Development of innovative storage devices using silicon nanowire arrays

使用硅纳米线阵列开发创新存储设备

基本信息

  • 批准号:
    16K14546
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
名古屋大学 宇佐美・黒川研究室
名古屋大学宇佐美/黑川实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
名古屋大学教員データベース
名古屋大学教员数据库
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Kurokawa Yasuyoshi其他文献

Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I
氮化物半导体生长计算材料科学的最新进展 I
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Mochizuki Takeya;Gotoh Kazuhiro;Ohta Akio;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Miyazaki Seiichi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;Tomonori Ito
  • 通讯作者:
    Tomonori Ito
Preferred orientation of BaSi 2 thin films fabricated by thermal evaporation
热蒸发制备BaSi 2 薄膜的择优取向
  • DOI:
    10.7567/jjapcp.5.011202
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Hara;C. Trinh;Nakagawa Yoshihiko;Kurokawa Yasuyoshi;Arimoto Keisuke;Yamanaka Junji;Nakagawa Kiyokazu;Usami Noritaka
  • 通讯作者:
    Usami Noritaka
Improving Intrinsic Silicon Nanoparticle Film by Press Treatment for use in p?i?n Solar Cells
通过压制处理改善本征硅纳米颗粒薄膜,用于 p?i?n 太阳能电池
Fabrication of NV centers-hosted diamond tip via FIB for scanning probe
通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
  • 通讯作者:
    K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
Effect of hydrogen plasma treatment on the passivation performance of TiOx on crystalline silicon prepared by atomic layer deposition
氢等离子体处理对原子层沉积晶体硅TiOx钝化性能的影响
  • DOI:
    10.1116/1.5134720
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.9
  • 作者:
    Miyagawa Shinsuke;Gotoh Kazuhiro;Ogura Shohei;Wilde Markus;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka
  • 通讯作者:
    Usami Noritaka

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
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    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    2018
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  • 批准号:
    487371-2015
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
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NSERC Industrial Research Chair for Colleges in Advanced Recycling Technologies for Waste Electrical and Electronic Equipment
NSERC 大学废旧电气电子设备先进回收技术工业研究主席
  • 批准号:
    487371-2015
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.41万
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    Industrial Research Chairs for Colleges Grants
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一种新颖、环保的废弃电气和电子设备回收工艺
  • 批准号:
    600352
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 2.41万
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  • 批准号:
    16H04318
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
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NSERC Industrial Research Chair for Colleges in Advanced Recycling Technologies for Waste Electrical and Electronic Equipment
NSERC 大学废旧电气电子设备先进回收技术工业研究主席
  • 批准号:
    487371-2015
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.41万
  • 项目类别:
    Industrial Research Chairs for Colleges Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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