Neural Network Engine based on a Blind Learning Algorithm

基于盲学习算法的神经网络引擎

• 批准号: 20K04626
• 负责人: OHSAWA Takashi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K04626/
• 关键词: ディープ・ニューラル・ネットワーク; イン・メモリ・コンピューティング; 不揮発性メモリ; オフセット電圧; オペアンプ; トレーニング・プログラム; MOSFET; 閾値電圧ばらつき; ニューラルネットワーク; 不揮発性メモリデバイス; アンデュアランス; ニューロモルフィックシステム; 新機能メモリ

项目成果

A gate leakage current-powered loadless 4T SRAM with immunity against random dopant fluctuation and surface roughness in silicon-silicon dioxide interface

一种栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，具有抗硅-二氧化硅界面随机掺杂波动和表面粗糙度的能力

• DOI: 10.35848/1347-4065/aca33b
• 发表时间: 2023
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: Yihan ZHU;Takashi OHSAWA
• 通讯作者: Takashi OHSAWA

Array Design of High-Density Emerging Memories Making Clamped Bit-Line Sense Amplifier Compatible with Dummy Cell Average Read Scheme

高密度新兴存储器的阵列设计使钳位位线读出放大器与虚拟单元平均读取方案兼容

• DOI: 10.1587/transele.2019ecp5039
• 发表时间: 2020
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics
• 影响因子: 0.5
• 作者: Ziyue ZHANG;Takashi OHSAWA
• 通讯作者: Takashi OHSAWA

A Loadless 4T SRAM Powered by Gate Leakage Current with a High Tolerance for Fluctuations in Device Parameters

栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，对器件参数波动具有高耐受性

• DOI: 10.35848/1347-4065/ac44ce
• 发表时间: 2022
• 期刊: Jpn. J. Appl. Phys.
• 作者: Yihan ZHU;Takashi OHSAWA
• 通讯作者: Takashi OHSAWA

Compact Model of Magnetic Tunnel Junctions for SPICE Simulation Based on Switching Probability

基于开关概率的 SPICE 仿真磁隧道结紧凑模型

• DOI: 10.1587/transele.2020ecp5011
• 发表时间: 2021
• 期刊: IEICE Transactions on Electronics
• 影响因子: 0.5
• 作者: Haoyan LIU;Takashi OHSAWA
• 通讯作者: Takashi OHSAWA

Spin-Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction Model Based on Fokker-Planck Equation for Stochastic Circuit Simulations

基于 Fokker-Planck 方程的随机电路仿真自旋转移扭矩磁隧道结模型

• 发表时间: 2022
• 作者: Haoyan LIU;Takashi OHSAWA
• 通讯作者: Takashi OHSAWA