课题基金 / 基金详情

陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究

陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究
正电子湮灭法研究半导体晶体缺陷
批准号:
05650626
负责人:
堂山 昌男
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1993
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1993 至 --

项目摘要

项目成果

堂山 昌男的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
金属中に打込まれた陽電子の状態は金属試料中の原子空孔、点欠陥などイオン密度の低い格子欠陥に非常に敏感である。半導体などの加工が微細化されるにつれ、結晶の欠陥の制御が重要になってきている。半導体中の結晶欠陥はその荷電状態がフェルミ準位によって異なるので、複雑である。すなわち、温度とともにフェルミ準位が変化し、それによって、結晶欠陥の荷電状態も変化する。陽電子は結晶欠陥の荷電状態にも敏感に反応するので、結晶にトラップされた陽電子の寿命、消滅時に放出されるガンマー線のドップラーの広がりを測定することにより測定することが出来る。京大原子炉実験書でn型およびp型シリコンを30MeVの電子線で液体窒素温度で照射し、原子空孔をつくり、不純物と原子空孔との相互作用を試料温度を上げながら陽電子寿命、ドップラー広がりを測定して、解析した。液体窒素温度から試料温度を上げないよう新しいクライオスタットを作製した。これまでの実験および解析では定量的に解析が行なわれていなかった。本論文ではこれを解析的に行なった結果、世界で行なわれていた解析は間違っていることがわかった。これらは平成5年8月末から9月にかけて行なわれたInternational Union of Materials Research Soceitiesの国際会議において発表された。
期刊论文(12)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
    • 批准号:
      09229247
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $0.64万
    • 财政年份:
      1997
    • 负责人:
      堂山 昌男
    • 依托单位:
    傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
    • 批准号:
      08243245
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $0.64万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      堂山 昌男
    • 依托单位:
    再放出陽電子顕微鏡の製作とその応用
    • 批准号:
      08650775
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.34万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      堂山 昌男
    • 依托单位:
    多孔スリットを用いた陽電子顕微鏡の製作とその応用
    • 批准号:
      07640495
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $1.41万
    • 财政年份:
      1995
    • 负责人:
      堂山 昌男
    • 依托单位:
    海外基金