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Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation

Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究
批准号：
25286054
负责人：
Fujinoki Takahide
金额：
$11.98万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25286054/
关键词：
パワーエレクトロニクス4H-SiCMOSFET界面準位電子スピン共鳴分光チャネル移動度閾値変動炭化ケイ素酸化膜界面界面欠陥電界効果トランジスタESR法電流検出ESR法MOS界面しきい値電圧ESREDMR界面窒素チャネルドーピング界面水素しきい値シフト移動度劣化

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ESR study on Hydrogen Passivation of Intrinsic Defects in P-type and Semi-insulating 4H-SiC
P型半绝缘4H-SiC本征缺陷氢钝化的ESR研究
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [K. Murakami, S. Tanai, T. Okuda, J. Suda, T. Kimoto, and T. Umeda]
通讯作者： and T. Umeda
4H-SiC MOS界面窒化処理における窒素ドーピングのESR定量
4H-SiC MOS界面氮化处理中氮掺杂的ESR定量
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [梅田享英, 佐藤嘉洋, 佐久間由貴, 小杉亮治]
通讯作者： 小杉亮治
電流検出ESRによる C面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察
使用电流检测 ESR 观察 C 面 4H-SiC MOSFET 界面缺陷的氢脱附
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [荒井亮, 梅田享英, 佐藤嘉洋, 岡本光央, 原田信介, 小杉亮治, 奥村元, 牧野高紘, 大島武]
通讯作者： 大島武
水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET
富氢湿法再氧化制备4H-SiC(000-1)表面MOSFET
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： [岡本光央, 巻渕陽一, 荒岡幹, 宮里真樹, 須ケ原紀之　, 堤岳志, 大西泰彦, 木村浩, 原田信介, 福田憲司, 大月章弘, 奥村元]
通讯作者： 奥村元
共 22 条
    国内基金
    海外基金
    高可靠 4H-SiC MOSFET 能带调控机理与低沟道势垒 新结构研究
    • 批准号：
      2024JJ5044
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      吴丽娟
    • 依托单位：
      长沙理工大学
    4H-SiC 基光电神经突触器件及其紫外视觉感 知应用
    • 批准号：
      Q24F040030
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      刘晓
    • 依托单位：
      杭州电子科技大学
    基于碰撞电离各向异性的4H-SiC超结导通电阻-击穿电压理论极限
    石墨烯/4H-SiC PIN探测器及其辐照性能研究
    • 批准号：
      12305207
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      王聪聪
    • 依托单位：
      中国科学院高能物理研究所