Investigation of defect structure and the mechanism of defect introduction in wide bandgap semiconductor crystals by processing
Investigation of defect structure and the mechanism of defect introduction in wide bandgap semiconductor crystals by processing
批准号:
20K05176
负责人:
Ishikawa Yukari
金额:
$2.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-01 至 2023-03-31
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HVPE-GaN(0001)基板にVickers圧入で生じた転位構造
维氏压装到 HVPE-GaN (0001) 衬底中产生的位错结构
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Nagira, X.C. Liu, K. Ushioda, H. Fujii, 石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭]
通讯作者:
石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
Generation of dislocations from scratches on GaN formed during wafer fabrication and dislocation reactions during homoepitaxial growth
晶圆制造过程中形成的 GaN 划痕和同质外延生长过程中的位错反应产生位错
DOI:
10.35848/1347-4065/ac2ae5
发表时间:
2021
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Ishikawa Yukari, Sugawara Yoshihiro, Yao Yongzhao, Noguchi Naoto, Takeda Yukihisa, Yamada Hisashi, Shimizu Mitsuaki, Tadatomo Kazuyuki]
通讯作者:
Tadatomo Kazuyuki
(0001)GaNウエハ上のsクラッチ幅と転位パタンサイズの線形増加
(0001) GaN 晶圆上离合宽度和位错图案尺寸线性增加
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[石川由加里, 菅原 義弘, 姚 永昭, 武田秀俊, 會田英雄, 只友一行]
通讯作者:
只友一行
GaN結晶のビッカース圧痕周囲の転位の広がりと構造
GaN 晶体中维氏压痕周围位错的扩散和结构
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[前田健作, 藤原航三, 伊髙 健治, 石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭]
通讯作者:
石川由加里,横江大作,菅原義弘,姚永昭
Linear dependence of dislocation pattern size on the imprint width and scratch width on (0001) GaN
位错图案尺寸与 (0001) GaN 上的压印宽度和划痕宽度的线性相关性
DOI:
10.1088/1361-6463/ac96fd
发表时间:
2022
期刊:
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子:
--
作者:
[Ishikawa Yukari, Sugawara Yoshihiro, Yao Yongzhao, Takeda Hidetoshi, Aida Hideo, Tadatomo Kazuyuki]
通讯作者:
Tadatomo Kazuyuki
共 10 条
Sociological clarification of the actual situation of sex of adolescents and sex education problems in the informational society
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批准号:15H03423
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$10.23万
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财政年份:2015
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负责人:Ishikawa Yukari
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依托单位:
experimental study of the effect of mothers' social capital on their children's educational disparty
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批准号:24530688
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.41万
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财政年份:2012
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负责人:Ishikawa Yukari
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依托单位:
海外基金