Development of fluoride based high-k dielectric thin film materials for MIS structure
Development of fluoride based high-k dielectric thin film materials for MIS structure
MIS结构用氟化物高k介电薄膜材料的开发
批准号：
20H02188
负责人：
Nagata Takahiro
金额：
$10.4万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1149/09701.0061ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[伊藤拓海, 森駿太郎, 高尾英邦, 下川房男, 寺尾京平, 横田隆人，神田健介，藤田孝之，前中一介, 上田哲也, 長谷川 浩, 山田寛喜, Nagata Takahiro]
通讯作者：
Nagata Takahiro
自律型ハイスループット合成・評価を通じた電子材料の開発とデータ共有の試み
尝试通过自主高通量合成和评估来开发电子材料并共享数据
尝试通过自主高通量合成和评估来开发电子材料并共享数据
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Nawa, K. Masuda, and Y. Miura, 長田 貴弘]
通讯作者：
長田 貴弘
硬X線光電子分光法による薄膜電子材料の表面・界面評価と機能制御
使用硬 X 射线光电子能谱对薄膜电子材料进行表面/界面评估和功能控制
使用硬 X 射线光电子能谱对薄膜电子材料进行表面/界面评估和功能控制
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Miwa Yuki, Kino Hisashi, Fukushima Takafumi, Tanaka Tetsu, 長田 貴弘]
通讯作者：
長田 貴弘
Combinatorial Synthesis and Interface Analysis for Development of High Dielectric Constant Thin Films
高介电常数薄膜开发的组合合成和界面分析
高介电常数薄膜开发的组合合成和界面分析
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Nagata Takahiro, Kumaragurubaran Somu, Takahashi Kenichiro, Ri Sung-Gi, Chikyow Toyohiro]
通讯作者：
Chikyow Toyohiro
Quasi-Continuous Representation of Crystal Structure of Thin Films with Two-Dimensional X-Ray Diffraction and Non-Negative Matrix Factorization
用二维 X 射线衍射和非负矩阵分解准连续表示薄膜晶体结构
用二维 X 射线衍射和非负矩阵分解准连续表示薄膜晶体结构
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕]
通讯作者：
知京 豊裕
共 9 条
Fundamental study of polarity and screening charge effects of ferroelectric materials on pi conjugated materials for autonomous operational sensor application
-
批准号：26630138
-
项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
-
资助金额：$2.5万
-
财政年份：2014
-
负责人：Nagata Takahiro
-
依托单位：
海外基金