Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
利用硅帽退火控制 SiC 表面和无硅化物接触的研究
基本信息
- 批准号:20K05328
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2020
- 资助国家:日本
- 起止时间:2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析
硅盖退火4H-SiC表面导电机理分析
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:花房 宏明; 東堂 大地; 東 清一郎
- 通讯作者:東 清一郎
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