Study on performance and reliability improvements of CdTe/Si X-ray imaging detectors
Study on performance and reliability improvements of CdTe/Si X-ray imaging detectors
批准号:
20K04619
负责人:
Niraula Madan
金额:
$2.66万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31
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Dislocation Density Reduction in MOVPE-Grown (211)CdTe/Si by Post-Growth Pattering and Annealing
通过后生长图案化和退火降低 MOVPE 生长的 (211)CdTe/Si 中的位错密度
DOI:
10.1007/s11664-023-10318-9
发表时间:
2023
期刊:
Journal of Electronic Materials
影响因子:
2.1
作者:
[B. S. Chaudhari, M. Niraula, Y. Takagi, R. Okumura, K. P. Sharma, T. Maruyama]
通讯作者:
T. Maruyama
Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique
使用后生长图案化和退火技术减少 CdTe/Si 外延层中的穿透位错的研究
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Bal Singh Chaudhari, Yutaka Takagi, Ryo Okumura, Madan Niraula]
通讯作者:
Madan Niraula
MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討
MOVPE法在n+-(211)Si上生长CdTe生长层的生长退火研究
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松原敏樹, 小林竜大, 後藤颯汰, 藤井成弥, 中島幸寛, 平野颯涼, ニラウラ マダン, 安田和人]
通讯作者:
安田和人
Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance
蒸发金触点 CdTe 探测器的低温退火及其对探测器性能的影响
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Niraula, K. Yasuda, Y. Takagi, and S. Fuji]
通讯作者:
and S. Fuji
Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis
硅异质结二极管外延 CdTe 型探测器性能与分析
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M. Niraula, K. Yasuda, B. S. Chaudhari, H. Goto, T. Kobayashi, S. Fujii,]
通讯作者:
S. Fujii,
共 7 条
Development of highly efficient and stable photon-counting type X-ray detectors using single crystal metal halide perovskite semiconductors
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批准号:24K15592
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.91万
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财政年份:2024
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负责人:Niraula Madan
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依托单位:
海外基金