1-xAs 薄膜的合成及近红外光谱灵敏度演示
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西田 竹志;末益 崇;都甲 薫
  • 通讯作者:
    都甲 薫
フレキシブル多接合太陽電池に向けた多結晶InGaAs近赤外吸収層
用于柔性多结太阳能电池的多晶InGaAs近红外吸收层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西田 竹志;末益 崇;都甲 薫
  • 通讯作者:
    都甲 薫
Development of Rescue Robot Systems
救援机器人系统的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    東小薗 創真;伊藤 啓太;安富 陽子;具志 俊希;都甲 薫;末益 崇;Fumitoshi Matsuno
  • 通讯作者:
    Fumitoshi Matsuno
複雑系フォトニクスを用いた高速物理乱数生成の進展
使用复杂光子学产生高速物理随机数的进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石部 貴史;谷内 卓;山下 雄大;佐藤 拓磨;末益 崇;中村 芳明;内田 淳史
  • 通讯作者:
    内田 淳史
表面電位顕微鏡による多結晶BaSi2膜の表面ポテンシャル評価
使用表面电位显微镜评估多晶 BaSi2 薄膜的表面电位
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    木戸 一輝;長谷部 隼;召田 雅実;都甲 薫;末益 崇
  • 通讯作者:
    末益 崇

末益 崇的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('末益 崇', 18)}}的其他基金

界面層によるキャリア再結合抑制効果を用いたガラス上シリサイド半導体高効率太陽電池
利用界面层抑制载流子复合效应的硅化物玻璃半导体高效太阳能电池
  • 批准号:
    21H04548
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
アルカリ土類金属を用いたシリコンベース狭ギャップ半導体
使用碱土金属的硅基窄带隙半导体
  • 批准号:
    18656093
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
アルカリ土類金属を用いた新しいシリコン系半導体の探探
使用碱土金属探索新型硅基半导体
  • 批准号:
    15656003
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
半導体鉄シリサイドを用いた光配線用赤外発光ダイオードの研究開発
使用半导体硅化铁的光配线用红外发光二极管的研发
  • 批准号:
    13750298
  • 财政年份:
    2001
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたSi上発光ダイオードの研究開発
直接过渡半导体β-FeSi_2硅基发光二极管的研制
  • 批准号:
    11750249
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
硅基自旋控制半导体的制备及磁光特性研究
  • 批准号:
    11125204
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
硅基自旋控制半导体的制备及磁光特性研究
  • 批准号:
    10138204
  • 财政年份:
    1998
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
直接遷移型半導体β-FeSi_2を用いたシリコン系発光素子の研究開発
直接过渡半导体β-FeSi_2硅基发光器件的研究与开发
  • 批准号:
    09750341
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究
硅基自旋控制半导体的制备及磁光特性研究
  • 批准号:
    09244205
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas

相似海外基金

フェリ磁性体におけるフォノンーマグノン強結合の観測
亚铁磁体中强声子-磁振子耦合的观察
  • 批准号:
    23KJ1159
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を用いたスピン波偏光子の作製
使用亚铁磁材料制造自旋波偏振器
  • 批准号:
    21J10136
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を利用したスキルミオン移動型メモリの研究
亚铁磁材料斯格明子移动存储器的研究
  • 批准号:
    19J10013
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を利用した磁壁移動型メモリの研究
亚铁磁材料磁畴壁位移存储器研究
  • 批准号:
    17J08858
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
スピン導入型核酸塩基の自己集合を利用した有機フェリ磁性体の構築
利用自旋转移核碱基自组装构建有机亚铁磁材料
  • 批准号:
    08J01607
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
フェリ磁性体を用いた熱アシストスピン注入磁化反転
使用亚铁磁体热辅助自旋注入磁化反转
  • 批准号:
    17760251
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
有機フェリ磁性体の磁気構造解明と高温有機磁石の開発
有机亚铁磁体磁结构的阐明和高温有机磁体的开发
  • 批准号:
    14703010
  • 财政年份:
    2002
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
分子性フェリ磁性体の構築と磁性発現機構の解明
分子亚铁磁性材料的构建及磁性表达机制的阐明
  • 批准号:
    12740389
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
量子ヘテロスピン分子集合系の分子磁性と純有機フェリ磁性体の分子設計
量子异自旋分子组装体系的分子磁性和纯有机亚铁磁体的分子设计
  • 批准号:
    12740385
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
水素結合性錯体を用いた有機フェリ磁性体の設計と構築
使用氢键配合物设计和构建有机亚铁磁体
  • 批准号:
    09740514
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 11.73万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了