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陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究

正电子湮灭法研究半导体晶体缺陷

基本信息

批准号：
05650626
负责人：
堂山昌男
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Teikyo University of Science & Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05650626/
关键词：
陽電子半導体結晶欠陥

项目摘要

金属中に打込まれた陽電子の状態は金属試料中の原子空孔、点欠陥などイオン密度の低い格子欠陥に非常に敏感である。半導体などの加工が微細化されるにつれ、結晶の欠陥の制御が重要になってきている。半導体中の結晶欠陥はその荷電状態がフェルミ準位によって異なるので、複雑である。すなわち、温度とともにフェルミ準位が変化し、それによって、結晶欠陥の荷電状態も変化する。陽電子は結晶欠陥の荷電状態にも敏感に反応するので、結晶にトラップされた陽電子の寿命、消滅時に放出されるガンマー線のドップラーの広がりを測定することにより測定することが出来る。京大原子炉実験書でn型およびp型シリコンを30MeVの電子線で液体窒素温度で照射し、原子空孔をつくり、不純物と原子空孔との相互作用を試料温度を上げながら陽電子寿命、ドップラー広がりを測定して、解析した。液体窒素温度から試料温度を上げないよう新しいクライオスタットを作製した。これまでの実験および解析では定量的に解析が行なわれていなかった。本論文ではこれを解析的に行なった結果、世界で行なわれていた解析は間違っていることがわかった。これらは平成5年8月末から9月にかけて行なわれたInternational Union of Materials Research Soceitiesの国際会議において発表された。

In the metal, it is very sensitive to the vacancy of atoms, the lack of atoms, the low density, the low density and the low lattice in the metal materials. The semifinished products are processed microscopically, and the results show that they are not suitable for the control of important applications. In the semicircular body, the results show that there is a negative state in the semiconductor. the position of the semiconductors is not valid. The temperature is low, the temperature is high, the temperature is low, and the temperature is low. The electrical equipment is under load status. The sensitive device is sensitive to the temperature, and the temperature is sensitive to the temperature. The life of the computer is measured. The life of the computer is measured. The life of the computer is measured. Peking University atomic furnace