陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究
使用正电子研究半导体中的晶体缺陷和掺杂态
基本信息
- 批准号:04650025
- 负责人:
- 金额:$ 1.34万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
- 财政年份:1992
- 资助国家:日本
- 起止时间:1992 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究では分子動力学の方法を用いて、金属の結晶成長をシミュレートした。純金属の原子間の相互作用を2体及び、付近の多体N個の原子配置により表わし、このポテンシャルを用いて気相からの結晶成長を分子動力学を用いて計算し、その成長機構をしらべた。金属中の原子間相互作用は2体問題では取扱いにくく、多体問題を考慮に入れたN体ポンテシャルが開発されている。原子の相互作用を計算するとき単に2つの原子の間の距離のみでなく他の原子からの影響も考慮に入れた密度汎関数による多体ポンテシャルである。本研究ではembedded atom法により決められた多体ポンテシャルを用いた。具体的には純銅で面心立方中のイオン間のN体ポテンシャルを用いて、分子動力学法を用いて、気相からの結晶成長のシミュレーションの動的挙動を電子論も考慮した形で計算した。これらの計算結果をビジュアルにビデオテープに出し、結晶成長機構を原子的に解明に役立った。計算結果においては表面の気相成長の場合に表面拡散が非常に重要なことがわかった。N体ポテンシャルを用いて表面のad-atomおよびそのクラスターと表面との結合エネルギー、移動のエネルギーを計算した。その結果銅においてはad-atomは(111)面上を非常に容易に動けることがわかった。(111)面[最密原子面]では原子の拡散が非常に容易で重要であることがわかった。ad-atomのクラスター、および表面の空孔はad-atomと比べてかなり動きにくいことがわかった。これは銅にかぎらず、多くの面心立方格子に共通したものと考えられる。これら結合と拡散の素過程の定量的情報が明らかになった。
In this study, the molecular kinetic methods were used for the growth of metal and metal crystals. The interaction between metal and metal atoms is calculated by the calculation of molecular dynamics, and the growth mechanism is used to calculate the molecular dynamics of the metal-metal interatomic interaction between metal and metal atoms. The two-body problem of interatomic interaction in metal is used to solve the problem of interatomic interaction in metals, and the multi-body problem is used to solve the problem of interatomic interaction in metals. The calculation of atomic interaction is based on the calculation of the distance between atoms and the distance between atoms. The impact of other atoms is calculated by the calculation of atomic interaction. In this study, embedded atom method was used to determine the use of multi-body drugs. In the face-centered cube, it is necessary to use the molecular dynamics method, the molecular dynamics method, the crystal growth method and the computer computer to calculate the performance of the FCC. The results of the computer calculation show that the operation of the atomic system is based on the results of the calculation. The calculation results show that the growth of the surface phase is very important. The computer is used to calculate the number of computers on the surface of the computer, which is based on the combination of the ad-atom and the transmission data. It is very easy to move on the surface of the ad-atom. (111) the surface [the densest atomic surface] is very easy to scatter and is very important. The ad-atom, the surface, the empty hole, the ad-atom, the hole, the hole. Please tell me that there is a common grid of face-centered squares and multi-faceted squares. This method is combined with the quantitative information of the process of disinfectant.
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.M.Wang,B.y.Wang,S.H.Zhang,M.Doyama: "Study of the Crystal Defects in Fe Cr Nc Alloy" Materials Science Forum. 105-110. 1321-1324 (1992)
T.M.Wang,B.y.Wang,S.H.Zhang,M.Doyama:“Fe Cr Nc合金中晶体缺陷的研究”材料科学论坛。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Doyama: "Positron Trapping Model in n-Type Semieonductors with Vacancies" Materials Science Forum. 105〜110. 985-988 (1992)
M. Doyama:“带空位的 n 型半导体中的正电子捕获模型”材料科学论坛 105-110 (1992)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
S.Ishibashi,R.Yamamoto,M.Doyama,T.MatSumoto: "Temperature Variation of Positron Lifetime in YBa_2(Cu_<1-x>M_x)_3O_<7-y>(M:Fe,Ni,Zn)" Materials Science Forum. 105-110. 1081-1084 (1992)
S.Ishibashi,R.Yamamoto,M.Doyama,T.MatSumoto:“YBa_2(Cu_<1-x>M_x)_3O_<7-y>(M:Fe,Ni,Zn)材料中正电子寿命的温度变化”
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Doyama,Y.Suzuki M.Shimotomai: "Positron Annihilation in Silicon Single Crystals" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B63. 163-169 (1992)
M.Doyama,Y.Suzuki M.Shimotomai:“硅单晶中的正电子湮灭”物理研究中的核仪器和方法。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
堂山 昌男其他文献
Point defects and defect interactions in metals
金属中的点缺陷和缺陷相互作用
- DOI:
- 发表时间:
1982 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Defect Clusters in B.C.C. Metals;高村 仁一;堂山 昌男;桐谷 道雄 - 通讯作者:
桐谷 道雄
堂山 昌男的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('堂山 昌男', 18)}}的其他基金
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
功能梯度材料的计算机模拟
- 批准号:
09229247 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
傾斜機能材料のコンピュータ・シミュレーション
功能梯度材料的计算机模拟
- 批准号:
08243245 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
再放出陽電子顕微鏡の製作とその応用
再发射正电子显微镜的制作及其应用
- 批准号:
08650775 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
多孔スリットを用いた陽電子顕微鏡の製作とその応用
多孔狭缝正电子显微镜的制作及其应用
- 批准号:
07640495 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
高温電界イオン顕微鏡の製作とその応用
高温场离子显微镜的制作及其应用
- 批准号:
06650031 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
分子動力学による金属の結晶成長機構の研究
利用分子动力学研究金属晶体生长机制
- 批准号:
05211220 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
陽電子消滅法による半導体中の結晶欠陥の研究
正电子湮灭法研究半导体晶体缺陷
- 批准号:
05650626 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
分子動力学による金属及び合金の結晶成長機構の研究
利用分子动力学研究金属和合金的晶体生长机制
- 批准号:
04227227 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
分子動力学による金属及び合金の結晶成長機構の研究
利用分子动力学研究金属和合金的晶体生长机制
- 批准号:
03243228 - 财政年份:1991
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
極限状態または非平衡状態での材料作製プロセス
极端或非平衡条件下的材料制造过程
- 批准号:
01604010 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
相似海外基金
電極積層構造制御による二次元半導体のショットキー障壁制御
通过控制电极堆叠结构控制二维半导体中的肖特基势垒
- 批准号:
24KJ0622 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ポテンシャルを精密に制御した半導体量子井戸構造中の熱電子冷却に関する研究
电势精确控制的半导体量子阱结构热电子冷却研究
- 批准号:
24KJ0678 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
半導体用放熱材への応用を考慮した高熱伝導性高分子液晶の創成と熱伝導機構の解明
考虑用作半导体散热材料的高导热聚合物液晶的创建和热传导机制的阐明
- 批准号:
24K08082 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドットの電子・核スピン相関時間と四極子効果の変調による核偏極の自在制御
通过调制半导体量子点中电子/核自旋相关时间和四极效应自由控制核极化
- 批准号:
24K08189 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
テラヘルツ波で駆動する半導体及び遷移金属のスピン流の時空間分解観測と精密測定
太赫兹波驱动的半导体和过渡金属自旋电流的时空分辨观测和精确测量
- 批准号:
24KJ0572 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
薄膜半導体による高エネルギー量子ビーム計測の新展開
利用薄膜半导体进行高能量子束测量的新进展
- 批准号:
24K07078 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体量子ドット集合系での超蛍光発生機構における量子揺らぎの観測と制御
半导体量子点组装系统中超荧光产生机制中量子涨落的观测与控制
- 批准号:
24K06929 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
アモルファス有機半導体の特異な分子レベルの電荷局在とその観察
非晶有机半导体中独特的分子级电荷定位及其观察
- 批准号:
24K00931 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高速光ファイバー無線システムのための偏波無依存アンテナ集積半導体光変調器の実現
高速光纤无线系统偏振无关天线集成半导体光调制器的实现
- 批准号:
24K01381 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
不飽和半導体-金属ナノ粒子光触媒によるCO2から各種C2,3生成物への自在で精密な制御
使用不饱和半导体-金属纳米粒子光催化剂灵活精确地控制CO2生成各种C2,3产物
- 批准号:
24K01522 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.34万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)