Study on performance and reliability improvements of CdTe/Si X-ray imaging detectors

CdTe/Si X射线成像探测器性能和可靠性改进研究

• 批准号: 20K04619
• 负责人: Niraula Madan
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04619/
• 关键词: 放射線検出器; 医療診断; CdTe; エピタキシャル成長層; ヘテロ接合ダイオード; 暗電流; 転位密度; CdTe厚膜成長層; 転位密度低減; 熱処理; CdTe 厚膜成長層; 放射線画像検出器; 検出器特性; 安定性; X線、ガンマ線; エネルギー識別

项目成果

Dislocation Density Reduction in MOVPE-Grown (211)CdTe/Si by Post-Growth Pattering and Annealing

通过后生长图案化和退火降低 MOVPE 生长的 (211)CdTe/Si 中的位错密度

• DOI: 10.1007/s11664-023-10318-9
• 发表时间: 2023
• 期刊: Journal of Electronic Materials
• 影响因子: 2.1
• 作者: B. S. Chaudhari;M. Niraula;Y. Takagi;R. Okumura;K. P. Sharma;T. Maruyama
• 通讯作者: T. Maruyama

Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique

使用后生长图案化和退火技术减少 CdTe/Si 外延层中的穿透位错的研究

• 发表时间: 2022
• 作者: Bal Singh Chaudhari;Yutaka Takagi;Ryo Okumura;Madan Niraula
• 通讯作者: Madan Niraula

MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討

MOVPE法在n+-(211)Si上生长CdTe生长层的生长退火研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 松原敏樹;小林竜大;後藤颯汰;藤井成弥;中島幸寛;平野颯涼;ニラウラ マダン;安田和人
• 通讯作者: 安田和人

Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance

蒸发金触点 CdTe 探测器的低温退火及其对探测器性能的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: M. Niraula; K. Yasuda;Y. Takagi;and S. Fuji
• 通讯作者: and S. Fuji

Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis

硅异质结二极管外延 CdTe 型探测器性能与分析

• 发表时间: 2020
• 作者: M. Niraula;K. Yasuda;B. S. Chaudhari;H. Goto;T. Kobayashi;S. Fujii,
• 通讯作者: S. Fujii,