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Fabrication of tunnel junction devices using antiferromagnetic materials for the realization of ultra-high-density memories

Fabrication of tunnel junction devices using antiferromagnetic materials for the realization of ultra-high-density memories
使用反铁磁材料制造隧道结器件以实现超高密度存储器
批准号：
20K04569
负责人：
WEN Zhenchao
金额：
$2.75万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04569/
关键词：
Tunnel junctionsAntiferromagneticTunnel magnetoresistanceAntiferromagnetic filmsAntiferromagnet

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DOI： --
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期刊：
影响因子： --
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通讯作者： シェーク トーマス 介川 裕章 向 清懿 温 振超 大久保 忠勝 宝野 和博 三谷 誠司
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DOI： --
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期刊：
影响因子： --
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DOI： --
发表时间： 2023
期刊：
影响因子： --
作者： [Thomas Scheike, Zhenchao Wen, Shinya Kasai, Hiroaki Sukegawa, Seiji Mitani]
通讯作者： Seiji Mitani
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