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Reduction of defect density in silicon quantum dot light-absorbers using hydrogen plasma treatment

使用氢等离子体处理降低硅量子点光吸收器中的缺陷密度

基本信息

批准号：
20K05075
负责人：
Kurokawa Yasuyoshi
金额：
$ 2.83万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K05075/
关键词：
シリコン量子ドットプラズマ太陽電池ベイズ最適化水素

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

シリコンナノ結晶/酸化シリコン複合膜におけるキャリア選択能の水素プラズマ処理温度依存性

硅纳米晶/氧化硅复合薄膜中载流子选择性的氢等离子体处理温度依赖性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
松見優志，後藤和泰，ビルデマーカス，黒川康良，福谷克之，宇佐美徳隆
通讯作者：
松見優志，後藤和泰，ビルデマーカス，黒川康良，福谷克之，宇佐美徳隆

Photoconductivity measurement of silicon quantum dot multilayers for the Bayesian optimization

用于贝叶斯优化的硅量子点多层光电导测量

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fuga Kumagai;Kazuhiro Gotoh;Satoru Miyamoto;Shinya Kato;Naoki Matsuo;Shigeru Yamada;Takashi Itoh;Noritaka Usami;Yasuyoshi Kurokawa
通讯作者：
Yasuyoshi Kurokawa

Preparation and thermoelectric characterization of phosphorus-doped Si nanocrystals/silicon oxide multilayers

磷掺杂硅纳米晶/氧化硅多层膜的制备及热电表征

DOI：
10.7567/1347-4065/ab6346
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kobayashi Hisayoshi;Akaishi Ryushiro;Kato Shinya;Kurosawa Masashi;Usami Noritaka;Kurokawa Yasuyoshi
通讯作者：
Kurokawa Yasuyoshi

シリコン量子ドット積層膜の光導電率評価

硅量子点堆叠薄膜的光电导评估

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
熊谷風雅;後藤和泰;山田繁;伊藤貴司;宇佐美徳隆;黒川康良
通讯作者：
黒川康良

Bayesian Optimization of Hydrogen Plasma Treatment for Reducing Defects in Silicon Quantum Dot Multilayers

用于减少硅量子点多层缺陷的氢等离子体处理的贝叶斯优化

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fuga Kumagai;Shinsuke Miyagawa;Kazuhiro Gotoh;Satoru Miyamoto;Kentaro Kutsukake;Shinya Kato;Noritaka Usami;Yasuyoshi Kurokawa
通讯作者：
Yasuyoshi Kurokawa

DOI：
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作者：
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Kurokawa Yasuyoshi其他文献

Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I

氮化物半导体生长计算材料科学的最新进展 I

DOI：
发表时间：
2018
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影响因子：
0
作者：
Mochizuki Takeya;Gotoh Kazuhiro;Ohta Akio;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Miyazaki Seiichi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;Tomonori Ito
通讯作者：
Tomonori Ito

Preferred orientation of BaSi 2 thin films fabricated by thermal evaporation

热蒸发制备BaSi 2 薄膜的择优取向

DOI：
10.7567/jjapcp.5.011202
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Hara;C. Trinh;Nakagawa Yoshihiko;Kurokawa Yasuyoshi;Arimoto Keisuke;Yamanaka Junji;Nakagawa Kiyokazu;Usami Noritaka
通讯作者：
Usami Noritaka

Improving Intrinsic Silicon Nanoparticle Film by Press Treatment for use in p?i?n Solar Cells

通过压制处理改善本征硅纳米颗粒薄膜，用于 p?i?n 太阳能电池

DOI：
10.1109/pvsc.2018.8547319
发表时间：
2018
期刊：
Proceedings of the 7th Edition of the World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-7)
影响因子：
0
作者：
Ichihara Eiji;Kato Shinya;Akaishi Ryushiro;Gotoh Kazuhiro;Kurokawa Yasuyoshi;Kishi Naoki;Soga Tetsuo
通讯作者：
Soga Tetsuo

Fabrication of NV centers-hosted diamond tip via FIB for scanning probe

通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
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Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An
通讯作者：
K. Hayashi，R. Wang，K. Nakashita，Y. Kainuma，M. Ito，T. An

Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition

氢等离子体处理对原子层沉积晶体硅TiOx钝化性能的影响

DOI：
10.1116/1.5134720
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子：
2.9
作者：
Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka
通讯作者：
Usami Noritaka