Development of innovative storage devices using silicon nanowire arrays
使用硅纳米线阵列开发创新存储设备
基本信息
- 批准号:16K14546
- 负责人:
- 金额:$ 2.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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Kurokawa Yasuyoshi其他文献
Recent progress in computational material science for growth of nitride semiconductors I
氮化物半导体生长计算材料科学的最新进展 I
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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Preferred orientation of BaSi 2 thin films fabricated by thermal evaporation
热蒸发制备BaSi 2 薄膜的择优取向
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- 影响因子:0
- 作者:
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Soga Tetsuo
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通过 FIB 制造用于扫描探针的 NV 中心托管金刚石尖端
- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
Gotoh Kazuhiro;Wilde Markus;Ogura Shohei;Kurokawa Yasuyoshi;Fukutani Katsuyuki;Usami Noritaka;K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An - 通讯作者:
K. Hayashi,R. Wang,K. Nakashita,Y. Kainuma,M. Ito,T. An
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- 影响因子:2.9
- 作者:
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Usami Noritaka
Kurokawa Yasuyoshi的其他文献
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{{ truncateString('Kurokawa Yasuyoshi', 18)}}的其他基金
Reduction of defect density in silicon quantum dot light-absorbers using hydrogen plasma treatment
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相似海外基金
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原子层材料纳米机电系统非线性振荡状态叠加
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Creation of low temperature sinterable metal nanoparticles and application to precision assembly and joining
低温可烧结金属纳米粒子的制备及其在精密组装和连接中的应用
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$ 2.41万 - 项目类别:
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使用原位 TEM 研究 ReRAM 电路操作以开发人工神经元
- 批准号:
16H04339 - 财政年份:2016
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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低磁场、无线电波频率核磁共振系统的研制
- 批准号:
16H04377 - 财政年份:2016
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