课题基金 / 基金详情

SiGe Channel FETs for High-Performance CMOS with Advanced High-K/SiGe Gate Stack

SiGe Channel FETs for High-Performance CMOS with Advanced High-K/SiGe Gate Stack
用于高性能 CMOS 的 SiGe 通道 FET,具有先进的高 K/SiGe 栅极堆栈
批准号:
20J10380
负责人:
李 宗恩
金额:
$1.09万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-24 至 2022-03-31

项目摘要

项目成果

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Ultrathin EOT TiN/Y 2 O 3 /SiGe gate stacks with EOT of 1.05 nm, the low D it of 1.1×10 11 eV -1 cm -2 , and comparable leakage current among other reported Si-cap-free SiGe MOS interfaces has been demonstrated. The improvement of the performance and reduction of S.S. have been found in the Si 0.8 Ge 0.2 /SOI pFinFETs with this gate stack.
期刊论文(18)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces
重新审视 ALD 高 k 材料对 SiGe 金属-氧化物-半导体界面缺陷减少的影响
DOI: 10.1063/5.0061573
发表时间: 2021
期刊: AIP Advances
影响因子: 1.6
作者: [T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者: M. Takenaka and S. Takagi
Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties
Y2O3基SiGe MOS界面特性的缺陷控制
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者: M. Takenaka and S. Takagi
Characterization of slow traps in MOS interfaces of TiN/Y2O3/SiGe gate stacks
TiN/Y2O3/SiGe 栅堆叠 MOS 界面中慢陷阱的表征
DOI: --
发表时间: 2021
期刊:
影响因子: --
作者: [T.-E. Lee, K. Toprasertpong, M. Takenaka and S. Takagi]
通讯作者: M. Takenaka and S. Takagi
強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
铁电 FET 中的极化/电荷耦合及其对存储特性的影响
DOI: --
发表时间: 2020
期刊:
影响因子: --
作者: [トープラサートポン カシディット, 林早陽;, 李宗恩, 竹中充, 高木信一]
通讯作者: 高木信一
16
    海外基金