Investigation on control of SiC surface and silicide-less contact using silicon-cap-annealing

利用硅帽退火控制 SiC 表面和无硅化物接触的研究

基本信息

  • 批准号:
    20K05328
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
シリコンキャップアニールを行った4H-SiC表面の電気 伝導機構の解析
硅盖退火4H-SiC表面导电机理分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    花房 宏明; 東堂 大地; 東 清一郎
  • 通讯作者:
     東 清一郎
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    2024
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    $ 2.75万
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