シリコン系スピン制御半導体の創成と光磁気特性の研究

硅基自旋控制半导体的制备及磁光特性研究

• 批准号: 11125204
• 负责人: 末益 崇
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: University of Tsukuba
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-11125204/
• 关键词: 鉄シリサイド; 移動度; アニ-ル; 多層膜

Si(001)基板上ヘエピタキシャル成長が可能なβ-FeSi_2は、半導体/磁性体ヘテロ構造のべースとして非常に魅力的である。しかし、β-FeSi_2膜は、結晶性が改善する800℃以上の高温でアニールを行うと、島状に凝集するため、電気特性の測定が困難であった。そこで、本年度は、高温アニールでも凝集しないβ-FeSi_2膜の作製方法を開発し、その輸送特性を明らかにすることを目標とし、以下に示す多層膜法により、結晶性の良いβ-FeSi_2連続膜の作製に成功した。多層膜法とは、真空チャンバー内で化学量論組成比を満足するように蒸着した各数nm膜厚のSi/Fe多層膜をアニールしてβ-FeSi_2膜を形成する方法である。しかし、Si/Fe多層膜のみを用いたのでは多結晶β-FeSi_2膜しか得られず、且つ、結晶性改善の為高温でアニールすると、従来の膜と同様に島状に凝集してしまった。我々は、470℃に熱したSi基板にFeを蒸着するRDE法により形成したエピタキシャルβ-FeSi_2膜をテンプレートとし、SiO_2膜で蓋をしてSi/Fe多層膜をアニールすることで、高温アニールでも凝集せず、Si基板とエピタキシャル関係を持つ[100]高配向のβ-FeSi_2連続膜の作製に成功した。このようなβ-FeSi_2連続膜では、46Kで最大6900cm^2/Vsの電子移動度が、また、50Kで15000cm^2/Vsの正孔移動度が得られている。これらの値は、両者とも従来の値の数10倍である。

It is possible that the growth of β-FeSi_2 and semi-solid

项目成果

末益 崇: "環境にやさしい直接遷移型半導体β-FeSi_2の現状と将来展望"応用物理. 70・7. (2000)

Takashi Suemasu：“环境友好的直接过渡半导体β-FeSi_2的现状和未来展望”应用物理70・7。

高倉健一郎: "Improvement of the Electrical Properties of β-FeSi_2 Films on Si(001) by High Temperature Annealing"Japanese Journal of Applied Physics. (2000)

Kenichiro Takakura：“通过高温退火改善 Si(001) 上 β-FeSi_2 薄膜的电性能”日本应用物理学杂志 (2000)。

高倉健一郎: "Growth of Mn Doped-β-FeSi_2 Films on Si(001) by Reactive Deposition Epitaxy"Thin Solid Films. (2000)

Kenichiro Takakura：“通过反应沉积外延在 Si(001) 上生长 Mn 掺杂-β-FeSi_2 薄膜”固体薄膜 (2000)。

末益 崇: "Growth of Continuos and Highly(100)-oriented β-Fesi_2 Films on Si(001) from Si/Fe Multilayers with SiO_2 Capping and Templates"Japanese Journal of Applied Physics. 38・8A. L878-L880 (1999)

Takashi Suemasu：“使用 SiO_2 封端和模板在 Si(001) 上生长连续和高度 (100) 取向的 β-Fesi_2 薄膜”日本应用物理学杂志 38・8A (1999)。