Valence fluctuations and volumetric functions in samarium monosulfide SmS

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(1)前年度に構築したI-V測定と同時にキャパシタンス・ブリッジによる歪計測を行うことができる測定系を用いて、SmSにおいて電場誘起による絶縁体-金属転移にともない体積変化が現れるかの検証を行った。その結果、室温では電気抵抗率が低いために、十分な電場が印加できず、電場誘起で絶縁体-金属転移は確認できなかったが、液体窒素中では転移が確認できた。しかしながら、体積変化は確認できなかった。(2)電場誘起絶縁体-金属転移にともなって電子状態がどのように変化するかを調べるために、電場印加状態で光反射率を測定することを試みた。まず、今年度導入した顕微鏡用冷却加熱ステージを用いて、SmSに電場で絶縁体-金属転移を誘起できるか検討したところ、この加熱ステージでは冷却力が足りず、転移を確認できなかった。そこで、SmSより電気抵抗率が高くなるSm1-xCaxSの単結晶を新たに作製した。電気抵抗率や無電場での赤外-紫外反射率の評価を行い、良質な単結晶ができていることを確認した。この試料を用いた実験は翌年度に行う計画である。(3)SmSのSmサイトへの元素置換が電子状態に与える効果を検証するため、前年度のYやCe置換体に加え、NdやCa置換体の単結晶を作製し、反射率を測定した。その結果、Nd置換体では価数転移が確認でき、Ca置換体では確認できなかった。置換量をx=0.2に固定してY、Ce、Ndの効果の違いについて、定量的な分析を進めている。(4)今年度新たに作製した、Nd、Ca置換単結晶について、磁場下での電気抵抗率測定を含む予備的な評価を行った。