刷新
{{item.name}}会员
Nondestructive measurement of crystal defects using multiphoton excitation photoluminescence
使用多光子激发光致发光无损测量晶体缺陷
基本信息
- 批准号：20H02640
- 负责人：
- 金额：$ 11.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（46）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング
多光子激发光致发光法对β-Ga2O3晶体进行三维成像
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：西河巴賀;塚越真悠子;後藤 健;村上 尚;熊谷義直;谷川智之;上向井正裕;片山竜二
- 通讯作者：片山竜二
多光子顕微鏡による化合物半導体の欠陥解析
使用多光子显微镜进行化合物半导体的缺陷分析
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kikkawa;D. Reitz;H. Ito;T. Makiuchi;T. Sugimoto;K. Tsunekawa;S. Daimon;K. Oyanagi;R. Ramos;S. Takahashi;Y. Shiomi;Y. Tserkovnyak;and E. Saitoh;谷川智之
- 通讯作者：谷川智之
Classification of threading dislocations in HVPE-grown n-type GaN substrates by multiphoton-excitation photoluminescence imaging
通过多光子激发光致发光成像对 HVPE 生长的 n 型 GaN 衬底中的螺纹位错进行分类
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tsukakoshi;T. Tanikawa;M. Uemukai;R. Katayama
- 通讯作者：R. Katayama
3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence
使用多光子激发光致发光对 β-Ga2O3 晶体进行 3D 成像
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Nishikawa;M. Tsukakoshi;K. Goto;H. Murakami;Y. Kumagai;M. Uemukai;T. Tanikawa;and R. Katayama
- 通讯作者：and R. Katayama
気相拡散効果を利用したマルチカラーInGaN多重量子井戸の有機金属気相選択成長
利用气相扩散效应金属有机气相选择性生长多色InGaN多量子阱
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉田新;正直花奈子;三宅秀人,谷川 智之、上向井 正裕、片山 竜二
- 通讯作者：三宅秀人,谷川 智之、上向井 正裕、片山 竜二
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Tomoyuki Tanikawa其他文献
自閉症スペクトラム傾向を持つ女性との心理面接過程
对患有自闭症谱系倾向的女性进行心理访谈的过程
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tomoyuki Tanikawa;Kanako Shojiki;Ryuji Katayama;Shigeyuki Kuboya;Takashi Matsuoka;Yoshio Honda;Hiroshi Amano;Masaki Mizuguchi;山本 真人;井上麻紀 - 通讯作者：
井上麻紀
Nanoscale carrier distribution imaging on atomically-thin layered semiconductors by scanning nonlinear dielectric microscop
通过扫描非线性介电显微镜对原子薄层状半导体进行纳米级载流子分布成像
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yi-Chun Lai;Akio Higo;Takayuki Kiba;Cedric Thomas;Shula Chen;Chang Yong Lee;Tomoyuki Tanikawa;Shigeyuki Kuboya;Ryuji Katayama;Kanako Shojiki;Junichi Takayama;Ichiro Yamashita;Akihiro Murayama;Gou-Chung Chi;Peichen Yu;Seiji Samukawa;Kohei Yamasue and Yasuo Cho - 通讯作者：
Kohei Yamasue and Yasuo Cho
Tomoyuki Tanikawa的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
半導体結晶欠陥の3次元挙動と電気的特性の相関解明
阐明半导体晶体缺陷的三维行为与电性能之间的相关性
- 批准号：
24K17620 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
イオン照射によるナノ結晶欠陥制御を利用した次世代高特性超伝導線材の創製
利用离子辐照纳米晶体缺陷控制创建下一代高性能超导线材
- 批准号：
23K23288 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ラマン分光法による新たな結晶欠陥解析法の開発
利用拉曼光谱开发新的晶体缺陷分析方法
- 批准号：
23K03534 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
微視スケール塑性変形（ナノプラスティシティ）と結晶欠陥との相互作用の原子論的解析
微观塑性变形（纳米塑性）与晶体缺陷之间相互作用的原子分析
- 批准号：
23K13215 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
アコヤガイ貝殻稜柱層炭酸カルシウム内の結晶欠陥形成因子に関する研究
珍珠贝壳脊层碳酸钙晶体缺陷形成因素研究
- 批准号：
18J13824 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
セラミックス材料中の結晶欠陥構造と欠陥領域の原子ダイナミクスに関する研究
陶瓷材料晶体缺陷结构及缺陷区域原子动力学研究
- 批准号：
05J11745 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
foldできない高分子鎖の結晶化・結晶欠陥
不能折叠的聚合物链的结晶和晶体缺陷
- 批准号：
08455457 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
有機金属結晶中の結晶欠陥の制御
有机金属晶体中晶体缺陷的控制
- 批准号：
05650623 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究
正电子湮灭法研究半导体晶体缺陷
- 批准号：
05650626 - 财政年份：1993
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究
使用正电子研究半导体中的晶体缺陷和掺杂态
- 批准号：
04650025 - 财政年份：1992
- 资助金额：
$ 11.9万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)