酸化物薄膜における金属・絶縁体転移のサイズ効果
氧化物薄膜中金属-绝缘体转变的尺寸效应
基本信息
- 批准号:15F15363
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-11-09 至 2018-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
VO2は金属・絶縁体転移を引き起こす典型的な材料である。低温では高抵抗状態、温度をあげていくと室温よりやや高い320℃付近で低抵抗状態に転移する。これに対してChen氏は水素をドーピングすることによって電気伝導度を大きく変えることによって転移温度を意のままに変えようという試みを提案してきた。実験的には、VO2固有の性質を引き出し、できるだけ転移が急峻な薄膜で研究をすすめるべく製膜にはPLD法を採用した。また単結晶薄膜を形成するために,単結晶TiO2基板上にVO2をエピタキシャルに成膜した。その後にVO2膜面上にPtドット(直径50ミクロン)をアレー状に形成した。単結晶性はXRDで確認し、またVO2中のVの価数はXPSによって決定した。Pt堆積後にHe希釈されたH2ガス中,300℃で熱処理をすることによって水素を膜中に導入した。中の水素は赤外吸収でチェックした。今回の結果は現在論文にまとめるべく整理を進めているところであるが、水素中における熱処理時間にほぼ比例して室温における電気伝導度が大幅に向上していることがわかった。また水素導入したVO2の抵抗の温度依存性を評価すると、およそ130K以下になるとなだらかに抵抗が上昇する結果が得られた。これは他の報告からするとV2O3の結果に近い。水素の役割に関して従来いくつかの案が提案されていたが、今回の結果は水素がまさにキャリアのドーピングとして働いていることを示しており、VO2の転移温度を制御する手法の一つであり、またVO2の転移機構を決定する上で大きな事実と考えられる。
VO2 転 metal · insulator 転 transfer を lead to す す typical な material である. Low temperature で で high resistance state, temperature をあげて くと くと room temperature よ やや やや high <e:1> 320℃ followed by nearly で low resistance state に転 shift する. こ れ に し seaborne て Chen's は water element を ド ー ピ ン グ す る こ と に よ っ て electric 気 伝 conductance を big き く - え る こ と に よ っ て planning move temperature を meaning の ま ま に - え よ う と い う try み を proposal し て き た. Be the 験 に は and natural の properties of VO2 を lead き し, で き る だ け planning move that opened が urgent な films で を す す め る べ く membrane に は を PLD method using し た. The また単 crystalline film を forms するために, and the にVO2をエピタキシャ をエピタキシャ に に forms a film on the 単 crystalline TiO2 substrate た た. After そ そ, on the にVO2 membrane surface, にPtドット (with a diameter of 50) をアレ をアレ に forms a に. Youdaoplaceholder0 crystallinity で XRDで confirms that the <s:1> V <e:1> 価 number of <s:1> XPSによって in <s:1> and またVO2 determines た た. Pt builds に He bush 釈 さ れ た H2 ガ ス, 300 ℃ heat で 処 Richard を す る こ と に よ っ て water element を membrane に import し た. In the middle of the process, hydrochlorin でチェッ is externally absorbed でチェッ and た. Today back to の result は paper now に ま と め る べ く finishing を into め て い る と こ ろ で あ る が, water element in に お け る hot 処 manage time に ほ ぼ proportion し て room-temperature に お け る electric 気 伝 conductance が に sharply upward し て い る こ と が わ か っ た. ま た water element import し た VO2 の の resistance temperature dependency を review 価 す る と, お よ そ below 130 k に な る と な だ ら か に resistance rising が す る results ら が れ た. He <s:1> reported that the results of らすると らするとV2O3 に were close to れ. Water cut に element の service masato し て 従 to い く つ か の case が proposal さ れ て い た が, today back to の results は water element が ま さ に キ ャ リ ア の ド ー ピ ン グ と し て 働 い て い る こ と を shown し て お り, VO2 の planning move temperature を suppression す る gimmick の a つ で あ り, ま た VO2 の planning move organization を decided す る で large き な things be と exam え ら れ る.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
"Hydrogen Induced Colossal Resistance Switching in Perovskite Nickelates"
“钙钛矿镍酸盐中氢诱导的巨大电阻转换”
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. Chen;J. Shi;Y. Zhou;Y. Wu;Y. Jiang;X. Shi;L. Chen;T. Yajima;T. Nishimura;A. Torium,and S. Ramanathan
- 通讯作者:A. Torium,and S. Ramanathan
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
鳥海 明其他文献
4H‐SiC中の点欠陥はどこまで分かっているか? :バルク結晶とMOS界面
我们对 4H-SiC 的点缺陷了解多少?
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吹留博一;小嗣真人;長汐晃輔;佐藤 良;大河内拓雄 ;木下豊彦;伊藤隆;鳥海 明;末光眞希;梅田享英 - 通讯作者:
梅田享英
Internal Photo-emission 法によるGeO2/Ge 界面における伝導帯バンドオフセットの決定
内光电发射法测定GeO2/Ge界面导带偏移
- DOI:
- 发表时间:
2013 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
張文峰;西村 知紀;長汐 晃輔;喜多 浩之;鳥海 明 - 通讯作者:
鳥海 明
"Study of Thermal Oxidation Mechanism of Germanium"
《锗的热氧化机理研究》
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Wang Xu;西村 知紀;矢嶋 赳彬;鳥海 明 - 通讯作者:
鳥海 明
鳥海 明的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('鳥海 明', 18)}}的其他基金
極薄Geチャネルにおけるキャリア輸送機構の理解と制御
理解和控制超薄Ge通道中的载流子传输机制
- 批准号:
13F03058 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ゲルマニウムと金属酸化物の界面反応に関する速度論的研究
锗与金属氧化物界面反应动力学研究
- 批准号:
12F02061 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能グラフェンFETに向けたゲートスタック技術の研究
高性能石墨烯FET栅堆叠技术研究
- 批准号:
12F02364 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高誘電率絶縁膜界面に存在する電気的双極子層の検出とその起源に関する研究
高介电常数绝缘薄膜界面存在电偶极子层的检测及其成因研究
- 批准号:
08F08383 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高誘電率絶縁薄膜の遠赤外から紫外領域にわたる光学吸収特性に関する研究
远红外至紫外区高介电常数绝缘薄膜光吸收特性研究
- 批准号:
06F06127 - 财政年份:2006
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機薄膜の積層化による伝導キャリアの膜中蓄積効果の研究
有机薄膜堆叠薄膜中导电载流子积累效应研究
- 批准号:
15656081 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
シリコン基板上に作製した超薄膜・希土類金属酸化物の誘電率制御指針の構築
硅基片上超薄膜和稀土金属氧化物介电常数控制指南的构建
- 批准号:
13450122 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ナノ・プラスティックFETの研究開発
纳米塑料FET的研发
- 批准号:
13875066 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
相似海外基金
大気中芳香族炭化水素キノン類の限定エクスポソームを鑑みた複合曝露影響の検討
鉴于有限暴露组,检查大气芳香烃醌的综合暴露效应
- 批准号:
24K15305 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
タングステン中の格子欠陥と水素同位体の動的相互作用およびトリチウム挙動への影響
钨中晶格缺陷和氢同位素的动态相互作用及其对氚行为的影响
- 批准号:
23K22471 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
トラップ水素をその場定量できる電気化学水素侵入透過測定法の開発と水素脆化解析
开发用于原位测定捕获氢和氢脆分析的电化学氢渗透测量方法
- 批准号:
23K23090 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
水と空気から過酸化水素を合成する機能集積型樹脂半導体光触媒
由水和空气合成过氧化氢的功能集成树脂半导体光催化剂
- 批准号:
23K23135 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
液体ロケット推進系を想定した極低温水素の相変化熱流動の多重スケールモデリング
假设液体火箭推进系统的低温氢相变热流的多尺度建模
- 批准号:
23K26300 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
炭化水素ーアンモニア混焼による含窒素有機物生成素過程の包括的理解
全面认识烃-氨共烧含氮有机物的形成过程
- 批准号:
23K26310 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
マルテンサイト鋼の水素脆性抑制のための粒界セグメント制御
抑制马氏体钢氢脆的晶界分段控制
- 批准号:
23K26410 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
脱炭素に向けた水素ラジカルを用いる新しいハイブリッドシリコン還元プロセス
一种利用氢自由基脱碳的新型混合硅还原工艺
- 批准号:
23K26429 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
水素化物を利用した白金族フリーな非酸化的アルカン脱水素・減炭・増炭触媒の創出
利用氢化物制备无铂族非氧化烷烃脱氢、碳还原和增碳催化剂
- 批准号:
23K26458 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
量子化学計算に基づく光電子移動と水素原子移動を含む反応サイクル全貌解明と触媒設計
基于量子化学计算和催化剂设计阐明整个反应循环,包括光电子转移和氢原子转移
- 批准号:
23K26647 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)














{{item.name}}会员




