Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing
利用硅帽退火控制 SiC 表面和无硅化物接触的研究
批准号：
20K05328
负责人：
HANAFUSA HIROAKI
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析
硅盖退火4H-SiC表面导电机理分析
硅盖退火4H-SiC表面导电机理分析
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[花房 宏明, 東堂 大地, 東 清一郎]
通讯作者：
東 清一郎
Development of defect-controlled hetero-junction contact with amorphous silicon insertion
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批准号：25870466
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2013
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负责人：HANAFUSA HIROAKI
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依托单位：
海外基金
