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Magentic tunnel junctions with semiconductor tunneling barrier

Magentic tunnel junctions with semiconductor tunneling barrier
具有半导体隧道势垒的磁性隧道结
批准号：
20H02186
负责人：
KASAI Shinya
金额：
$11.07万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02186/
关键词：
磁気トンネル接合トンネル磁気抵抗効果化合物半導体障壁スピントロニクス界面誘導磁気異方性垂直磁気異方性

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磁性材料薄膜ヘテロ接合：超薄膜ヘテロ接合と磁気輸 送物性
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DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [Yamada Koki, Tanaka Yuichi, 葛西伸哉]
通讯作者： 葛西伸哉
Spintronic auto-oscillator for neuromorphic computing
  • 批准号：
    17K18892
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 资助金额：
    $3.66万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    KASAI Shinya
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
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