SiGe Channel FETs for High-Performance CMOS with Advanced High-K/SiGe Gate Stack
SiGe Channel FETs for High-Performance CMOS with Advanced High-K/SiGe Gate Stack
用于高性能 CMOS 的 SiGe 通道 FET，具有先进的高 K/SiGe 栅极堆栈
批准号：
20J10380
负责人：
李 宗恩
金额：
$1.09万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
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英文摘要
Ultrathin EOT TiN/Y 2 O 3 /SiGe gate stacks with EOT of 1.05 nm, the low D it of 1.1×10 11 eV -1 cm -2 , and comparable leakage current among other reported Si-cap-free SiGe MOS interfaces has been demonstrated. The improvement of the performance and reduction of S.S. have been found in the Si 0.8 Ge 0.2 /SOI pFinFETs with this gate stack.
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Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces
重新审视 ALD 高 k 材料对 SiGe 金属-氧化物-半导体界面缺陷减少的影响
重新审视 ALD 高 k 材料对 SiGe 金属-氧化物-半导体界面缺陷减少的影响
DOI：
10.1063/5.0061573
发表时间：
2021
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
[T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties
Y2O3基SiGe MOS界面特性的缺陷控制
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DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
Characterization of slow traps in MOS interfaces of TiN/Y2O3/SiGe gate stacks
TiN/Y2O3/SiGe 栅堆叠 MOS 界面中慢陷阱的表征
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DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
铁电 FET 中的极化/电荷耦合及其对存储特性的影响
铁电 FET 中的极化/电荷耦合及其对存储特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[トープラサートポン カシディット, 林早陽;, 李宗恩, 竹中充, 高木信一]
通讯作者：
高木信一
Revision of conductance method for evaluating interface state density at MFIS interfaces
修正用于评估 MFIS 界面界面态密度的电导方法
修正用于评估 MFIS 界面界面态密度的电导方法
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T.-E. Lee, Z. -Y. Lin, K. Toprasertpong, M. Takenaka, and S. Takagi]
通讯作者：
and S. Takagi
共 16 条
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