Nondestructive measurement of crystal defects using multiphoton excitation photoluminescence
Nondestructive measurement of crystal defects using multiphoton excitation photoluminescence
使用多光子激发光致发光无损测量晶体缺陷
批准号：
20H02640
负责人：
Tomoyuki Tanikawa
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング
多光子激发光致发光法对β-Ga2O3晶体进行三维成像
多光子激发光致发光法对β-Ga2O3晶体进行三维成像
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西河巴賀, 塚越真悠子, 後藤 健, 村上 尚, 熊谷義直, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二]
通讯作者：
片山竜二
多光子顕微鏡による化合物半導体の欠陥解析
使用多光子显微镜进行化合物半导体的缺陷分析
使用多光子显微镜进行化合物半导体的缺陷分析
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Kikkawa, D. Reitz, H. Ito, T. Makiuchi, T. Sugimoto, K. Tsunekawa, S. Daimon, K. Oyanagi, R. Ramos, S. Takahashi, Y. Shiomi, Y. Tserkovnyak, and E. Saitoh, 谷川智之]
通讯作者：
谷川智之
Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging
通过多光子激发光致发光成像对 HVPE 生长的 n 型 GaN 衬底中的螺纹位错进行分类
通过多光子激发光致发光成像对 HVPE 生长的 n 型 GaN 衬底中的螺纹位错进行分类
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Tsukakoshi, T. Tanikawa, M. Uemukai, R. Katayama]
通讯作者：
R. Katayama
3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence
使用多光子激发光致发光对 β-Ga2O3 晶体进行 3D 成像
使用多光子激发光致发光对 β-Ga2O3 晶体进行 3D 成像
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Nishikawa, M. Tsukakoshi, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Uemukai, T. Tanikawa, and R. Katayama]
通讯作者：
and R. Katayama
気相拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戸の有機金属気相選択成長
利用气相扩散效应金属有机气相选择性生长多色InGaN多量子阱
利用气相扩散效应金属有机气相选择性生长多色InGaN多量子阱
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉田新, 正直花奈子, 三宅秀人,谷川 智之、上向井 正裕、片山 竜二]
通讯作者：
三宅秀人,谷川 智之、上向井 正裕、片山 竜二
共 42 条
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