Neural Network Engine based on a Blind Learning Algorithm
Neural Network Engine based on a Blind Learning Algorithm
基于盲学习算法的神经网络引擎
批准号：
20K04626
负责人：
OHSAWA Takashi
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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A gate leakage current-powered loadless 4T SRAM with immunity against random dopant fluctuation and surface roughness in silicon-silicon dioxide interface
一种栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，具有抗硅-二氧化硅界面随机掺杂波动和表面粗糙度的能力
一种栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，具有抗硅-二氧化硅界面随机掺杂波动和表面粗糙度的能力
DOI：
10.35848/1347-4065/aca33b
发表时间：
2023
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[Yihan ZHU, Takashi OHSAWA]
通讯作者：
Takashi OHSAWA
Array Design of High-Density Emerging Memories Making Clamped Bit-Line Sense Amplifier Compatible with Dummy Cell Average Read Scheme
高密度新兴存储器的阵列设计使钳位位线读出放大器与虚拟单元平均读取方案兼容
高密度新兴存储器的阵列设计使钳位位线读出放大器与虚拟单元平均读取方案兼容
DOI：
10.1587/transele.2019ecp5039
发表时间：
2020
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
[Ziyue ZHANG, Takashi OHSAWA]
通讯作者：
Takashi OHSAWA
A Loadless 4T SRAM Powered by Gate Leakage Current with a High Tolerance for Fluctuations in Device Parameters
栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，对器件参数波动具有高耐受性
栅极漏电流供电的无负载 4T SRAM，对器件参数波动具有高耐受性
DOI：
10.35848/1347-4065/ac44ce
发表时间：
2022
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[Yihan ZHU, Takashi OHSAWA]
通讯作者：
Takashi OHSAWA
Compact Model of Magnetic Tunnel Junctions for SPICE Simulation Based on Switching Probability
基于开关概率的 SPICE 仿真磁隧道结紧凑模型
基于开关概率的 SPICE 仿真磁隧道结紧凑模型
DOI：
10.1587/transele.2020ecp5011
发表时间：
2021
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
[Haoyan LIU, Takashi OHSAWA]
通讯作者：
Takashi OHSAWA
Spin-Transfer Torque Magnetic Tunnel Junction Model Based on Fokker-Planck Equation for Stochastic Circuit Simulations
基于 Fokker-Planck 方程的随机电路仿真自旋转移扭矩磁隧道结模型
基于 Fokker-Planck 方程的随机电路仿真自旋转移扭矩磁隧道结模型
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Haoyan LIU, Takashi OHSAWA]
通讯作者：
Takashi OHSAWA
共 10 条