课题基金 / 基金详情

陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究

陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究
使用正电子研究半导体中的晶体缺陷和掺杂态
批准号：
04650025
负责人：
堂山 昌男
金额：
$1.34万
依托单位：
Teikyo University of Science & Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04650025/
关键词：
陽電子消滅半導体結晶欠陥ドーパント

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
本研究では分子動力学の方法を用いて、金属の結晶成長をシミュレートした。純金属の原子間の相互作用を2体及び、付近の多体N個の原子配置により表わし、このポテンシャルを用いて気相からの結晶成長を分子動力学を用いて計算し、その成長機構をしらべた。金属中の原子間相互作用は2体問題では取扱いにくく、多体問題を考慮に入れたN体ポンテシャルが開発されている。原子の相互作用を計算するとき単に2つの原子の間の距離のみでなく他の原子からの影響も考慮に入れた密度汎関数による多体ポンテシャルである。本研究ではembedded atom法により決められた多体ポンテシャルを用いた。具体的には純銅で面心立方中のイオン間のN体ポテンシャルを用いて、分子動力学法を用いて、気相からの結晶成長のシミュレーションの動的挙動を電子論も考慮した形で計算した。これらの計算結果をビジュアルにビデオテープに出し、結晶成長機構を原子的に解明に役立った。計算結果においては表面の気相成長の場合に表面拡散が非常に重要なことがわかった。N体ポテンシャルを用いて表面のad-atomおよびそのクラスターと表面との結合エネルギー、移動のエネルギーを計算した。その結果銅においてはad-atomは(111)面上を非常に容易に動けることがわかった。(111)面[最密原子面]では原子の拡散が非常に容易で重要であることがわかった。ad-atomのクラスター、および表面の空孔はad-atomと比べてかなり動きにくいことがわかった。これは銅にかぎらず、多くの面心立方格子に共通したものと考えられる。これら結合と拡散の素過程の定量的情報が明らかになった。
英文摘要
本研究では分子動力学の方法を用いて、金属の結晶成長をシミュレートした。純金属の原子間の相互作用を2体及び、付近の多体N個の原子配置により表わし、このポテンシャルを用いて気相からの結晶成長を分子動力学を用いて計算し、その成長機構をしらべた。金属中の原子間相互作用は2体問題では取扱いにくく、多体問題を考慮に入れたN体ポンテシャルが開発されている。原子の相互作用を計算するとき単に2つの原子の間の距離のみでなく他の原子からの影響も考慮に入れた密度汎関数による多体ポンテシャルである。本研究ではembedded atom法により決められた多体ポンテシャルを用いた。具体的には純銅で面心立方中のイオン間のN体ポテンシャルを用いて、分子動力学法を用いて、気相からの結晶成長のシミュレーションの動的挙動を電子論も考慮した形で計算した。これらの計算結果をビジュアルにビデオテープに出し、結晶成長機構を原子的に解明に役立った。計算結果においては表面の気相成長の場合に表面拡散が非常に重要なことがわかった。N体ポテンシャルを用いて表面のad-atomおよびそのクラスターと表面との結合エネルギー、移動のエネルギーを計算した。その結果銅においてはad-atomは(111)面上を非常に容易に動けることがわかった。(111)面[最密原子面]では原子の拡散が非常に容易で重要であることがわかった。ad-atomのクラスター、および表面の空孔はad-atomと比べてかなり動きにくいことがわかった。これは銅にかぎらず、多くの面心立方格子に共通したものと考えられる。これら結合と拡散の素過程の定量的情報が明らかになった。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.M.Wang,B.y.Wang,S.H.Zhang,M.Doyama: "Study of the Crystal Defects in Fe Cr Nc Alloy" Materials Science Forum. 105-110. 1321-1324 (1992)
T.M.Wang，B.y.Wang，S.H.Zhang，M.Doyama：“Fe Cr Nc合金中晶体缺陷的研究”材料科学论坛。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Doyama: "Positron Trapping Model in n-Type Semieonductors with Vacancies" Materials Science Forum. 105〜110. 985-988 (1992)
M. Doyama：“带空位的 n 型半导体中的正电子捕获模型”材料科学论坛 105-110 (1992)。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
S.Ishibashi,R.Yamamoto,M.Doyama,T.MatSumoto: "Temperature Variation of Positron Lifetime in YBa_2(Cu_<1-x>M_x)_3O_<7-y>(M:Fe,Ni,Zn)" Materials Science Forum. 105-110. 1081-1084 (1992)
S.Ishibashi,R.Yamamoto,M.Doyama,T.MatSumoto：“YBa_2(Cu_<1-x>M_x)_3O_<7-y>(M:Fe,Ni,Zn)材料中正电子寿命的温度变化”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.Doyama,Y.Suzuki M.Shimotomai: "Positron Annihilation in Silicon Single Crystals" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B63. 163-169 (1992)
M.Doyama，Y.Suzuki M.Shimotomai：“硅单晶中的正电子湮灭”物理研究中的核仪器和方法。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
  • 批准号：
    09229247
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    堂山 昌男
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
  • 批准号：
    08243245
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    堂山 昌男
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
再放出陽電子顕微鏡の製作とその応用
  • 批准号：
    08650775
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    堂山 昌男
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
多孔スリットを用いた陽電子顕微鏡の製作とその応用
  • 批准号：
    07640495
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    堂山 昌男
  • 依托单位：
    Teikyo University of Science & Technology
海外基金