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合成キノン類を駆使した呼吸鎖複合体-Iの基質認識機構の解明

使用合成醌阐明呼吸链复合物-I 的底物识别机制

基本信息

批准号：
20J13148
负责人：
宇野晋平
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

光反応性基であるジアジリンとヨウ素をmetaあるいはpara置換した2系統の光反応性UQ類を合成した。para体とmeta体を比較するとpara体のほうが約1Å程嵩高い。亜ミトコンドリア粒子（SMPs）を用いて複合体-Iにおける電子伝達活性を評価したところ、2系統のpUQ類は同程度の活性を示した。しかし、単離複合体-Iにおける電子受容活性を評価すると、meta体に対してpara体の活性が顕著に低下することがわかった。これは単離複合体-Iにおいてのみ、わずかな立体障害の差異を大きく反映していることを示していると考えられる。その後、ヨウ素を放射性同位体125Iに置換して光親和性標識実験を行ったところ、複合体-Iのキノン反応ポケットを構成するサブユニットの1つであるND1が特異的に標識されることがわかった。SMPs中の“ネイティブ”複合体-Iと単離複合体-Iのそれぞれにおいて、標識されたND1を分離して消化酵素切断に供したところ、両者の間で結合部位にわずかな違いがあることがわかった。これらの結果は、“ネイティブ”複合体-Iと単離複合体-Iの間にはキノン反応ポケットの構造に差異があることを示唆している。さらに、“ネイティブ”複合体-IにおいてND1サブユニットにおける結合部位を比較すると、大きく異っていることがわかった。さらに、キノン反応ポケット近傍に結合する複数の阻害剤を用いて光反応性キノンとの拮抗試験を行ったところ、光反応性キノンの側鎖構造を反映してそれぞれ異なる拮抗パターンを示すことがわかった。これらの結果は、光反応性キノンは側鎖構造に依存して異なる侵入経路を経て電子を受容することを示唆している。以上の得られた結果は、現在論文としてまとめ投稿中である。

The light reflection base is composed of two kinds of elements. Para body and meta body are compared. Para body and meta body are compared. Para body and meta body are compared. The activity of electron transfer in complex I and complex II was evaluated and the activity of pUQ in system II was shown. The electron acceptor activity of the isolated complex is evaluated, and the electron acceptor activity of the meta-complex is reduced. The difference between the three dimensional barriers is reflected in the complex. The photoaffinity label of the radioisotope 125I is replaced by the photoaffinity label of the radioisotope 125I. The photoaffinity label of the radioisotope 125I is replaced by the photoaffinity label of the radioisotope 125I. SMPs are composed of complex-I and complex-I, which are separated from each other by the enzyme, and the binding site between them. The result of this is that the complex-I and the complex-I are different in structure. The complex of ""-I In addition, a plurality of resistance agents are used to reflect the optical reflectivity and the antagonistic properties of the optical reflectivity and the lateral locking structure of the optical reflectivity. The result is that the optical reflectivity depends on the structure of the side lock, and the electron resistance depends on the structure of the side lock. The above is the result of the paper.