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Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation

Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究
批准号:
25286054
负责人:
Fujinoki Takahide
金额:
$11.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013-04-01 至 2016-03-31

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DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
作者: [K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda]
通讯作者: and T. Umeda
4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
4H-SiC MOS界面氮化处理中氮掺杂的ESR定量
DOI: --
发表时间: 2014
期刊:
影响因子: --
作者: [梅田享英, 佐藤嘉洋, 佐久間由貴, 小杉亮治]
通讯作者: 小杉亮治
電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
使用电流检测 ESR 观察 C 面 4H-SiC MOSFET 界面缺陷的氢脱附
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [荒井亮, 梅田享英, 佐藤嘉洋, 岡本光央, 原田信介, 小杉亮治, 奥村元, 牧野高紘, 大島武]
通讯作者: 大島武
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: [岡本光央, 巻渕陽一, 荒岡幹, 宮里真樹, 須ケ原紀之 , 堤岳志, 大西泰彦, 木村浩, 原田信介, 福田憲司, 大月章弘, 奥村元]
通讯作者: 奥村元
共 22 条
    国内基金
    海外基金
    基于c轴取向4H-SiC/等离激元TiNx异质结的高温光电神经突触器件研究
    • 批准号:
      52502177
    • 项目类别:
      青年科学基金项目(C类)
    • 资助金额:
      30.00万元
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      刘晓
    • 依托单位:
    Al离子注入/高温退火致4H-SiC晶体应力场对基面位错演化的影响机制及其与器件特性的相关性
    • 批准号:
      62401157
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      30.00万元
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      左元慧
    • 依托单位:
    基于无损检测技术的8英寸4H-SiC位错缺陷检测及调控技术研究
    • 批准号:
      62404209
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      30.00万元
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      高慧
    • 依托单位:
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号:
      2024JJ5044
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2024
    • 负责人:
      吴丽娟
    • 依托单位: