ダイレクトリソグラフィの実現を指向した金属極細線加工材料・プロセスの創出

创造超细金属线加工材料和工艺，旨在实现直接光刻

• 批准号: 20H02489
• 负责人: 山本 洋揮
• 金额: $ 11.32万
• 依托单位: National Institutes for Quantum Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02489/
• 关键词: 材料・加工; 半導体微細化; ナノ加工; ナノ材料; レジスト

人工知能など情報技術を支えるコンピュータ性能の更なる向上のため、次世代リソグラフィ技術では10nm未満の加工が必要不可欠である。従来の紫外光から、電離作用を引き起こす極端紫外光（EUV）や電子線（EB）など量子ビーム利用が求められているが、レジスト材料の要求性能を向上させる設計指針がない。本研究では、量子ビームに対応した新規レジスト材料として金属酸化物ナノ粒子レジストに着目し、量子ビームによるナノ空間で誘起される物理・化学過程を解析することで高感度、高解像度を達成し、シングルナノパターンの熱処理による金属ナノ配線の創製技術を確立することを目指す。令和3年度は金属酸化物ナノ粒子のコアとしてEUV吸収係数が高い3種類の金属コアおよび２種類のリガンドを選定し、計6種類のメタルレジストを合成することに成功した。また、合成したメタルレジストをArF露光装置、KrF露光装置、EUV露光装置および電子線描画装置を使って化学変化を誘起させ、感度曲線および微細パターン形成を試みた結果、金属コアやリガンドの違いによってレジスト性能が変化することが明らかになった。また、従来から用いられているポリマー樹脂により構成されたレジストパターンと比較してエッチング耐性を有し、さらに焼成すること（セラミックス化）することで大幅にエッチング耐性が上がることが明らかになった。また、次世代EUVリソグラフィで有望視されているEUVFEL等を指向した超短パルスEUVによるレジスト材料への照射効果を調べるために、PMMAの超短パルスEUVによる感度評価を実施した。その結果、一般的なEUV露光装置のナノ秒パルスEUVの場合に比べて、ピコ秒・フェムト秒の超短パルスEUV照射ではレジスト感度が一桁以上高くなることを明らかになり、次世代EUV-FELに適したレジスト設計指針が必要があることを明らかにした。

Artificial intelligence, information technology, technology The design guidelines for the application of ultraviolet light, ionization, extreme ultraviolet light (EUV), electron beam (EB), quantum radiation and the required properties of materials are set forth. This study aims to establish a new technology for the creation of metal coordination wires by analyzing physical and chemical processes induced in space with high sensitivity and high resolution for new quantum materials and metal acids. In 2003, the EUV absorption coefficient of metal acid particles was selected from 3 kinds of metal and 2 kinds of metal, and the synthesis of 6 kinds of metal was successfully carried out. The results of chemical transformation induction, sensitivity curve formation and fine particle formation test, and metal surface properties transformation of ArF light exposure device, KrF light exposure device, EUV light exposure device, and electron beam drawing device are summarized. The resin composition of the resin is different from that of the resin composition. The resin composition is different from that of the resin composition. The resin composition is different from that of the resin composition. The resin composition is different from that of the resin composition. The next generation of EUV radiation is expected to be observed in EUVFEL and other ultra-short EUV radiation materials. As a result, the sensitivity of a general EUV exposure device to ultra-short EUV irradiation is higher than that of a typical EUV exposure device, and the design guidelines for a next-generation EUV-FEL are necessary.

项目成果

電子線によるポリマー膜中の金属ナノ粒子の生成およびパターニングに関する研究

利用电子束研究聚合物薄膜中金属纳米颗粒的生成和图案化

• 发表时间: 2020
• 作者: K. Nagai，A. Beaucamp，A. Matsubara;Y. Namba;H. Suzuki;Ken Hattori;矢吹彰広，世羅萌花，Lee Ji Ha;山本 洋揮
• 通讯作者: 山本 洋揮

Study on Irradiation Effects by Femtosecond-pulsed Extreme Ultraviolet in Resist Materials

飞秒脉冲极紫外光对光刻胶材料的辐照效果研究

• 发表时间: 2021
• 期刊: Journal of Photopolymer Science and Technology
• 影响因子: 0.8
• 作者: Yuji Hosaka;Hiroki Yamamoto;Masahiko Ishino;Thanh-Hung Dinh;Masaharu Nishikino;Akira Kon;Shigeki Owada;Yuichi Inubushi and Yasunari Maekawa
• 通讯作者: Yuichi Inubushi and Yasunari Maekawa

University of Birmingham(英国)

伯明翰大学（英国）

最先端量子ビームによる次世代リソグラフィ材料・プロセスの開発

使用尖端量子束开发下一代光刻材料和工艺

• 发表时间: 2021
• 作者: 梅堀美好;伊藤暁彦;山本洋揮
• 通讯作者: 山本洋揮

金ナノパターン上のジチオールで修飾した金属ナノ粒子の配列制御

金纳米图案上二硫醇修饰的金属纳米粒子的排列控制

• 发表时间: 2021
• 作者: 福岡美海;江口慧一;髙嶋洋平;赤松謙祐;鶴岡孝章;鈴木浩文，後藤 晃，古木辰也，三浦勝弘，由井明紀，中川恒裕，牧野俊清，上原純一，森泉利之";矢吹彰広;山本洋揮
• 通讯作者: 山本洋揮