权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

SiGe Channel FETs for High-Performance CMOS with Advanced High-K/SiGe Gate Stack

用于高性能 CMOS 的 SiGe 通道 FET，具有先进的高 K/SiGe 栅极堆栈

基本信息

批准号：
20J10380
负责人：
李宗恩
金额：
$ 1.09万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20J10380/
关键词：
SiGe MOS interface high-k interface trap states EOT

项目摘要

Ultrathin EOT TiN/Y 2 O 3 /SiGe gate stacks with EOT of 1.05 nm, the low D it of 1.1×10 11 eV -1 cm -2 , and comparable leakage current among other reported Si-cap-free SiGe MOS interfaces has been demonstrated. The improvement of the performance and reduction of S.S. have been found in the Si 0.8 Ge 0.2 /SOI pFinFETs with this gate stack.

该器件具有超薄的TiN/Y2 O3/SiGe栅叠层，其EOT为1.05nm，D_（it）为1.1× 1011 eV-1cm-2，漏电流与其它已报道的Si-cap-free SiGe MOS接口相当。提高性能和减少S. S。在具有这种栅叠层的Si 0.8Ge 0.2/SOI pFinFET中发现了这种缺陷。

项目成果

期刊论文数量（18）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces

重新审视 ALD 高 k 材料对 SiGe 金属-氧化物-半导体界面缺陷减少的影响

DOI：
10.1063/5.0061573
发表时间：
2021
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi

Defect control of Y2O3-based SiGe MOS interfaces properties

Y2O3基SiGe MOS界面特性的缺陷控制

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi

Characterization of slow traps in MOS interfaces of TiN/Y2O3/SiGe gate stacks

TiN/Y2O3/SiGe 栅堆叠 MOS 界面中慢陷阱的表征

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi

強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響

铁电 FET 中的极化/电荷耦合及其对存储特性的影响

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
トープラサートポンカシディット;林早陽;;李宗恩;竹中充;高木信一
通讯作者：
高木信一

Improvement of “ performance of Si0.8Ge0.2/SOI p - FinFETs by ultrathin Y2O3 gate stacks with TMA treatment

通过 TMA 处理的超薄 Y2O3 栅堆叠提高 Si0.8Ge0.2/SOI p - FinFET 的性能

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
T. - E. Lee ;S. - T. Huang;C. - Y. Yang;K. Toprasertpong;M. Takenaka;Y. - J. Lee and S. Takagi
通讯作者：
Y. - J. Lee and S. Takagi