Investigation of defect structure and the mechanism of defect introduction in wide bandgap semiconductor crystals by processing

通过加工研究宽带隙半导体晶体的缺陷结构和缺陷引入机制

基本信息

  • 批准号:
    20K05176
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
HVPE-GaN(0001)基板にVickers圧入で生じた転位構造
维氏压装到 HVPE-GaN (0001) 衬底中产生的位错结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Nagira;X.C. Liu;K. Ushioda;H. Fujii;石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
  • 通讯作者:
    石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth
晶圆制造过程中形成的 GaN 划痕和同质外延生长过程中的位错反应产生位错
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac2ae5
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Tadatomo Kazuyuki
(0001)GaNウエハ上のsクラッチ幅と転位パタンサイズの線形増加
(0001) GaN 晶圆上离合宽度和位错图案尺寸线性增加
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石川由加里;菅原 義弘;姚 永昭;武田秀俊;會田英雄;只友一行
  • 通讯作者:
    只友一行
GaN結晶のビッカース圧痕周囲の転位の広がりと構造
GaN 晶体中维氏压痕周围位错的扩散和结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    前田健作;藤原航三;伊髙 健治;石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
  • 通讯作者:
    石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN
位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度和划痕宽度的线性相关性
  • DOI:
    10.1088/1361-6463/ac96fd
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Takeda Hidetoshi;Aida Hideo;Tadatomo Kazuyuki
  • 通讯作者:
    Tadatomo Kazuyuki
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Interfacial reaction during brazing of brass to stainless steel
黄铜与不锈钢钎焊过程中的界面反应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro;Yao Yongzhao;Noguchi Naoto;Takeda Yukihisa;Yamada Hisashi;Shimizu Mitsuaki;Tadatomo Kazuyuki;宮沢靖幸 田嶋晃 吉田知広 為田英信 降旗恭平
  • 通讯作者:
    宮沢靖幸 田嶋晃 吉田知広 為田英信 降旗恭平
Anisotropic radius of curvature of crystal planes in wide-bandgap semiconductor wafers measured by X-ray diffraction
X射线衍射测量宽带隙半导体晶片晶面各向异性曲率半径
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/ac3a20
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Yokoe Daisaku;Hirano Keiichi;Okada Narihito;Tadatomo Kazuyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ishikawa Yukari
  • 通讯作者:
    Ishikawa Yukari
Slip planes in monoclinic β-Ga2O3 revealed from its {010} face via synchrotron X-ray diffraction and X-ray topography
通过同步加速器 X 射线衍射和 X 射线形貌从其 {010} 面揭示单斜晶系 β-Ga2O3 中的滑移面
  • DOI:
    10.35848/1347-4065/abc1aa
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yao Yongzhao;Ishikawa Yukari;Sugawara Yoshihiro
  • 通讯作者:
    Sugawara Yoshihiro
表面過程を考慮した不純物分配の解析解
考虑表面工艺的杂质分布解析解
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yao Yongzhao;Tsusaka Yoshiyuki;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;三浦均
  • 通讯作者:
    三浦均
Real and complex asymmetric parameters of Fano resonance in a simple classical harmonic oscillator system
简单经典谐振子系统中法诺共振的实数和复数不对称参数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yao Yongzhao;Hirano Keiichi;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;Seiji Mizuno
  • 通讯作者:
    Seiji Mizuno

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    $ 2.83万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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    $ 2.83万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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