Development of innovative storage devices using silicon nanowire arrays
Development of innovative storage devices using silicon nanowire arrays
使用硅纳米线阵列开发创新存储设备
批准号：
16K14546
负责人：
Kurokawa Yasuyoshi
金额：
$2.41万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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会议论文
名古屋大学 宇佐美・黒川研究室
名古屋大学宇佐美/黑川实验室
名古屋大学宇佐美/黑川实验室
DOI：
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发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
名古屋大学教員データベース
名古屋大学教员数据库
名古屋大学教员数据库
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Reduction of defect density in silicon quantum dot light-absorbers using hydrogen plasma treatment
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批准号：20K05075
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2020
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负责人：Kurokawa Yasuyoshi
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依托单位：