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Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation

SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究

基本信息

批准号：
25286054
负责人：
Fujinoki Takahide
金额：
$ 11.98万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

ESR study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in P-type and Semi-insulating 4H-SiC

P型半绝缘4H-SiC本征缺陷氢钝化的ESR研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Murakami;S. Tanai;T. Okuda;J. Suda;T. Kimoto;and T. Umeda
通讯作者：
and T. Umeda

4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量

4H-SiC MOS界面氮化处理中氮掺杂的ESR定量

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
梅田享英;佐藤嘉洋;佐久間由貴;小杉亮治
通讯作者：
小杉亮治

電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察

使用电流检测 ESR 观察 C 面 4H-SiC MOSFET 界面缺陷的氢脱附

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
荒井亮;梅田享英;佐藤嘉洋;岡本光央;原田信介;小杉亮治;奥村元;牧野高紘;大島武
通讯作者：
大島武

水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET

富氢湿法再氧化制备4H-SiC(000-1)表面MOSFET

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
岡本光央;巻渕陽一;荒岡幹;宮里真樹;須ケ原紀之　;堤岳志;大西泰彦;木村浩;原田信介;福田憲司;大月章弘;奥村元
通讯作者：
奥村元

4H-SiC中の空孔欠陥と水素の反応と、水素複合欠陥のESR評価

4H-SiC中空位缺陷与氢的反应及氢化合物缺陷的ESR评价

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
棚井創基;村上功樹;奥田貴史;須田淳;木本恒暢;小杉亮治;大島武;梅田享英
通讯作者：
梅田享英

DOI：
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作者：
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