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Application research for high mobility Ge MOSFET by charge compensation at MOS interface
MOS接口电荷补偿高迁移率Ge MOSFET的应用研究
基本信息
- 批准号：25886010
- 负责人：
- 金额：$ 1.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-08-30 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical Properties of Metal/Ge contacts with Nitrogen-Contained Amorphous Interlayers
含氮非晶中间层金属/Ge接触的电性能
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yamamoto;R. Noguchi;M. Mitsuhara;M. Nishida;T. Hara;D. Wang;H. Nakashima
- 通讯作者：H. Nakashima
Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin
极低电子势垒高度金属氮化物/Ge接触的制备及其物理起源的阐明
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
- 通讯作者：H. Nakashima
非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調
非晶Ge界面层和N对Ge接触的外在能级和S因子的调节
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：金澤拓也;山本直希;野口 竜太郎，光原 昌寿，山本 圭介，西田 稔，中島 寛，原 徹;山本 圭介，王 冬，中島 寛
- 通讯作者：山本 圭介，王 冬，中島 寛
Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査
Al2O3/GeOx/Ge 栅叠层中 Al-PMA 效应的研究
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：永冨 雄太;長岡 裕一;山本 圭介;王 冬;中島 寛
- 通讯作者：中島 寛
Effect of Al post metallization annealing on Al2O3/GeOx/Ge gate stacks
Al 金属化后退火对 Al2O3/GeOx/Ge 栅叠层的影响
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Nagatomi;Y. Nagaoka;S. Tanaka;K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
- 通讯作者：H. Nakashima
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YAMAMOTO Keisuke其他文献
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The realization of steep slope tunnel FET on Ge-on-Insulator substrate
Ge-on-Insulator衬底上陡坡隧道FET的实现
- 批准号：
19K15028 - 财政年份：2019
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$ 1.75万 - 项目类别：
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具有优异半导体性能的新型四苯并卟啉的开发
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- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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黄铜矿相ZnSnP_2有序-无序转变与半导体性能的关系
- 批准号：
21760599 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
蛍光EXAFS法による半導体中の極希薄原子周辺局所構造と半導体物性の解析
利用荧光 EXAFS 方法分析半导体中超稀原子周围的局域结构和半导体物理性质
- 批准号：
12750259 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
炭化ホウ素のCVD合成と熱電半導体物性
碳化硼的CVD合成及热电半导体性能
- 批准号：
01550589 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
黒リン単結晶の半導体物性の実験的・理論的研究
黑磷单晶半导体性能的实验与理论研究
- 批准号：
57460018 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
弾性表面波の半導体物性研究への応用
声表面波在半导体物性研究中的应用
- 批准号：
X00090----255007 - 财政年份：1977
- 资助金额：
$ 1.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)